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用于GaN CMOS集成技术的p型GaN欧姆接触研究
1
作者 潘传奇 王登贵 +5 位作者 周建军 胡壮壮 严张哲 郁鑫鑫 李忠辉 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第3期196-200,251,共6页
通过金属叠层结构、蒸发-合金工艺条件的优化调整,实现了低接触电阻率、高稳定的p型GaN欧姆接触技术,并研究分析了电极金属在合金过程中的扩散行为。测试结果显示,改进后的p型GaN欧姆接触电阻为11.9Ω·mm,比导通电阻率为3.9×1... 通过金属叠层结构、蒸发-合金工艺条件的优化调整,实现了低接触电阻率、高稳定的p型GaN欧姆接触技术,并研究分析了电极金属在合金过程中的扩散行为。测试结果显示,改进后的p型GaN欧姆接触电阻为11.9Ω·mm,比导通电阻率为3.9×10^(-5)Ω·cm^(2),同时在250℃以内的高温环境中欧姆特性不会发生退化。在此基础上,采用低损伤凹槽栅刻蚀、叠层栅介质沉积等工艺研制出增强型p沟道GaN晶体管器件,器件的阈值电压为-1.2 V(V_(GS)=VDS,IDS=10μA/mm),漏极电流密度为-5.6 mA/mm,导通电阻为665Ω·mm(V_(GS)=-8 V,V_(DS)=-2 V)。优异的p型GaN欧姆接触技术为高性能GaN p沟道器件的研制以及GaN CMOS集成技术的小型化、智能化、高速化发展奠定了重要基础。 展开更多
关键词 GaN CMOS P型GAN p沟道器件 欧姆接触 低接触电阻
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重掺杂p型SiC晶片Ni/Al欧姆接触特性
2
作者 杨磊 程佳辉 +3 位作者 杨蕾 张泽盛 龚春生 简基康 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期417-424,共8页
系统研究了Al和Ni/Al两种金属体系在重掺杂p型SiC晶片上的欧姆接触特性和电学性质。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和综合物性测量系统对这两种电极表面的微观结构和样品的电学性质进行了表征。结果表明:在真空环境下经过800℃退火后Al... 系统研究了Al和Ni/Al两种金属体系在重掺杂p型SiC晶片上的欧姆接触特性和电学性质。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和综合物性测量系统对这两种电极表面的微观结构和样品的电学性质进行了表征。结果表明:在真空环境下经过800℃退火后Al电极可呈现出欧姆接触行为,其比接触电阻率为1.98×10^(-3)Ω·cm^(2),退火处理后Al电极与SiC在接触界面形成化合物Al_(4)C_(3),有助于提高接触界面稳定性。在Ni/Al复合体系中,当Ni金属层厚度为50 nm时,其比接触电阻率显著降低至4.013×10^(-4)Ω·cm^(2)。退火后Ni与SiC在接触界面生成的Ni_(2)Si有利于欧姆接触的形成和降低比接触电阻率。研究结果可为开发液相法生长的p型SiC晶片电子器件提供参考。 展开更多
关键词 p型SiC Ni/Al 欧姆接触 重掺杂 液相法
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p型InGaAs薄层半导体欧姆接触特性分析
3
作者 宋红伟 宋洁晶 秦龙 《微纳电子技术》 CAS 2024年第6期62-67,共6页
从电流在金属和半导体界面的拥堵效应出发,依据圆形传输线模型(CTLM)推导出适用于金属和薄层半导体间欧姆接触电阻率的表达式。利用四探针电阻测量法、高导电性下小电流密度测试法以及对薄膜电阻和传输线长度采用非线性拟合的方法获得... 从电流在金属和半导体界面的拥堵效应出发,依据圆形传输线模型(CTLM)推导出适用于金属和薄层半导体间欧姆接触电阻率的表达式。利用四探针电阻测量法、高导电性下小电流密度测试法以及对薄膜电阻和传输线长度采用非线性拟合的方法获得薄层半导体与金属之间高精度的欧姆接触电阻和电阻率测试结果。研究了Zn掺杂浓度和合金温度对p型InGaAs薄层半导体欧姆接触特性的影响。研究发现:在相同合金温度下,掺杂浓度为1.94×10^(19)cm^(-3)时,样品的欧姆接触电阻率小于掺杂浓度为1.52×10^(19)cm^(-3)的样品,即提高p型InGaAs薄层半导体Zn掺杂浓度有利于半导体和金属Ti/Pt/Au形成良好的欧姆接触;相同Zn掺杂浓度的p型InGaAs薄层半导体,在经过光刻、等离子体去胶、湿法腐蚀等前道工艺后,合金温度为410℃的样品欧姆接触电阻率小于合金温度为380℃的样品,即可通过提高合金温度改善半导体与金属之间的欧姆接触特性。 展开更多
关键词 欧姆接触特性 薄层半导体 掺杂浓度 合金温度
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SiC激光退火欧姆接触模拟分析及实验研究
4
作者 邹东阳 李果 +3 位作者 李延锋 夏金宝 聂鸿坤 张百涛 《光电技术应用》 2024年第1期39-45,共7页
实现高可靠性、低电阻欧姆接触是获得高性能SiC功率半导体器件的前提,其直接决定功率器件的能耗水平。激光退火凭借局域化、温升快、控制灵活、精度高、连续能量输出稳定等优点,成为SiC功率器件的新一代主流退火技术。总结了近年来国内... 实现高可靠性、低电阻欧姆接触是获得高性能SiC功率半导体器件的前提,其直接决定功率器件的能耗水平。激光退火凭借局域化、温升快、控制灵活、精度高、连续能量输出稳定等优点,成为SiC功率器件的新一代主流退火技术。总结了近年来国内外SiC功率器件激光退火研究进展,详细模拟分析了激光退火原理中光热传输特性,设计了355 nm紫外激光退火实验系统,对Ni/SiC进行了激光退火实验,在激光能量密度为2.55 J/cm^(2)条件下,比接触电阻为9.49×10^(-5)Ω·cm^(2)。研究结果对SiC功率器件激光退火欧姆接触性能提升提供了理论和数据支撑。 展开更多
关键词 碳化硅(SiC) 半导体功率器件 欧姆接触 激光退火
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SiC光导开关欧姆接触制备与性能研究
5
作者 丁蕾 罗燕 +3 位作者 袁涛 尚吉扬 魏紫东 周义 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期357-362,共6页
Ni/W膜层作为SiC光导开关的欧姆接触膜系,具有接触电阻低、热稳定性好、抗烧蚀能力强等优良性能。通过接触势垒分析、难熔金属选择、欧姆接触膜系优化、热稳定性以及抗烧蚀性能的研究,优选出W膜层作为难熔金属的最佳膜层,此时击穿电压... Ni/W膜层作为SiC光导开关的欧姆接触膜系,具有接触电阻低、热稳定性好、抗烧蚀能力强等优良性能。通过接触势垒分析、难熔金属选择、欧姆接触膜系优化、热稳定性以及抗烧蚀性能的研究,优选出W膜层作为难熔金属的最佳膜层,此时击穿电压达到了23 kV,Ni/W膜层厚度为100 nm/100 nm~100 nm/150 nm时,比接触电阻率降低到1.6×10^(-4)Ω·cm^(2),且在后续试验验证中,Ni/W膜层表现出良好的高温稳定性及抗大电流烧蚀性能。 展开更多
关键词 光导开关 碳化硅 欧姆接触 难熔金属 比接触电阻率
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SiC压阻式压力传感器欧姆接触制备工艺及性能研究
6
作者 杨健 许姣 +3 位作者 赵晨曦 郝文昌 尹玉刚 张世名 《实验流体力学》 CSCD 北大核心 2024年第6期93-98,共6页
SiC压阻式压力传感器是解决飞行器表面高温脉动压力原位测量的重要测试工具,为了提高传感器性能、降低敏感芯片金属—半导体接触阻抗,本文对n型4H–SiC欧姆接触的制备工艺及性能进行了研究。采用离子注入工艺对SiC基片进行了磷(P)离子注... SiC压阻式压力传感器是解决飞行器表面高温脉动压力原位测量的重要测试工具,为了提高传感器性能、降低敏感芯片金属—半导体接触阻抗,本文对n型4H–SiC欧姆接触的制备工艺及性能进行了研究。采用离子注入工艺对SiC基片进行了磷(P)离子注入,根据蒙特卡洛模型,采用SRIM软件对注入工艺进行仿真设计,实现n型重掺杂。金属电极采用复合金属层Ta/Ni/Pt,通过超高温真空退火工艺对4H–SiC欧姆接触进行退火处理并对其工艺参数进行了优化。对欧姆接触的电学特性进行I–V测试,采用四探针法对欧姆接触的比接触阻率ρ_(c)进行表征。结果表明,磷离子注入浓度为3×10^(20)cm^(-3),欧姆接触退火温度1000℃且保持20 min的工艺条件可实现良好的SiC欧姆接触。测试得到其比接触阻率ρ_(c)为4.64×10^(-5)Ω·cm^(2),且600℃高温结果相比于20℃结果的变化率为6%。证明该欧姆接触具有低接触阻抗和良好的温度稳定性。该欧姆接触制备工艺有助于改善SiC压阻式压力传感器技术指标,如减小热零点漂移等参数,提高传感器的全温稳定性。 展开更多
关键词 离子注入 欧姆接触 真空退火工艺 压力传感器 4H–SiC
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银浆组成对硅太阳电池丝网印刷欧姆接触的影响 被引量：28
7
作者 郑建华 张亚萍 +4 位作者 敖毅伟 龚铁裕 丁丽华 陈国荣 杨云霞 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1274-1277,共4页
通过作图的传输线法测定比接触电阻率,定量地研究硅太阳电池正面电极用银导电浆料中银粉颗粒大小和玻璃相组成对银电极/硅表面欧姆接触的影响。结果表明,随着银导电浆料中银粉颗粒尺寸的增大比接触电阻下降,形成较好的欧姆接触;当玻璃... 通过作图的传输线法测定比接触电阻率,定量地研究硅太阳电池正面电极用银导电浆料中银粉颗粒大小和玻璃相组成对银电极/硅表面欧姆接触的影响。结果表明,随着银导电浆料中银粉颗粒尺寸的增大比接触电阻下降,形成较好的欧姆接触;当玻璃相中铅含量增加时,在一定的烧结温度下,比接触电阻率减小。 展开更多
关键词 比接触电阻 欧姆接触 银浆 丝网印刷 太阳电池
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欧姆接触镍电极的研究 被引量：6
8
作者 陈勇 郭琳 +3 位作者 周桃生 章天金 曹万强 夏义本 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第1期85-88,共4页
对镍电极浆料进行了实验研究。材料配方的选择和工艺的优化是实验的关键。实验中用玻璃粉和硼粉作为镍电极浆料的粘合剂和抗氧化剂,其中镍粉的质量分数不得低于65%,研制出的镍浆料可在大气中于810°C烧结在PTC等半导瓷上构成电极。... 对镍电极浆料进行了实验研究。材料配方的选择和工艺的优化是实验的关键。实验中用玻璃粉和硼粉作为镍电极浆料的粘合剂和抗氧化剂,其中镍粉的质量分数不得低于65%,研制出的镍浆料可在大气中于810°C烧结在PTC等半导瓷上构成电极。通过扫描电镜(SEM)可以发现镍电极能牢固地附着在陶瓷体上并具有良好的欧姆接触性能。 展开更多
关键词 镍电极 欧姆接触 半导瓷 PTC
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高反射率p-GaN欧姆接触电极 被引量：5
9
作者 康香宁 章蓓 +3 位作者 胡成余 王琦 陈志忠 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期75-79,共5页
根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特... 根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特性。并将GaN/Ni/Au/Ti/Ag多层反射电极应用在上下电极结构的GaN基LED中。实验上采用两步合金法获得了低接触电阻、高反射率的电极结构,并引入Ni/Au覆盖层克服了Ag高温时的团聚和氧化现象。解决了Ag电极的稳定性问题,显著地提高了LED的出光效率,成功制备了具有上下电极结构的GaN基LED管芯。 展开更多
关键词 P-GAN 欧姆接触 反射电极 两步合金法 激光剥离 垂直结构LED
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p型GaAs欧姆接触性能研究 被引量：5
10
作者 刘梦涵 崔碧峰 +3 位作者 何新 孔真真 黄欣竹 李莎 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期578-582,共5页
为了研究半导体光电器件p-GaAs欧姆接触的特性,利用磁控溅射在p-GaAs上生长Ti厚度在10-50 nm范围、Pt厚度在30-60 nm范围的Ti/Pt/200 nm Au电极结构。利用传输线模型测量了具有不同的Ti、Pt厚度的Ti/Pt/200 nm Au电极结构接触电阻率,研... 为了研究半导体光电器件p-GaAs欧姆接触的特性,利用磁控溅射在p-GaAs上生长Ti厚度在10-50 nm范围、Pt厚度在30-60 nm范围的Ti/Pt/200 nm Au电极结构。利用传输线模型测量了具有不同的Ti、Pt厚度的Ti/Pt/200 nm Au电极结构接触电阻率,研究了退火参数对欧姆接触性能的影响,同时分析了过高温度导致电极金属从边缘向内部皱缩的机理。结果表明,Ti厚度为30 nm左右时接触电阻率最低,接触电阻率随着Pt厚度的增加而增加;欧姆接触质量对退火温度更敏感,退火温度达到510℃时电极金属从边缘向内部皱缩。采用40nm Ti/40 nm Pt/200 nm Au作为半导体光电器件p-GaAs电极结构,合金条件为420℃,30 s可以形成更好的欧姆接触。 展开更多
关键词 半导体器件 欧姆接触 接触电阻率 合金
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Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的欧姆接触研究 被引量：5
11
作者 陈志忠 秦志新 +5 位作者 胡晓东 于彤军 童玉珍 丁晓民 杨志坚 张国义 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2004年第2期36-39,共4页
通过电流-电压(I—V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型CaN上淀积Ti／Al／Ni／Au电极形成欧姆接触的机制。Ni／Au作为Ti／Al的覆盖层起了阻止Ti，Al，Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内，Ti／Al／Ni／Au与n型GaN... 通过电流-电压(I—V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型CaN上淀积Ti／Al／Ni／Au电极形成欧姆接触的机制。Ni／Au作为Ti／Al的覆盖层起了阻止Ti，Al，Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内，Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的接触电阻随温度升高先略有上升，到500℃以后单调下降。而表面形貌却在合金温度高于600℃以后随温度升高逐步变差。通过两步合金法得到了n—GaN上Ti／Al／Ni／Au形成的接触电阻低达9．65×10^-7Ωcm^2。最后还对两步合金法形成n—GaN欧姆接触的机制进行了讨论。 展开更多
关键词 n型氮化镓 欧姆接触 电流-电压特性 传输线法 两步合金法
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氮化镓功率电子器件上欧姆接触电极研究进展 被引量：2
12
作者 郑文浩 田野 《科技创新与应用》 2023年第4期36-38,42,共4页
GaN基功率电子器件已经被应用在电子产品、电气设备和充电器等领域。如何进一步提高现有GaN基功率器件性能是接下来研究的重点。其中,金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能及可靠性的一个问题。该文综述总结近年来在GaN... GaN基功率电子器件已经被应用在电子产品、电气设备和充电器等领域。如何进一步提高现有GaN基功率器件性能是接下来研究的重点。其中,金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能及可靠性的一个问题。该文综述总结近年来在GaN基功率器件结构中的欧姆接触电极及不同类型欧姆接触方案的研究成果。在简要介绍几种典型的功率电子器件结构中的欧姆接触之后,将分别讨论n型GaN、p型GaN、Al GaN/GaN异质结上的欧姆接触,以及对于无金欧姆接触技术的各种尝试和成果。最后,对未来的发展趋势作出展望。 展开更多
关键词 GAN 欧姆接触 功率电子器件 无金欧姆接触 研究进展
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N型SiC的Ni基欧姆接触研究(英文) 被引量：5
13
作者 郭辉 张义门 +2 位作者 张玉明 张健 郜锦侠 《电子器件》 CAS 2007年第2期356-360,364,共6页
对n型SiC的Ni基欧姆接触的机理进行了研究.通过在p型4H-SiC外延层上使用N离子注入来形成N阱,并在此基础上制作Ni/n型SiC欧姆接触的TLM结构,得到的比接触电阻约为1.7×10-4Ω.cm2.合金化的高温退火过程导致了C空位(VC)的出现,起到了... 对n型SiC的Ni基欧姆接触的机理进行了研究.通过在p型4H-SiC外延层上使用N离子注入来形成N阱,并在此基础上制作Ni/n型SiC欧姆接触的TLM结构,得到的比接触电阻约为1.7×10-4Ω.cm2.合金化的高温退火过程导致了C空位(VC)的出现,起到了施主的作用,降低了有效肖特基势垒高度,从而形成欧姆接触.通过模拟估计了有效载流子密度的增加,结果表明,高温退火中形成的C空位对于最终欧姆接触的形成起到了重要作用,甚至超过了掺杂水平的影响. 展开更多
关键词 SIC 欧姆接触 NI N离子注入 C空位
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Ni基n型SiC材料的欧姆接触机理及模型研究 被引量：5
14
作者 郭辉 张义门 +1 位作者 张玉明 吕红亮 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期42-45,共4页
研究了Ni基n型SiC材料的欧姆接触的形成机理,认为合金化退火过程中形成的C空位(Vc)而导致的高载流子浓度层对欧姆接触的形成起了关键作用。给出了欧姆接触的能带结构图,提出比接触电阻ρC由ρC1和ρC2两部分构成。ρC1是Ni硅化物与其下... 研究了Ni基n型SiC材料的欧姆接触的形成机理,认为合金化退火过程中形成的C空位(Vc)而导致的高载流子浓度层对欧姆接触的形成起了关键作用。给出了欧姆接触的能带结构图,提出比接触电阻ρC由ρC1和ρC2两部分构成。ρC1是Ni硅化物与其下在合金化退火过程中形成的高载流子浓度层间的比接触电阻,ρC2则由高载流子浓度层与原来SiC有源层之间载流子浓度差形成的势垒引入。该模型较好地解释了n型SiC欧姆接触的实验结果,并从衬底的掺杂水平、接触金属的选择、合金化退火的温度、时间、氛围等方面给出了工艺条件的改进建议。 展开更多
关键词 碳化硅 欧姆接触 退火 碳空位
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单晶硅太阳电池背场欧姆接触的改善研究 被引量：5
15
作者 李幼真 周继承 +1 位作者 黄迪辉 赵保星 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期41-44,共4页
采用磁控溅射在扩散工艺后的单晶硅片背面沉积了铝膜,对样品在600～900℃之间进行了快速热处理,利用四探针电阻测试仪、扫描电镜对热处理前后样品的电阻率、形貌等进行了表征,用半导体参数测试仪测量了样品的I-V曲线,计算了铝膜与硅片... 采用磁控溅射在扩散工艺后的单晶硅片背面沉积了铝膜,对样品在600～900℃之间进行了快速热处理,利用四探针电阻测试仪、扫描电镜对热处理前后样品的电阻率、形貌等进行了表征,用半导体参数测试仪测量了样品的I-V曲线,计算了铝膜与硅片的接触电阻,并同步与印刷铝浆料样品进行了对比,研究表明,与丝网印刷工艺相比,溅射铝膜具有均匀细腻、电阻率低、接触电阻小等优点。 展开更多
关键词 欧姆接触 磁控溅射 晶硅太阳电池 铝背场
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4H-SiC欧姆接触与测试方法研究 被引量：5
16
作者 陈刚 柏松 +1 位作者 李哲阳 韩平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期38-41,共4页
主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc... 主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc=2.22×10-7Ω.cm2,能够很好满足SiC器件的需要。 展开更多
关键词 碳化硅 欧姆接触 特征接触电阻率 退火
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激光退火形成Ni/4H-SiC欧姆接触 被引量：5
17
作者 刘敏 何志 +3 位作者 钮应喜 王晓峰 杨霏 杨富华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期690-694,共5页
脉冲激光退火具有热积存小、高温影响深度浅等优点,用来制备Si C欧姆接触可以忽略高温对衬底背面结构的影响,更好地与减薄工艺兼容,从而提高器件性能。借助波长为532 nm的固态Nd∶YAG激光器退火Ni/4H-Si C结构,分析了激光脉冲能量与脉... 脉冲激光退火具有热积存小、高温影响深度浅等优点,用来制备Si C欧姆接触可以忽略高温对衬底背面结构的影响,更好地与减薄工艺兼容,从而提高器件性能。借助波长为532 nm的固态Nd∶YAG激光器退火Ni/4H-Si C结构,分析了激光脉冲能量与脉冲个数对欧姆接触的影响。实验表明,激光脉冲能量对于Ni/4H-Si C欧姆接触的形成起主要作用,只有脉冲能量高于1.8 J/cm2的激光束才有可能形成欧姆接触。对于能量过小的激光脉冲,即使增加脉冲个数也无法形成欧姆接触。当激光脉冲能量为2.3 J/cm2,脉冲数为60个时可形成良好的欧姆接触,比接触电阻为4.8×10-5Ω·cm2。当激光脉冲能量为3.6 J/cm2时,单脉冲就可实现欧姆接触,比接触电阻为7.0×10-5Ω·cm2。脉冲数越少、脉冲能量越高的激光退火方式总能量消耗相对较少、能效较高。 展开更多
关键词 激光退火 Ni/4H-SiC 欧姆接触 能量阈值 能效
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P型GaAs欧姆接触的制作 被引量：5
18
作者 杨立杰 李拂晓 +1 位作者 蒋幼泉 陈新宇 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期427-430,共4页
在以Be作为离子源离子注入形成的P型GaAs衬底上分别使用Ti/Pt/Au和Cr/Pt/Au多层金属作为欧姆接触金属,并对比合金前后的差别。结果表明,使用Ti/Pt/Au作为欧姆接触金属效果更好,合金对于降低欧姆接触电阻率效果明显,合金后Ti/Pt/Au的接... 在以Be作为离子源离子注入形成的P型GaAs衬底上分别使用Ti/Pt/Au和Cr/Pt/Au多层金属作为欧姆接触金属,并对比合金前后的差别。结果表明,使用Ti/Pt/Au作为欧姆接触金属效果更好,合金对于降低欧姆接触电阻率效果明显,合金后Ti/Pt/Au的接触电阻率可达到3.08×10-5Ω.cm2。 展开更多
关键词 P型欧姆接触 砷化镓 合金 接触电阻率
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SiC欧姆接触特性 被引量：3
19
作者 王平 杨银堂 +2 位作者 郭立新 尚韬 刘增基 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期38-41,共4页
通过离子注入外延层实现高浓度掺杂和直接采用高掺杂外延层两种方法分别制备了4H-SiC欧姆接触,对应退火条件分别为(950℃,Ar,30 min)和(1000℃,N2,2 min).采用传输线法测试得到的比接触电阻分别为1.359×10-5Ω.cm2和3.44×10-6... 通过离子注入外延层实现高浓度掺杂和直接采用高掺杂外延层两种方法分别制备了4H-SiC欧姆接触,对应退火条件分别为(950℃,Ar,30 min)和(1000℃,N2,2 min).采用传输线法测试得到的比接触电阻分别为1.359×10-5Ω.cm2和3.44×10-6Ω.cm2.二次离子质谱分析表明,高温退火过程中镍硅化合物和TiC的形成有利于欧姆接触特性. 展开更多
关键词 4H-SIC 欧姆接触 二次离子质谱
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高Al组分N-Al_xGa_(1-x)N材料的欧姆接触 被引量：4
20
作者 王玲 许金通 +3 位作者 陈俊 陈杰 张燕 李向阳 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B09期967-970,共4页
基于各层金属间在快速热退火时容易合金化及Ti,Al易被氧化的特点,在高Al组分N-AlxGa1-xN(x≥0.45)材料上溅射生长多层金属Ti/Al/Ti/Au,并且变化Ti,Al比例以及改变退火温度和时间,得到了金属与高Al组分N-AlxGa1-xN(x≥0.45)材料间的欧姆... 基于各层金属间在快速热退火时容易合金化及Ti,Al易被氧化的特点,在高Al组分N-AlxGa1-xN(x≥0.45)材料上溅射生长多层金属Ti/Al/Ti/Au,并且变化Ti,Al比例以及改变退火温度和时间,得到了金属与高Al组分N-AlxGa1-xN(x≥0.45)材料间的欧姆接触,由传输线模型方法测试得比接触电阻为4.9×10-2Ω.cm2。实验中用到的样品为P(Al0.45Ga0.55N)/i(Al0.45Ga0.55N)/N-Al0.63Ga0.37N多层结构的材料。最后,利用伏安特性和俄歇电子能谱深度分布(AES)研究金属与高Al组分的材料之间形成欧姆接触的原因。 展开更多
关键词 欧姆接触 高Al组分 N—AlxGa1-xN材料
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