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基于MOSFET的串联谐振双有源桥死区振荡机理分析及抑制
被引量：
6
1
作者
胡钰杰
李子欣
+2 位作者
赵聪
罗龙
李耀华
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第10期2549-2558,共10页
基于MOSFET的串联谐振双有源桥(DAB)变换器可同时实现所有功率器件的零电压开通(ZVS)和零电流关断(ZCS),具有效率高的优点,被广泛应用于电力电子变压器(PET)隔离DC-DC环节。然而,在采用隔离变压器的DAB中,由于MOSFET寄生电容的存在,在...
基于MOSFET的串联谐振双有源桥(DAB)变换器可同时实现所有功率器件的零电压开通(ZVS)和零电流关断(ZCS),具有效率高的优点,被广泛应用于电力电子变压器(PET)隔离DC-DC环节。然而,在采用隔离变压器的DAB中,由于MOSFET寄生电容的存在,在死区时间内器件寄生电容与隔离变压器漏感会产生高频振荡,增加了通态损耗。该文建立死区时间内串联谐振DAB的等效电路,分析死区时间内高频振荡电流幅值与关断时刻电流的数学关系。为抑制高频振荡,提出基于开关频率微调的振荡抑制方法。实验结果表明了理论分析的正确性和高频振荡抑制方法的有效性。
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关键词
串联谐振双有源桥
MOSFET寄生电容
励磁电流
死区
高频
振荡
高频
振荡
抑制
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职称材料
基于CPWM控制方式的正弦波逆变器电路设计
被引量：
4
2
作者
王红玲
张元敏
方波
《电力系统保护与控制》
EI
CSCD
北大核心
2009年第2期76-79,共4页
对单极性三阶SPWM波进行了谐波分析,指出了UPWM和HPWM存在的缺点,给出了CPWM逆变控制方式的原理,并基于CPWM方式对单极性正弦波逆变控制电路进行了具体设计,最后研制了一台独立光伏系统用单相正弦波逆变器。实验结果表明,基于CPWM控制...
对单极性三阶SPWM波进行了谐波分析,指出了UPWM和HPWM存在的缺点,给出了CPWM逆变控制方式的原理,并基于CPWM方式对单极性正弦波逆变控制电路进行了具体设计,最后研制了一台独立光伏系统用单相正弦波逆变器。实验结果表明,基于CPWM控制方式的正弦波逆变器性能优良,具有实用价值。
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关键词
CPWM控制方式
正弦波逆变器
调制失效
死区振荡
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职称材料
题名
基于MOSFET的串联谐振双有源桥死区振荡机理分析及抑制
被引量：
6
1
作者
胡钰杰
李子欣
赵聪
罗龙
李耀华
机构
中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室(中国科学院电工研究所)
中国科学院大学
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第10期2549-2558,共10页
基金
国家自然科学基金资助项目(52007180)。
文摘
基于MOSFET的串联谐振双有源桥(DAB)变换器可同时实现所有功率器件的零电压开通(ZVS)和零电流关断(ZCS),具有效率高的优点,被广泛应用于电力电子变压器(PET)隔离DC-DC环节。然而,在采用隔离变压器的DAB中,由于MOSFET寄生电容的存在,在死区时间内器件寄生电容与隔离变压器漏感会产生高频振荡,增加了通态损耗。该文建立死区时间内串联谐振DAB的等效电路,分析死区时间内高频振荡电流幅值与关断时刻电流的数学关系。为抑制高频振荡,提出基于开关频率微调的振荡抑制方法。实验结果表明了理论分析的正确性和高频振荡抑制方法的有效性。
关键词
串联谐振双有源桥
MOSFET寄生电容
励磁电流
死区
高频
振荡
高频
振荡
抑制
Keywords
Series resonant dual active bridge
parasitic capacitance of MOSFET
excitation current
dead-time high-frequency oscillation
high-frequency oscillation suppression
分类号
TM41 [电气工程—电器]
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
基于CPWM控制方式的正弦波逆变器电路设计
被引量：
4
2
作者
王红玲
张元敏
方波
机构
许昌学院电气信息工程学院
出处
《电力系统保护与控制》
EI
CSCD
北大核心
2009年第2期76-79,共4页
基金
河南省科技攻关计划项目(072102240033)
文摘
对单极性三阶SPWM波进行了谐波分析,指出了UPWM和HPWM存在的缺点,给出了CPWM逆变控制方式的原理,并基于CPWM方式对单极性正弦波逆变控制电路进行了具体设计,最后研制了一台独立光伏系统用单相正弦波逆变器。实验结果表明,基于CPWM控制方式的正弦波逆变器性能优良,具有实用价值。
关键词
CPWM控制方式
正弦波逆变器
调制失效
死区振荡
Keywords
CPWM control mode
sine-wave inverter
modulation failure
dead-time oscillation
分类号
TM464 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于MOSFET的串联谐振双有源桥死区振荡机理分析及抑制
胡钰杰
李子欣
赵聪
罗龙
李耀华
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2022
6
在线阅读
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职称材料
2
基于CPWM控制方式的正弦波逆变器电路设计
王红玲
张元敏
方波
《电力系统保护与控制》
EI
CSCD
北大核心
2009
4
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