宽带微波单片正交混频器的设计 被引量：3

1

作者 罗光 徐锐敏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2016年第S1期287-290,共4页

本文采用WIN 0.15um GaAs PHEMT工艺设计了一款6~10GHz的微波无源单片集成正交混频器。由于在本振端和射频端都采用了螺旋型的Marehand巴伦结构,从而使芯片面积得到了极大的改善,芯片的总面积为1.5mm×1.15mm。在所要求的频率范围之... 本文采用WIN 0.15um GaAs PHEMT工艺设计了一款6~10GHz的微波无源单片集成正交混频器。由于在本振端和射频端都采用了螺旋型的Marehand巴伦结构,从而使芯片面积得到了极大的改善,芯片的总面积为1.5mm×1.15mm。在所要求的频率范围之内,ADS仿真结果表明:变频损耗小于10d B,典型值为7d B;镜频抑制大于25d B,典型值是35d B;LO到RF的隔离度大于40d B,本振到中频的隔离度大于20d B,射频到中频的隔离度大于30d B。 展开更多

关键词 正交混频器 镜频抑制 变频损耗 单片微波集成电路

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6～18GHz宽带正交混频器 被引量：1

2

作者 黄存根 《电子信息对抗技术》 2008年第2期66-69,共4页

介绍了一种6～18GHz小型化正交混频器。该正交混频器在所要求的频率范围内达到以下性能指标：变频损耗优于10dB，典型值8dB；镜像抑制度优于18dB，典型值25dB；LO到RF、RF到IF的隔离优于25dB，LO到IF的隔离优于20dB，典型值均为30dB。... 介绍了一种6～18GHz小型化正交混频器。该正交混频器在所要求的频率范围内达到以下性能指标：变频损耗优于10dB，典型值8dB；镜像抑制度优于18dB，典型值25dB；LO到RF、RF到IF的隔离优于25dB，LO到IF的隔离优于20dB，典型值均为30dB。同时，测试结果表明该混频器具有良好的可靠性和一致性。 展开更多

关键词 正交混频器 变频损耗 镜像抑制 隔离

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宽频带正交混频器设计 被引量：2

3

作者 张凤梅 王福生 冯来 《遥测遥控》 2011年第3期59-63,共5页

对宽带正交混频器进行研究和分析,设计实现一款C频段宽带正交混频器,并对其主要技术指标进行测试。该宽带正交混频器用于上变频时,变频插损小于13dB,镜频抑制大于15dB,本振抑制大于14dB;用于下变频时,输出中频基带I、Q信号500MHz带内,... 对宽带正交混频器进行研究和分析,设计实现一款C频段宽带正交混频器,并对其主要技术指标进行测试。该宽带正交混频器用于上变频时,变频插损小于13dB,镜频抑制大于15dB,本振抑制大于14dB;用于下变频时,输出中频基带I、Q信号500MHz带内,平坦度小于3dB,I、Q相位正交一致性良好,小于5°。 展开更多

关键词 混频器 零中频技术 正交混频器

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用于802.11a的5.5GHz低噪声正交混频器的设计

4

作者 薛茹燕 《信息技术》 2007年第6期64-66,共3页

设计了一种新的工作在5.5GHz的低噪声正交混频器。为了减少传统Gilbert正交混频器中的噪声,使用了一个电感来抵消寄生电容对于噪声系数的影响。经过仿真在1.8V电压下,当本振(LO)、射频(RF)和中频(IF)的频率分别为5.51GHz,5.5GHz和10MHz... 设计了一种新的工作在5.5GHz的低噪声正交混频器。为了减少传统Gilbert正交混频器中的噪声,使用了一个电感来抵消寄生电容对于噪声系数的影响。经过仿真在1.8V电压下,当本振(LO)、射频(RF)和中频(IF)的频率分别为5.51GHz,5.5GHz和10MHz的情况下,单边带噪声系数(SSB NF)可以低至8.33dB,三阶输入截至点(IIP3)为2.88dBm,功耗为14.4mW。 展开更多

关键词 Gilbert混频器 正交混频器 噪声系数

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低中频接收机中高线性度正交混频器设计

5

作者 郭栋 《中国集成电路》 2009年第3期31-35,共5页

本文首先以Gilbert单元为核心,利用折叠结构,设计了一种具有高线性度的CMOS单通道混频器。该混频器的输入射频信号设用了600MHz、输出中频为8MHz。接着本文应用这一混频器设计了低中频接收机中所需的双通道正交混频器。经仿真得到其在3... 本文首先以Gilbert单元为核心,利用折叠结构,设计了一种具有高线性度的CMOS单通道混频器。该混频器的输入射频信号设用了600MHz、输出中频为8MHz。接着本文应用这一混频器设计了低中频接收机中所需的双通道正交混频器。经仿真得到其在3.3V的电源电压下,转换增益为8.4dB,输入1dB压缩点和IIP3分别达到0dBm和10dBm,单边带噪声系数为16.8dB。 展开更多

关键词 低中频接收机 折叠Gilbert混频器 正交混频器

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NRD波导正交场平衡混频器准周期稳态响应分析

6

作者 马洪 李娜 漆兰芬 《微波学报》 CSCD 北大核心 2004年第2期29-34,共6页

详细研究了毫米波无辐射介质波导正交场单平衡混频器在双频信号激励下的准周期稳态响应。根据NRD波导的模式完备性与正交性原理 ,结合导线天线分析方法和矩量法 ,计算了这种混频器中的一个重要结构———交叉杆金属结构对本振LSE模和入... 详细研究了毫米波无辐射介质波导正交场单平衡混频器在双频信号激励下的准周期稳态响应。根据NRD波导的模式完备性与正交性原理 ,结合导线天线分析方法和矩量法 ,计算了这种混频器中的一个重要结构———交叉杆金属结构对本振LSE模和入射信号LSM模的扰动作用 ,得到了相应的本振感应电动势和入射信号感应电动势。在此基础上 ,使用基于多维傅立叶变换的交调波平衡法 。 展开更多

关键词 NRD波导 正交场平衡混频器 矩量法 准周期稳态响应 无辐射介质波导

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应用于ISM频段的高线性混频器的设计

7

作者 孙波 《电子科技》 2017年第6期63-65,72,共4页

设计了一种用于ISM频段的正交下变频混频器。在普通的吉尔伯特混频器的基础上,优化电路结构,采用共栅跨作为混频器的导级,同时混频器采用共跨导级正交结构,并利用动态电流注入技术减小噪声和提高混频器的增益。设计采用SMIC 0.18μm CMO... 设计了一种用于ISM频段的正交下变频混频器。在普通的吉尔伯特混频器的基础上,优化电路结构,采用共栅跨作为混频器的导级,同时混频器采用共跨导级正交结构,并利用动态电流注入技术减小噪声和提高混频器的增益。设计采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,1.8 V电压供电,仅消耗电流4 m A。仿真结果显示,混频器增益为10.16 d B,1 d B压缩点大约为0 d Bm,噪声系数为10.38 d B,电路性能参数满足预期要求。 展开更多

关键词 共栅级跨导 正交混频器 动态电流注入 线性度

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一种基于序列和反褶序列精密初相位计算的新型正弦频率测量方法 被引量：6

8

作者 李军 王越超 李锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期2370-2376,共7页

正弦频率是基本的正弦参数之一,高准确度的低频正弦频率测量技术有广泛的应用.但在低频正弦频率测量方面,目前的频率测量技术在谐波噪声干扰环境下,普遍存在准确度不高的问题.文章提出了一种主要由序列和反褶序列精密初相位计算方法等... 正弦频率是基本的正弦参数之一,高准确度的低频正弦频率测量技术有广泛的应用.但在低频正弦频率测量方面,目前的频率测量技术在谐波噪声干扰环境下,普遍存在准确度不高的问题.文章提出了一种主要由序列和反褶序列精密初相位计算方法等构成的新型正弦频率测量方法,分析了序列精密初相位计算和将正交混频用于序列相位计算的原理,指出了混频干扰是造成正弦相位计算和正弦频率测量误差的主要内在原因.通过对混频干扰频率的深度抑制,再通过计算序列和反褶序列精密初相位得到的序列全相位差,提高了谐波噪声干扰环境下的正弦相位计算和正弦频率测量的准确度.数学计算、仿真试验和物理实验结果也验证了该方法的正确性和可靠性. 展开更多

关键词 反褶序列 精密初相位 序列全相位差 正交混频器 混频干扰频率 数字滤波

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通信系统中数字上变频技术的研究与设计 被引量：7

9

作者 铁奎 张慷 凌云志 《电子设计工程》 2012年第15期190-192,共3页

为了将通信系统中数字基带信号调制到中频信号上,采用数字上变频技术,通过对数字I、Q两路基带信号进行FIR成形滤波、半带插值滤波、数字混频处理得到正交调制后的中频信号,最后经MATLAB仿真分析得到相应的时域和频域图,来验证电路设计... 为了将通信系统中数字基带信号调制到中频信号上,采用数字上变频技术,通过对数字I、Q两路基带信号进行FIR成形滤波、半带插值滤波、数字混频处理得到正交调制后的中频信号,最后经MATLAB仿真分析得到相应的时域和频域图,来验证电路设计的有效性。 展开更多

关键词 数字上变频 半带滤波器 数字本振 数字正交混频器

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无线传感器网络的2.4GHz低功耗低中频射频接收前端的设计 被引量：1

10

作者 张萌 李智群 沈董军 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期413-420,共8页

在0.18μm CMOS工艺下设计了一种用于无线传感器网络的具有低功耗、低中频特性的2.4GHz射频前端。该射频前端由一个共栅结构的可变增益低噪声放大器(VGLNA)和一个低功耗折叠正交吉尔伯特结构混频器构成,内部同时集成了一个给混频器提供I... 在0.18μm CMOS工艺下设计了一种用于无线传感器网络的具有低功耗、低中频特性的2.4GHz射频前端。该射频前端由一个共栅结构的可变增益低噪声放大器(VGLNA)和一个低功耗折叠正交吉尔伯特结构混频器构成,内部同时集成了一个给混频器提供IQ差分本振信号的二分频器以及一组缓冲器。其低噪声放大器具有高、低两个增益模式。为了弥补共栅低噪声放大器在增益和噪声等性能方面的不足,选取有一定增益的折叠吉尔伯特有源混频器结构。对共栅结构的低噪声放大器的设计过程、相关负载电感建模过程及混频器设计过程进行了详细分析,对整个射频前端芯片进行了测试,测试结果显示,射频前端核心电路在1.8V电源电压下工作电流为3.2mA,功耗为5.76mW;在高增益模式下,具有26dB的转化电压增益及8dB的噪声系数;在低增益模式下,输入1dB压缩点为-20dBm。 展开更多

关键词 射频前端 可变增益 低功耗 低噪声放大器(LNA) 折叠正交混频器 无线传感器网络(WSN)

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一种基于SiGe工艺的多功能下变频芯片的设计与实现 被引量：4

11

作者 鞠英 王正伟 +1 位作者 陈熙 何磊 《微波学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期59-63,共5页

随着射频收发组件小型化的要求越来越高,射频单片集成电路向小型化和多功能化方向发展。基于TSMC 0.35μm SiGe工艺成功研制了一款多功能下变频芯片。片上集成了正交(I/Q)混频器、有源巴伦、多相滤波器、输出缓冲器和LDO。通过对整个电... 随着射频收发组件小型化的要求越来越高,射频单片集成电路向小型化和多功能化方向发展。基于TSMC 0.35μm SiGe工艺成功研制了一款多功能下变频芯片。片上集成了正交(I/Q)混频器、有源巴伦、多相滤波器、输出缓冲器和LDO。通过对整个电路合理的版图设计,实现了芯片的小型化,芯片裸片尺寸仅为2.2 mm×1.5mm。测试结果表明,多功能下变频芯片射频和本振频率范围为900~1300 MHz,中频频率范围100~500 MHz,具有良好的正交宽中频输出特性,匹配良好;变频增益大于-1 dB,1 dB压缩输入功率可达到8 dBm,线性度良好;本振输入功率0 dBm,整个电路功耗为0.45 W。 展开更多

关键词 正交混频器 有源巴伦 多相滤波器 高线性度

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一种用于卫星通信的Ka频段直接调制器设计

12

作者 王冬冬 刘德喜 +1 位作者 何彩分 沈鹏 《遥测遥控》 2014年第6期24-28,共5页

分析直接调制技术的优点,阐述其原理和指标。在此基础上设计一种基于谐波混频方式实现的Ka频段直接调制器,并对实物进行测试验证。实测结果表明,直接调制器的性能指标均满足工程要求,可直接应用于卫星通信系统中。

关键词 KA频段 直接调制 正交混频器 QPSK调制 8PSK调制

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