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变温下油脂自由体积和晶型结构演化的正电子湮没寿命研究
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作者 段会 张鹏 +7 位作者 刘福雁 于啸天 况鹏 张玉包 张仁刚 于润升 曹兴忠 王宝义 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1651-1657,共7页
甘油三酯具有独特的同质多晶现象,其结晶和熔化特性对油脂产品性能及工业应用至关重要。利用正电子湮没寿命谱(PALS)可在原子尺度对结晶态甘油三酯的微观结构变化进行特征化描述。当正电子进入分子材料时,会与周围的电子形成电子偶素(电... 甘油三酯具有独特的同质多晶现象,其结晶和熔化特性对油脂产品性能及工业应用至关重要。利用正电子湮没寿命谱(PALS)可在原子尺度对结晶态甘油三酯的微观结构变化进行特征化描述。当正电子进入分子材料时,会与周围的电子形成电子偶素(电子-正电子的束缚态),其寿命反映了材料中空洞(自由体积)的大小。该文使用PALS首次研究了5种饱和脂肪酸甘油三酯的多晶性和晶型转变过程,包括甘油三月桂酸酯、甘油三肉豆蔻酸酯、三棕榈酸甘油酯、三硬脂酸甘油酯、花生酸甘油三酯。正电子数据和由其他表征手段得到的晶型变化规律很好符合。用正电子观察到更长分子链甘油三酯固相收缩成更稳定的晶型时有空洞形成,以及α晶在固-固转化过程中形成了2种β晶形态。 展开更多
关键词 甘油三酯 正电子湮没寿命 同质多晶 电子偶素
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正电子湮没寿命谱技术应用于聚合物微观结构研究的进展 被引量:8
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作者 廖霞 张琼文 +3 位作者 何汀 安竹 杨其 李光宪 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期198-204,共7页
聚合物的晶区堆砌密度、无定形区自由体积的尺寸和数量、晶区-非晶区的界面等微观结构,对其宏观性能,如渗透性能、力学性能、松弛行为等有重要影响。正电子湮没寿命谱技术是一种强有力的微观结构探测与表征技术,能够灵敏有效地探测聚合... 聚合物的晶区堆砌密度、无定形区自由体积的尺寸和数量、晶区-非晶区的界面等微观结构,对其宏观性能,如渗透性能、力学性能、松弛行为等有重要影响。正电子湮没寿命谱技术是一种强有力的微观结构探测与表征技术,能够灵敏有效地探测聚合物的晶区堆砌密度、无定形区自由体积以及两相界面等信息,从而提供了一种直接、简单的研究聚合物微观结构的途径。文中介绍了该技术的基本原理和应用理论,综述了该技术在聚合物研究领域的应用,如:聚合物本征特性与自由体积之间的关系,应力、辐照、外界压力、物理老化等外界因素对聚合物微观结构的影响,以及聚合物共混物、复合材料的相容性和界面特性等。最后总结了正电子湮没寿命谱技术在聚合物微观结构研究中存在的问题。 展开更多
关键词 正电子湮没寿命 聚合物 自由体积 微观结构
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纳米TiO_2粉晶的正电子湮没寿命谱研究 被引量:4
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作者 尹荔松 危韧勇 +1 位作者 周歧发 张进修 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期299-300,共2页
用溶胶 -凝胶法 (sol -gel)制备了纳米TiO2 微粉。应用正电子湮没寿命谱 (PAT)研究了纳米TiO2 的界面结构。PAT研究表明 ,sol-gel法制备的纳米TiO2 微粉中只存在两类缺陷 ,即与短寿命成分τ1对应的单空位尺寸的自由体积缺陷 ,以及与中... 用溶胶 -凝胶法 (sol -gel)制备了纳米TiO2 微粉。应用正电子湮没寿命谱 (PAT)研究了纳米TiO2 的界面结构。PAT研究表明 ,sol-gel法制备的纳米TiO2 微粉中只存在两类缺陷 ,即与短寿命成分τ1对应的单空位尺寸的自由体积缺陷 ,以及与中等寿命成分τ2 对应的微孔洞缺陷。其缺陷数目及浓度随着粒子尺寸的改变有着显著的改变 ,表现出尺寸效应。 展开更多
关键词 纳米微粉 正电子湮没寿命 纳米TiO2粉晶
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用正电子湮没寿命谱研究热处理对TATB基高聚物粘结炸药微结构的影响 被引量:3
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作者 李敬明 田勇 +1 位作者 郝小鹏 王宝义 《含能材料》 EI CAS CSCD 2005年第6期378-381,共4页
用正电子湮没寿命谱仪测试了TATB基高聚物粘结炸药在热处理前后的正电子湮没寿命谱,并就热处理对其内部微结构的影响进行了探讨和分析。结果表明:正电子在TATB基PBX中的湮没模式主要为自由态湮没和捕获态湮没,热处理后其内部微孔隙的数... 用正电子湮没寿命谱仪测试了TATB基高聚物粘结炸药在热处理前后的正电子湮没寿命谱,并就热处理对其内部微结构的影响进行了探讨和分析。结果表明:正电子在TATB基PBX中的湮没模式主要为自由态湮没和捕获态湮没,热处理后其内部微孔隙的数量明显减少,但孔隙的平均尺寸却出现了一定程度的增大。 展开更多
关键词 物理化学 高聚物粘结炸药(PBX) 热处理 正电子湮没寿命 微孔隙
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LaCl_3:Ce^(3+)闪烁体正电子湮没寿命谱仪 被引量:2
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作者 高鑫 白雪宁 +1 位作者 陈宜保 何元金 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期243-245,249,共4页
对国内最新研制出的LaCl3:Ce3+闪烁晶体时间特性进行了测试,用该种晶体尝试组建了正电子湮没寿命谱仪,时间分辨率达到了350ps。由于LaCl3:Ce3+探头在具有快速时间响应特性的同时还具有较高的能量分辨率,用该探头组建正电子湮没寿命谱仪... 对国内最新研制出的LaCl3:Ce3+闪烁晶体时间特性进行了测试,用该种晶体尝试组建了正电子湮没寿命谱仪,时间分辨率达到了350ps。由于LaCl3:Ce3+探头在具有快速时间响应特性的同时还具有较高的能量分辨率,用该探头组建正电子湮没寿命谱仪将具有许多潜在的优势。 展开更多
关键词 LaCl3:Ce^3+闪烁体 正电子湮没寿命谱仪 能量分辨率 时间分辨率
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手性丙烯酸酯侧链液晶共聚物的正电子湮没寿命谱研究 被引量:1
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作者 何流 张树范 +3 位作者 漆宗能 王佛松 魏龙 王文华 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期104-106,共3页
用正电子湮没寿命谱研究了手性丙烯酸酯侧链液晶共聚物分子主链与介晶基元侧链的运动行为及相互作用。结果表明,侧链液晶基元的取向随磁场强度增加而增加,当磁场强度达到一定值后则趋于恒定。侧链介晶基元受磁场的诱导取向对分子主链... 用正电子湮没寿命谱研究了手性丙烯酸酯侧链液晶共聚物分子主链与介晶基元侧链的运动行为及相互作用。结果表明,侧链液晶基元的取向随磁场强度增加而增加,当磁场强度达到一定值后则趋于恒定。侧链介晶基元受磁场的诱导取向对分子主链运动的影响为非线性效应。 展开更多
关键词 正电子湮没寿命 侧链液晶共聚物 丙烯酸酯 手性
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TATB基PBX纳米孔隙的正电子湮没寿命谱 被引量:1
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作者 杨仍才 田勇 +1 位作者 张伟斌 杜宇 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期200-203,共4页
为研究压制参数对TATB基高聚物粘结炸药(PB X)微观结构的影响,压制了密度为1.6~1.9 g·cm-3的PBX,采用了正电子湮没寿命谱(PALS)技术表征了其微观结构,讨论了不同压制密度PBX的纳米孔隙的变化。结果显示:压制密度越大,PBX中纳... 为研究压制参数对TATB基高聚物粘结炸药(PB X)微观结构的影响,压制了密度为1.6~1.9 g·cm-3的PBX,采用了正电子湮没寿命谱(PALS)技术表征了其微观结构,讨论了不同压制密度PBX的纳米孔隙的变化。结果显示:压制密度越大,PBX中纳米孔隙浓度越小,平均尺寸越大,这表明压制过程中,PBX界面孔隙不断减小,TATB晶体内部孔隙却不断增大。 展开更多
关键词 高能物理学 TATB基PBX 压制 纳米孔隙 正电子湮没寿命
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基于正电子湮没寿命谱研究Fe-6.5wt.%Si合金中热空位的生成 被引量:2
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作者 韦晓 王艳丽 +5 位作者 梁永锋 叶丰 林均品 陈国良 李卓昕 王宝义 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期143-146,共4页
正电子湮没技术(PAT)是一种无损伤的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度或电子动量分布的信息.由于正电子对原子尺度的缺陷非常敏感,所以正电子湮没技术(PAT)是研究纯金属及金属间化合物中热空位生成的有效工具.基于正电子寿... 正电子湮没技术(PAT)是一种无损伤的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度或电子动量分布的信息.由于正电子对原子尺度的缺陷非常敏感,所以正电子湮没技术(PAT)是研究纯金属及金属间化合物中热空位生成的有效工具.基于正电子寿命谱技术对金属间化合物Fe-6.5wt.%Si合金热轧板在不同温度退火后缺陷变化进行研究,发现了正电子平均寿命在673K左右迅速增加,673至1073K温度范围内平均正电子寿命的温度曲线为明显的S形状,1073K以上平均正电子寿命趋于常数,通过分析正电子平均寿命的温度变化曲线,得到了Fe-6.5wt.%Si合金中热空位生成的临界温度值,并计算得到了该合金的空位生成激活焓为HVF=0.54eV. 展开更多
关键词 Fe-6.5wt.%Si合金 正电子湮没寿命 空位生成激活焓
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用于正电子湮没寿命谱仪的探测器
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《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期390-390,共1页
一种用于正电子湮没寿命谱仪的探测器,该正电子湮没寿命谱仪包括起始道探测器和停止道探测器,与常规的正电子寿命谱仪起始道与停止道采用相同的探测器不同,本探测器采用了与起始道探测器不同的停止道探测器,在停止道探测器的闪烁体... 一种用于正电子湮没寿命谱仪的探测器,该正电子湮没寿命谱仪包括起始道探测器和停止道探测器,与常规的正电子寿命谱仪起始道与停止道采用相同的探测器不同,本探测器采用了与起始道探测器不同的停止道探测器,在停止道探测器的闪烁体中央,有一圆形井,放置测量样品与22^Na正电子放射源。 展开更多
关键词 正电子湮没寿命 探测器 谱仪 正电子寿命 起始 闪烁体 放射源
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正电子湮没技术在高分子薄膜研究中的应用 被引量:1
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作者 孙旭东 曾敏峰 +3 位作者 鲍高强 郑厚天 刘维民 齐陈泽 《膜科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期77-80,87,共5页
介绍了正电子湮没技术在高分子薄膜研究中的最新进展.常规的正电子湮没技术和慢正电子湮没技术,可以准确地探测高分子薄膜微观缺陷(自由体积)尺寸、分数、浓度、深度分布,该测试技术将在研究各种高分子薄膜的微结构-性能关系、表面效应... 介绍了正电子湮没技术在高分子薄膜研究中的最新进展.常规的正电子湮没技术和慢正电子湮没技术,可以准确地探测高分子薄膜微观缺陷(自由体积)尺寸、分数、浓度、深度分布,该测试技术将在研究各种高分子薄膜的微结构-性能关系、表面效应、界面效应等方面发挥积极的作用. 展开更多
关键词 正电子湮没寿命 正电子 自由体积 高分子膜
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正电子湮没技术在聚合物中的应用 被引量:1
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作者 姚献东 赵益汝 +3 位作者 季根忠 孙旭东 王天民 齐陈泽 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期39-42,共4页
介绍正电子湮没技术的实验方法、谱图解析方法,概述近几年该技术在聚合物领域的应用和研究进展。实验结果证明,正电子湮没技术是一种先进的材料微观结构—自由体积的探测和表征技术。同时,提出该技术在聚合物研究中使用测量参数o—ps强... 介绍正电子湮没技术的实验方法、谱图解析方法,概述近几年该技术在聚合物领域的应用和研究进展。实验结果证明,正电子湮没技术是一种先进的材料微观结构—自由体积的探测和表征技术。同时,提出该技术在聚合物研究中使用测量参数o—ps强度I_3计算自由体积分数所存在的问题。 展开更多
关键词 正电子湮没寿命 正电子 自由体积 聚合物
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用正电子湮没技术研究新锆合金包壳的离子辐照效应
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作者 焦学胜 范平 +7 位作者 张乔丽 白若玉 温阿丽 马海亮 孔淑妍 夏海鸿 袁大庆 朱升云 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期2028-2032,共5页
国产Zr-Sn-Nb系新锆合金SZA-4和SZA-6是CAP1400大型先进压水堆包壳材料的主要候选材料,对其辐照性能的研究可为制备工艺改进提供科学依据。在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器辐照终端,在300℃温度下,用100MeV的Fe束流对两种新锆合... 国产Zr-Sn-Nb系新锆合金SZA-4和SZA-6是CAP1400大型先进压水堆包壳材料的主要候选材料,对其辐照性能的研究可为制备工艺改进提供科学依据。在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器辐照终端,在300℃温度下,用100MeV的Fe束流对两种新锆合金包壳管材进行5dpa剂量辐照。辐照前后的正电子湮没寿命测量表明:两种样品辐照前湮没寿命为Zr中单空位寿命,表明管材制备过程中最后的退火温度和时间尚未完全消除加工引入的缺陷;两种样品辐照后的正电子湮没寿命减小,分析表明这是由于辐照导致Fe在锆合金中重新分布,主要分布在bcc结构的β-Nb沉淀相颗粒与hcp结构的α-Zr基体之间具有开空间的相界,正电子被相界捕获,与周围Fe原子电子湮没,造成湮没寿命减小。 展开更多
关键词 锆合金 辐照效应 正电子湮没寿命 重离子辐照
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非晶Fe_(52)Co_(34)Hf_7B_6Cu_1在中频磁脉冲处理下的正电子湮没研究
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作者 金莹 晁月盛 +1 位作者 张艳华 王莉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期102-104,108,共4页
对Fe52Co34Hf7B6Cu1非晶试样进行了中频磁脉冲处理,脉冲磁场频率、作用时间保持恒定:1 500Hz、10min,脉冲磁场强度分别为15.92,19.9和23.88kA/m。用穆斯堡尔谱(MS)和正电子湮没寿命谱(PAS)方法研究了该试样在中频磁脉冲处理前后的结构... 对Fe52Co34Hf7B6Cu1非晶试样进行了中频磁脉冲处理,脉冲磁场频率、作用时间保持恒定:1 500Hz、10min,脉冲磁场强度分别为15.92,19.9和23.88kA/m。用穆斯堡尔谱(MS)和正电子湮没寿命谱(PAS)方法研究了该试样在中频磁脉冲处理前后的结构及结构缺陷变化。结果表明,在非晶合金的制备态,正电子主要在自由体积中湮没,经中频磁脉冲处理后,非晶合金发生不可逆的结构弛豫,导致湮没寿命τ1下降。随着脉冲磁场强度的增加,非晶合金发生晶化,产生新的正电子俘获中心,导致强度I2急剧增加,I1急剧降低。 展开更多
关键词 Fe52Co34Hf7B6Cu1非晶合金 中频磁脉冲 正电子湮没寿命 结构缺陷
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正电子淹没寿命谱在聚苯乙烯中的应用
14
作者 林榕 Corine Bas 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期61-62,80,共3页
采用自由基聚合方法合成了3个不同分子量的聚苯乙烯,进而用正电子淹没寿命谱(PALS)对这3个样品的拾获淹没寿命τ3及其淹没强度I3进行了研究。实验结果表明,常温下聚苯乙烯的拾获淹没寿命τ3对分子量没有依赖性,但分子量及极性基团对其... 采用自由基聚合方法合成了3个不同分子量的聚苯乙烯,进而用正电子淹没寿命谱(PALS)对这3个样品的拾获淹没寿命τ3及其淹没强度I3进行了研究。实验结果表明,常温下聚苯乙烯的拾获淹没寿命τ3对分子量没有依赖性,但分子量及极性基团对其淹没强度I3有着显著的影响。 展开更多
关键词 正电子湮没寿命 聚苯乙烯 辐射损伤
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聚酯聚氨酯透气性的正电子研究 被引量:1
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作者 王志奋 祁宁 +2 位作者 王波 丁雪梅 胡金莲 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1953-1957,共5页
用正电子湮没寿命谱 ( PALS)研究了温度和 PEG含量对以聚己二酸丁二醇酯 ( PBA)为软段的聚酯聚氨酯的自由体积特性和透气性的影响 .实验结果表明 ,自由体积空洞的体积随着温度的升高而增加 ,分布变宽 ,导致透气性增大 .不同 PEG含量的... 用正电子湮没寿命谱 ( PALS)研究了温度和 PEG含量对以聚己二酸丁二醇酯 ( PBA)为软段的聚酯聚氨酯的自由体积特性和透气性的影响 .实验结果表明 ,自由体积空洞的体积随着温度的升高而增加 ,分布变宽 ,导致透气性增大 .不同 PEG含量的聚酯聚氨酯 PBA-1 0 ,PBA-1 5和 PBA-2 0的水汽渗透系数 ( WVP)基本相同 .结果表明 ,在这类聚氨酯中 ,影响透气性的主要因素不仅是自由体积 。 展开更多
关键词 聚酯聚氨酯 透气性 正电子湮没寿命 自由体积 嵌段聚合物 聚己二酸丁二醇酯
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金属缺陷的正电子技术与密度泛函理论
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作者 黄素梅 张端明 《广西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1992年第4期40-43,共4页
本文以密度泛函理论为基础,利用简化的胶体模型,在局域密度近似下,系统地研究了金属中点缺陷和类点缺陷的电子结构,以及以正电子寿命为表征的缺陷谱,以AL为样品,计算了单空位和2,4,6,8,13,27空位的电子结构和正电子寿命,并探讨了理论计... 本文以密度泛函理论为基础,利用简化的胶体模型,在局域密度近似下,系统地研究了金属中点缺陷和类点缺陷的电子结构,以及以正电子寿命为表征的缺陷谱,以AL为样品,计算了单空位和2,4,6,8,13,27空位的电子结构和正电子寿命,并探讨了理论计算结果对研究固体电子结构和正电子湮没实验的实用价值。 展开更多
关键词 正电子湮没寿命 密度泛函理论 胶体模型
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纳米ZnO/环氧树脂复合材料的力学性能和摩擦学性能 被引量:26
17
作者 胡幼华 高辉 +2 位作者 阎逢元 刘维民 齐陈泽 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期216-220,共5页
在超声波作用下,利用偶联剂将ZnO纳米微粒同环氧树脂进行复合,制备了纳米ZnO/环氧树脂复合材料,用M-2000型摩擦磨损试验机评价了复合材料在干摩擦条件下同不锈钢对摩时的摩擦学性能,测定了复合材料的力学性能,并用正电子湮没寿命技术(PA... 在超声波作用下,利用偶联剂将ZnO纳米微粒同环氧树脂进行复合,制备了纳米ZnO/环氧树脂复合材料,用M-2000型摩擦磨损试验机评价了复合材料在干摩擦条件下同不锈钢对摩时的摩擦学性能,测定了复合材料的力学性能,并用正电子湮没寿命技术(PALT)分析了试样的微观结构.结果表明:纳米ZnO/环氧树脂复合材料的耐磨性优于环氧树脂;当纳米ZnO的质量分数为10%时,复合材料的磨损率最小,仅为环氧树脂的15%,且摩擦系数也有所降低;摩擦后复合材料试样的自由体积孔穴尺寸有所增大,而且随着ZnO含量的增加,自由体积孔穴尺寸呈增大趋势. 展开更多
关键词 环氧树脂 纳米ZNO 正电子湮没寿命技术 复合材料 摩擦学性能 力学性能
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反渗透膜孔径测量方法概述及展望 被引量:2
18
作者 吴非洋 宋杰 +3 位作者 于慧 张梦 李强 潘献辉 《膜科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期132-136,共5页
在查阅分析国内外相关文献资料的基础上,从测量原理、测量范围、发展状况等方面介绍了BET法、模型计算法、正电子湮没寿命谱法等反渗透膜孔径的测量方法,并对上述测试方法的优缺点进行评述,分析了反渗透膜孔径测量技术的发展方向.
关键词 反渗透膜 孔径 BET法 模型计算法 正电子湮没寿命谱法
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掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究 被引量:1
19
作者 梁玲 顾牡 +2 位作者 段勇 马晓辉 刘峰松 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期76-80,共5页
通过透射谱、X射线激发发射谱 (XSL)的测试 ,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)实验手段 ,对掺钇钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究。实验表明 ,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体... 通过透射谱、X射线激发发射谱 (XSL)的测试 ,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能 ,并利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)实验手段 ,对掺钇钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究。实验表明 ,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体的发光快成分比例 ,并使得晶体中的正电子俘获中心浓度下降 ,低价氧浓度下降。提出掺钇钨酸铅晶体中钇的掺杂主要以Y3 + 占据VPb的形式存在。Y3 + 占据VPb可能是钨酸铅晶体吸收边得到改善的原因 ,而由于晶体内低价氧浓度的减少 ,作为绿光发光中心的 (WO3 +O-)基团的减少可能会使发光快成分比例有所增加。 展开更多
关键词 发光性能 掺钇 钨酸铅晶体 微观缺陷 正电子湮没寿命 X光电子能谱
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不同化学配比钨酸铅晶体缺陷的研究 被引量:1
20
作者 梁玲 顾牡 +1 位作者 段勇 马晓辉 《同济大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1026-1029,共4页
利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)的测试手段 ,对不同化学配比钨酸铅晶体中缺陷进行研究 ,结果表明丰W样品增加晶体中铅空位 (VPb)浓度 (物质的量比 )、而丰Pb样品则减少晶体中VPb浓度 .这一结论对大尺寸钨酸铅晶体生长... 利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X光电子能谱 (XPS)的测试手段 ,对不同化学配比钨酸铅晶体中缺陷进行研究 ,结果表明丰W样品增加晶体中铅空位 (VPb)浓度 (物质的量比 )、而丰Pb样品则减少晶体中VPb浓度 .这一结论对大尺寸钨酸铅晶体生长过程中关于温度梯度、生长速度和加温制度的有效选取具有一定的参考作用 .并结合发射谱的测试 ,提出钨酸铅晶体中的绿发光很可能产生于由VPb引起的WO3+O- . 展开更多
关键词 化学配比 晶体缺陷 钨酸铅晶体 发射光谱 正电子湮没寿命 X光电子能谱 发光性能 发光机理
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