用正电子湮没寿命谱学法研究BBO单晶缺陷

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作者 史子康 林翔 唐鼎元 《激光技术》 CAS CSCD 1991年第6期353-358,共6页

低温相偏硼酸钡(BBO)单晶是一种新型的非线性光学晶体。本文用正电子湮没寿命谱学法首次研究了它的缺陷,分析了它的缺陷类型及其成因。为克服缺陷、生长高质量的晶体提供科学依据。

关键词 BBO晶体 缺陷 正电子湮没 寿命谱学

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用正电子湮没寿命谱学法研究聚四氟乙烯改性和结晶度关系

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作者 史子康 《应用科学学报》 CAS CSCD 1994年第4期355-360,共6页

该文首次提出用ｅ￣＋湮没寿命谱学参数计算ＰＴＦＥ的结晶度：研究了退火、￣（６０）Ｃｏ的低剂量照射对结晶度影响的机理；揭示出次长成份是ｅ￣＋、Ｏ－Ｐｓ捕获态的过渡态，在该态中不存在Ｐ－Ｐｓ的捕获湮没。

关键词 结晶度 正电子湮没 e^+湮没寿命谱 聚四氟乙烯

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用正电子湮没寿命谱法研究锡镀层缺陷

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作者 姚士冰 刘赞今 +1 位作者 周绍民 方江陵 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1991年第2期215-218,共4页

光亮镀锡工艺由于成本低、无毒、镀层稳定性好而广泛应用于电子元器件引线的电镀.但因锡镀层与基体之间会发生原子的相互扩散,致使产品在储存、焊接或使用期间因温度效应而使某些重要的物理和化学性能,如钎焊性、导电性和防腐性变差。... 光亮镀锡工艺由于成本低、无毒、镀层稳定性好而广泛应用于电子元器件引线的电镀.但因锡镀层与基体之间会发生原子的相互扩散,致使产品在储存、焊接或使用期间因温度效应而使某些重要的物理和化学性能,如钎焊性、导电性和防腐性变差。金属界面原子的热扩散行为与金属晶体的结构缺陷密切相关,因此应用正电子湮没寿命谱法研究锡镀层在热处理过程中缺陷的运动规律,在理论和工艺方面都具有重要的意义。 展开更多

关键词 锡 镀层 缺陷 正电子湮没 寿命谱

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变温下油脂自由体积和晶型结构演化的正电子湮没寿命研究

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作者 段会 张鹏 +7 位作者 刘福雁 于啸天 况鹏 张玉包 张仁刚 于润升 曹兴忠 王宝义 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1651-1657,共7页

甘油三酯具有独特的同质多晶现象,其结晶和熔化特性对油脂产品性能及工业应用至关重要。利用正电子湮没寿命谱(PALS)可在原子尺度对结晶态甘油三酯的微观结构变化进行特征化描述。当正电子进入分子材料时,会与周围的电子形成电子偶素(电... 甘油三酯具有独特的同质多晶现象,其结晶和熔化特性对油脂产品性能及工业应用至关重要。利用正电子湮没寿命谱(PALS)可在原子尺度对结晶态甘油三酯的微观结构变化进行特征化描述。当正电子进入分子材料时,会与周围的电子形成电子偶素(电子-正电子的束缚态),其寿命反映了材料中空洞(自由体积)的大小。该文使用PALS首次研究了5种饱和脂肪酸甘油三酯的多晶性和晶型转变过程,包括甘油三月桂酸酯、甘油三肉豆蔻酸酯、三棕榈酸甘油酯、三硬脂酸甘油酯、花生酸甘油三酯。正电子数据和由其他表征手段得到的晶型变化规律很好符合。用正电子观察到更长分子链甘油三酯固相收缩成更稳定的晶型时有空洞形成,以及α晶在固-固转化过程中形成了2种β晶形态。 展开更多

关键词 甘油三酯 正电子湮没寿命谱 同质多晶 电子偶素

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正电子湮没寿命谱技术应用于聚合物微观结构研究的进展 被引量：8

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作者 廖霞 张琼文 +3 位作者 何汀 安竹 杨其 李光宪 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期198-204,共7页

聚合物的晶区堆砌密度、无定形区自由体积的尺寸和数量、晶区-非晶区的界面等微观结构,对其宏观性能,如渗透性能、力学性能、松弛行为等有重要影响。正电子湮没寿命谱技术是一种强有力的微观结构探测与表征技术,能够灵敏有效地探测聚合... 聚合物的晶区堆砌密度、无定形区自由体积的尺寸和数量、晶区-非晶区的界面等微观结构,对其宏观性能,如渗透性能、力学性能、松弛行为等有重要影响。正电子湮没寿命谱技术是一种强有力的微观结构探测与表征技术,能够灵敏有效地探测聚合物的晶区堆砌密度、无定形区自由体积以及两相界面等信息,从而提供了一种直接、简单的研究聚合物微观结构的途径。文中介绍了该技术的基本原理和应用理论,综述了该技术在聚合物研究领域的应用,如:聚合物本征特性与自由体积之间的关系,应力、辐照、外界压力、物理老化等外界因素对聚合物微观结构的影响,以及聚合物共混物、复合材料的相容性和界面特性等。最后总结了正电子湮没寿命谱技术在聚合物微观结构研究中存在的问题。 展开更多

关键词 正电子湮没寿命谱 聚合物 自由体积 微观结构

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环氧树脂/纳米SiO_2复合材料摩擦学性能与正电子湮没谱的研究 被引量：6

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作者 齐陈泽 高辉 +4 位作者 阎逢元 胡幼华 孙旭东 刘维民 郑小明 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期37-40,共4页

利用超声波和偶联剂处理的方法,将不同比例的纳米SiO_2与环氧树脂相复合,制备了环氧树脂/纳米SiO_2复合材料并测定了其显微硬度。用摩擦磨损试验机评价了试样在干摩擦条件下的摩擦学性能,用正电子湮没寿命技术(PALT)测试了试样的微观结... 利用超声波和偶联剂处理的方法,将不同比例的纳米SiO_2与环氧树脂相复合,制备了环氧树脂/纳米SiO_2复合材料并测定了其显微硬度。用摩擦磨损试验机评价了试样在干摩擦条件下的摩擦学性能,用正电子湮没寿命技术(PALT)测试了试样的微观结构。结果表明,纳米SiO_2可有效地改善环氧树脂的摩擦性能;摩擦后试样的自由体积孔穴尺寸比摩擦前大,随着SiO_2含量的增加,自由体积孔穴尺寸呈增大趋势,而自由体积孔穴浓度呈减少趋势。 展开更多

关键词 环氧树脂 纳米SIO2 复合材料 摩擦学性能 正电子湮没谱 研究 超声波 偶联剂

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纳米TiO_2粉晶的正电子湮没寿命谱研究 被引量：4

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作者 尹荔松 危韧勇 +1 位作者 周歧发 张进修 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期299-300,共2页

用溶胶 -凝胶法 (sol -gel)制备了纳米TiO2 微粉。应用正电子湮没寿命谱 (PAT)研究了纳米TiO2 的界面结构。PAT研究表明 ,sol-gel法制备的纳米TiO2 微粉中只存在两类缺陷 ,即与短寿命成分τ1对应的单空位尺寸的自由体积缺陷 ,以及与中... 用溶胶 -凝胶法 (sol -gel)制备了纳米TiO2 微粉。应用正电子湮没寿命谱 (PAT)研究了纳米TiO2 的界面结构。PAT研究表明 ,sol-gel法制备的纳米TiO2 微粉中只存在两类缺陷 ,即与短寿命成分τ1对应的单空位尺寸的自由体积缺陷 ,以及与中等寿命成分τ2 对应的微孔洞缺陷。其缺陷数目及浓度随着粒子尺寸的改变有着显著的改变 ,表现出尺寸效应。 展开更多

关键词 纳米微粉 正电子湮没寿命谱 纳米TiO2粉晶

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用正电子湮没寿命谱研究热处理对TATB基高聚物粘结炸药微结构的影响 被引量：3

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作者 李敬明 田勇 +1 位作者 郝小鹏 王宝义 《含能材料》 EI CAS CSCD 2005年第6期378-381,共4页

用正电子湮没寿命谱仪测试了TATB基高聚物粘结炸药在热处理前后的正电子湮没寿命谱,并就热处理对其内部微结构的影响进行了探讨和分析。结果表明:正电子在TATB基PBX中的湮没模式主要为自由态湮没和捕获态湮没,热处理后其内部微孔隙的数... 用正电子湮没寿命谱仪测试了TATB基高聚物粘结炸药在热处理前后的正电子湮没寿命谱,并就热处理对其内部微结构的影响进行了探讨和分析。结果表明:正电子在TATB基PBX中的湮没模式主要为自由态湮没和捕获态湮没,热处理后其内部微孔隙的数量明显减少,但孔隙的平均尺寸却出现了一定程度的增大。 展开更多

关键词 物理化学 高聚物粘结炸药(PBX) 热处理 正电子湮没寿命谱 微孔隙

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TATB基PBX纳米孔隙的正电子湮没寿命谱 被引量：1

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作者 杨仍才 田勇 +1 位作者 张伟斌 杜宇 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期200-203,共4页

为研究压制参数对TATB基高聚物粘结炸药（PB X）微观结构的影响,压制了密度为1.6~1.9 g·cm-3的PBX,采用了正电子湮没寿命谱（PALS）技术表征了其微观结构,讨论了不同压制密度PBX的纳米孔隙的变化。结果显示：压制密度越大,PBX中纳... 为研究压制参数对TATB基高聚物粘结炸药（PB X）微观结构的影响,压制了密度为1.6~1.9 g·cm-3的PBX,采用了正电子湮没寿命谱（PALS）技术表征了其微观结构,讨论了不同压制密度PBX的纳米孔隙的变化。结果显示：压制密度越大,PBX中纳米孔隙浓度越小,平均尺寸越大,这表明压制过程中,PBX界面孔隙不断减小,TATB晶体内部孔隙却不断增大。 展开更多

关键词 高能物理学 TATB基PBX 压制 纳米孔隙 正电子湮没寿命谱

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LaCl_3:Ce^(3+)闪烁体正电子湮没寿命谱仪 被引量：2

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作者 高鑫 白雪宁 +1 位作者 陈宜保 何元金 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期243-245,249,共4页

对国内最新研制出的LaCl3:Ce3+闪烁晶体时间特性进行了测试,用该种晶体尝试组建了正电子湮没寿命谱仪,时间分辨率达到了350ps。由于LaCl3:Ce3+探头在具有快速时间响应特性的同时还具有较高的能量分辨率,用该探头组建正电子湮没寿命谱仪... 对国内最新研制出的LaCl3:Ce3+闪烁晶体时间特性进行了测试,用该种晶体尝试组建了正电子湮没寿命谱仪,时间分辨率达到了350ps。由于LaCl3:Ce3+探头在具有快速时间响应特性的同时还具有较高的能量分辨率,用该探头组建正电子湮没寿命谱仪将具有许多潜在的优势。 展开更多

关键词 LaCl3:Ce^3+闪烁体 正电子湮没寿命谱仪 能量分辨率 时间分辨率

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硅橡胶中的正电子湮没寿命谱实验分析

11

作者 尹传元 沈德勋 +1 位作者 滕敏康 周彩华 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第1期43-47,共5页

本文用硅橡胶材料做正电子湮没的实验,实验的结果得到了硅橡胶中正电子湮没三种成份的寿命均随分子量增大而减小,以及生胶在高温硫化前后的正电子湮没三种成份寿命和相应的强度有显著变化。根据硅橡胶大分子的结构来分析影响正电子湮没... 本文用硅橡胶材料做正电子湮没的实验,实验的结果得到了硅橡胶中正电子湮没三种成份的寿命均随分子量增大而减小,以及生胶在高温硫化前后的正电子湮没三种成份寿命和相应的强度有显著变化。根据硅橡胶大分子的结构来分析影响正电子湮没三种成份寿命的因素,随着分子量的增大,大分子链变长,单位体积中链的自由末端减小,使得硅橡胶的密度增大,乙烯基的密度增大,正电子湮没第一寿命减小;单位体积大分子链间的缠绕和交叠也随分子量增大而增多,使正电子湮没第二寿命减小;大分子间的额外空隙随着聚合物的密度增大而减小,使正电子湮没第三寿命减小。用这个观点对实验结果作了解释。 展开更多

关键词 硅橡胶 正电子湮没 寿命谱 强度

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用正电子谱学研究USY沸石中二次孔的脱水 被引量：2

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作者 朱俊 王少阶 +1 位作者 马莉 陈志权 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1999年第11期1053-1056,共4页

超稳Ｙ型沸石（ＵＳＹ）分子筛是石油催化裂化中的优异催化剂，它是由ＨＹ型沸石经高温水热处理制备的，它的特点之一是具有良好的热稳定性．因而，对ＵＳＹ的改性研究一直受到关注［１-５］，尤其是在制备ＵＳＹ过程中由于水热处理所... 超稳Ｙ型沸石（ＵＳＹ）分子筛是石油催化裂化中的优异催化剂，它是由ＨＹ型沸石经高温水热处理制备的，它的特点之一是具有良好的热稳定性．因而，对ＵＳＹ的改性研究一直受到关注［１-５］，尤其是在制备ＵＳＹ过程中由于水热处理所产生大量二次孔，它与ＵＳＹ的结构与?.. 展开更多

关键词 正电子湮没谱学 USY沸石 脱附 催化裂化催化剂

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La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3化合物铁掺杂效应的正电子寿命谱研究 被引量：1

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作者 路庆凤 张星 +3 位作者 胡艳春 徐勇光 李喜贵 常方高 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期57-60,共4页

采用固相反应方法制备了La0.67Ca0.33Mn1-xFexO3(0 x 0.2)的一系列样品.分别用X射线衍射、正电子湮没技术对样品进行了检测,结果表明:在整个掺杂范围内样品单相性很好,随着掺杂量的增加,样品中铁磁与反铁磁团簇的相互竞争和由于电子局... 采用固相反应方法制备了La0.67Ca0.33Mn1-xFexO3(0 x 0.2)的一系列样品.分别用X射线衍射、正电子湮没技术对样品进行了检测,结果表明:在整个掺杂范围内样品单相性很好,随着掺杂量的增加,样品中铁磁与反铁磁团簇的相互竞争和由于电子局域化而引起的极化导致了正电子寿命的变化. 展开更多

关键词 正电子湮没 寿命谱 CMR

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用于正电子湮没寿命谱仪的探测器

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《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期390-390,共1页

一种用于正电子湮没寿命谱仪的探测器，该正电子湮没寿命谱仪包括起始道探测器和停止道探测器，与常规的正电子寿命谱仪起始道与停止道采用相同的探测器不同，本探测器采用了与起始道探测器不同的停止道探测器，在停止道探测器的闪烁体... 一种用于正电子湮没寿命谱仪的探测器，该正电子湮没寿命谱仪包括起始道探测器和停止道探测器，与常规的正电子寿命谱仪起始道与停止道采用相同的探测器不同，本探测器采用了与起始道探测器不同的停止道探测器，在停止道探测器的闪烁体中央，有一圆形井，放置测量样品与22^Na正电子放射源。 展开更多

关键词 正电子湮没寿命 探测器 谱仪 正电子寿命 起始 闪烁体 放射源

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KCl在NaY沸石中扩散的正电子谱学研究

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作者 朱俊 张小强 《华中师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期681-685,共5页

用正电子湮没寿命谱学的方法研究微量水对KCl在NaY沸石中扩散的影响,实验分别测量了有吸附水与脱水后担载量为10%的KCl/NaY寿命谱.所有寿命谱经4个寿命分量分解,其中第三、四寿命分量分别对应β笼与超笼微环境状态.实验表明在无水常温... 用正电子湮没寿命谱学的方法研究微量水对KCl在NaY沸石中扩散的影响,实验分别测量了有吸附水与脱水后担载量为10%的KCl/NaY寿命谱.所有寿命谱经4个寿命分量分解,其中第三、四寿命分量分别对应β笼与超笼微环境状态.实验表明在无水常温条件下KCl不能自发地在NaY沸石中扩散,微量水对KCl在NaY沸石中扩散有非常明显的影响. 展开更多

关键词 正电子湮没谱学 氯化钾 沸石 扩散

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正电子淹没寿命谱在聚苯乙烯中的应用

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作者 林榕 Corine Bas 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期61-62,80,共3页

采用自由基聚合方法合成了3个不同分子量的聚苯乙烯,进而用正电子淹没寿命谱(PALS)对这3个样品的拾获淹没寿命τ3及其淹没强度I3进行了研究。实验结果表明,常温下聚苯乙烯的拾获淹没寿命τ3对分子量没有依赖性,但分子量及极性基团对其... 采用自由基聚合方法合成了3个不同分子量的聚苯乙烯,进而用正电子淹没寿命谱(PALS)对这3个样品的拾获淹没寿命τ3及其淹没强度I3进行了研究。实验结果表明,常温下聚苯乙烯的拾获淹没寿命τ3对分子量没有依赖性,但分子量及极性基团对其淹没强度I3有着显著的影响。 展开更多

关键词 正电子湮没寿命谱 聚苯乙烯 辐射损伤

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纳米Cu固体材料的X射线衍射与正电子湮没研究 被引量：7

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作者 楚广 罗江山 +3 位作者 刘伟 唐永建 雷海乐 杨世源 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期160-164,共5页

采用自悬浮-冷压法,在不同压力下制得纳米Cu固体材料并对其在不同温度和保温时间下进行退火,利用X射线衍射(XRD)和正电子湮没寿命谱(PAS)分析对材料的结构和微观缺陷进行了表征。XRD分析表明,压制而得的样品晶粒度为20 nm,低于300℃退火... 采用自悬浮-冷压法,在不同压力下制得纳米Cu固体材料并对其在不同温度和保温时间下进行退火,利用X射线衍射(XRD)和正电子湮没寿命谱(PAS)分析对材料的结构和微观缺陷进行了表征。XRD分析表明,压制而得的样品晶粒度为20 nm,低于300℃退火3 h后并未发现晶粒显著长大;PAS分析表明,压制后的样品缺陷主要为单空位和空位团,大空隙很少,随着退火温度的升高和退火时间的延长,单空位通过扩散结合成空位团,大空隙也在温度较高时分解为空位团,导致空位团的含量增加,而单空位和大空隙的含量降低。 展开更多

关键词 自悬浮-冷压法 纳米Cu X射线衍射(XRD) 正电子湮没谱(PAS)ICF靶材料

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La_(0.67)Sr_(0.33)Mn_(1-x)Fe_xO_3体系的正电子湮没研究 被引量：4

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作者 张星 郝艳玲 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期80-84,共5页

采用固相反应方法制备了名义成分为La0.67Sr0.33Mn1-xFexO3(0x0.2)的系列样品.利用X射线衍射、激光拉曼、正电子湮灭等实验手段并结合输运测量,对该系列样品进行了研究.结果表明,各样品均为正交钙钛矿结构;随着掺杂量的增加,样品的电阻... 采用固相反应方法制备了名义成分为La0.67Sr0.33Mn1-xFexO3(0x0.2)的系列样品.利用X射线衍射、激光拉曼、正电子湮灭等实验手段并结合输运测量,对该系列样品进行了研究.结果表明,各样品均为正交钙钛矿结构;随着掺杂量的增加,样品的电阻率ρ急剧变大,绝缘体-金属转变峰随着掺杂浓度x的增加,峰值对应温度向低温区移动,这是由于样品内部晶体结构的变化所导致的.掺杂样品中缺陷及电子结构的变化与掺杂浓度密切相关,这主要是由于样品中的Mn3+被Fe3+所替代,部分Mn3+-O2-Mn4+铁磁双交换作用键被打断,样品中的铁磁与反铁磁作用的相互竞争以及样品内部电子局域化所形成的极化行为等因素的影响所导致的. 展开更多

关键词 正电子湮没 寿命谱 CMR

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正电子湮没技术在聚合物中的应用 被引量：1

19

作者 姚献东 赵益汝 +3 位作者 季根忠 孙旭东 王天民 齐陈泽 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期39-42,共4页

介绍正电子湮没技术的实验方法、谱图解析方法,概述近几年该技术在聚合物领域的应用和研究进展。实验结果证明,正电子湮没技术是一种先进的材料微观结构—自由体积的探测和表征技术。同时,提出该技术在聚合物研究中使用测量参数o—ps强... 介绍正电子湮没技术的实验方法、谱图解析方法,概述近几年该技术在聚合物领域的应用和研究进展。实验结果证明,正电子湮没技术是一种先进的材料微观结构—自由体积的探测和表征技术。同时,提出该技术在聚合物研究中使用测量参数o—ps强度I_3计算自由体积分数所存在的问题。 展开更多

关键词 正电子湮没寿命谱 正电子素 自由体积 聚合物

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正电子湮没技术在高分子薄膜研究中的应用 被引量：1

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作者 孙旭东 曾敏峰 +3 位作者 鲍高强 郑厚天 刘维民 齐陈泽 《膜科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期77-80,87,共5页

介绍了正电子湮没技术在高分子薄膜研究中的最新进展.常规的正电子湮没技术和慢正电子湮没技术,可以准确地探测高分子薄膜微观缺陷(自由体积)尺寸、分数、浓度、深度分布,该测试技术将在研究各种高分子薄膜的微结构-性能关系、表面效应... 介绍了正电子湮没技术在高分子薄膜研究中的最新进展.常规的正电子湮没技术和慢正电子湮没技术,可以准确地探测高分子薄膜微观缺陷(自由体积)尺寸、分数、浓度、深度分布,该测试技术将在研究各种高分子薄膜的微结构-性能关系、表面效应、界面效应等方面发挥积极的作用. 展开更多

关键词 正电子湮没寿命谱 正电子素 自由体积 高分子膜

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