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基于MOSFET的串联谐振双有源桥死区振荡机理分析及抑制
被引量：
6
1
作者
胡钰杰
李子欣
+2 位作者
赵聪
罗龙
李耀华
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第10期2549-2558,共10页
基于MOSFET的串联谐振双有源桥(DAB)变换器可同时实现所有功率器件的零电压开通(ZVS)和零电流关断(ZCS),具有效率高的优点,被广泛应用于电力电子变压器(PET)隔离DC-DC环节。然而,在采用隔离变压器的DAB中,由于MOSFET寄生电容的存在,在...
基于MOSFET的串联谐振双有源桥(DAB)变换器可同时实现所有功率器件的零电压开通(ZVS)和零电流关断(ZCS),具有效率高的优点,被广泛应用于电力电子变压器(PET)隔离DC-DC环节。然而,在采用隔离变压器的DAB中,由于MOSFET寄生电容的存在,在死区时间内器件寄生电容与隔离变压器漏感会产生高频振荡,增加了通态损耗。该文建立死区时间内串联谐振DAB的等效电路,分析死区时间内高频振荡电流幅值与关断时刻电流的数学关系。为抑制高频振荡,提出基于开关频率微调的振荡抑制方法。实验结果表明了理论分析的正确性和高频振荡抑制方法的有效性。
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关键词
串联谐振双有源桥
MOSFET寄生电容
励磁电流
死区高频振荡
高频
振荡
抑制
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职称材料
题名
基于MOSFET的串联谐振双有源桥死区振荡机理分析及抑制
被引量：
6
1
作者
胡钰杰
李子欣
赵聪
罗龙
李耀华
机构
中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室(中国科学院电工研究所)
中国科学院大学
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第10期2549-2558,共10页
基金
国家自然科学基金资助项目(52007180)。
文摘
基于MOSFET的串联谐振双有源桥(DAB)变换器可同时实现所有功率器件的零电压开通(ZVS)和零电流关断(ZCS),具有效率高的优点,被广泛应用于电力电子变压器(PET)隔离DC-DC环节。然而,在采用隔离变压器的DAB中,由于MOSFET寄生电容的存在,在死区时间内器件寄生电容与隔离变压器漏感会产生高频振荡,增加了通态损耗。该文建立死区时间内串联谐振DAB的等效电路,分析死区时间内高频振荡电流幅值与关断时刻电流的数学关系。为抑制高频振荡,提出基于开关频率微调的振荡抑制方法。实验结果表明了理论分析的正确性和高频振荡抑制方法的有效性。
关键词
串联谐振双有源桥
MOSFET寄生电容
励磁电流
死区高频振荡
高频
振荡
抑制
Keywords
Series resonant dual active bridge
parasitic capacitance of MOSFET
excitation current
dead-time high-frequency oscillation
high-frequency oscillation suppression
分类号
TM41 [电气工程—电器]
TM46 [电气工程—电器]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于MOSFET的串联谐振双有源桥死区振荡机理分析及抑制
胡钰杰
李子欣
赵聪
罗龙
李耀华
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2022
6
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