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超临界二氧化碳体系中正八面体氧化钴颗粒的生长及其表征(英文) 被引量:3
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作者 杨俊松 陈乾旺 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第3期439-445,共7页
研究了正八面体氧化钴颗粒在超临界二氧化碳体系中的合成过程。在密闭的不锈钢高压反应釜中,1.0g乙酸钴和12.0g干冰在450℃下,反应12h后合成粒径大约10μm的正八面体氧化钴颗粒。通过XRD、XPS、TEM、SEM以及拉曼光谱的分析,氧化钴颗粒... 研究了正八面体氧化钴颗粒在超临界二氧化碳体系中的合成过程。在密闭的不锈钢高压反应釜中,1.0g乙酸钴和12.0g干冰在450℃下,反应12h后合成粒径大约10μm的正八面体氧化钴颗粒。通过XRD、XPS、TEM、SEM以及拉曼光谱的分析,氧化钴颗粒是由八个{111}面包裹着的正八面体单晶组成。条件实验显示,超临界二氧化碳体系是正八面体氧化钴颗粒合成的充分条件。其生长机理可能是:乙酸钴在超临界二氧化碳体系中的热分解;氧化钴的结晶和定向缓慢生长。在性能方面,初步研究了正八面体氧化钴颗粒在作为锂离子电池电极材料的应用。 展开更多
关键词 超临界二氧化 正八面体氧化钴
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