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基于GaN开关管高频手机适配器研究
被引量：
2
1
作者
杨奕
张学健
罗蕾
《西南大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第10期156-163,共8页
基于开关管高频化的问题,提出了符合MATLAB仿真的一种GaN开关管高频手机适配器的实验研究.通过对次级谐振有源钳位反激电路的仿真模型分析,设计了一种基于GaN开关管高频手机适配器.根据对有源钳位反激和无源钳位反激的比较分析,得出无...
基于开关管高频化的问题,提出了符合MATLAB仿真的一种GaN开关管高频手机适配器的实验研究.通过对次级谐振有源钳位反激电路的仿真模型分析,设计了一种基于GaN开关管高频手机适配器.根据对有源钳位反激和无源钳位反激的比较分析,得出无源钳位反激的局限性.在有源钳位反激中,对比分析初级谐振和次级谐振,提出初级谐振的不足同时凸显次级谐振的优势.设计通过相应的控制策略和参数设定,能够提高适配器充电效率和变换器的功率密度,减少开关损耗,安全可靠.
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关键词
GaN开关管
有源钳位反激
无源钳位反激
次级谐振的acf
充电效率
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职称材料
题名
基于GaN开关管高频手机适配器研究
被引量：
2
1
作者
杨奕
张学健
罗蕾
机构
重庆理工大学电气与电子工程学院
重庆市能源互联网工程技术研究中心
出处
《西南大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第10期156-163,共8页
基金
重庆市技术创新与应用发展专项面上项目(cstc2019jscx-msxmX0003).
文摘
基于开关管高频化的问题,提出了符合MATLAB仿真的一种GaN开关管高频手机适配器的实验研究.通过对次级谐振有源钳位反激电路的仿真模型分析,设计了一种基于GaN开关管高频手机适配器.根据对有源钳位反激和无源钳位反激的比较分析,得出无源钳位反激的局限性.在有源钳位反激中,对比分析初级谐振和次级谐振,提出初级谐振的不足同时凸显次级谐振的优势.设计通过相应的控制策略和参数设定,能够提高适配器充电效率和变换器的功率密度,减少开关损耗,安全可靠.
关键词
GaN开关管
有源钳位反激
无源钳位反激
次级谐振的acf
充电效率
Keywords
GaN FET
active-clamp flyback
passive-clamp flyback
the secondary resonance of
acf
charging efficiency
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
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作者
出处
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被引量
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1
基于GaN开关管高频手机适配器研究
杨奕
张学健
罗蕾
《西南大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2020
2
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