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超深亚微米P^+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究
被引量：
4
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作者
郝跃
韩晓亮
刘红侠
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第z1期2063-2065,共3页
本文深入研究了P+ 栅PMOSFET中的NBTI效应 ,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化 ,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制 :即由水分子参与的Si SiO2 界面处的电化学反应 .
关键词
NBTI效应
PMOSFET
界面态
正氧化层固定电荷
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职称材料
题名
超深亚微米P^+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究
被引量：
4
1
作者
郝跃
韩晓亮
刘红侠
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第z1期2063-2065,共3页
基金
国家 8 63高科技VLSI重大专项基金
国家自然科学基金
文摘
本文深入研究了P+ 栅PMOSFET中的NBTI效应 ,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化 ,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制 :即由水分子参与的Si SiO2 界面处的电化学反应 .
关键词
NBTI效应
PMOSFET
界面态
正氧化层固定电荷
Keywords
NBTI effects
PMOSFET
interface trap
fixed oxide positive charge
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超深亚微米P^+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究
郝跃
韩晓亮
刘红侠
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
4
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