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北京正负电子对撞机次级束模拟质子单粒子效应分析
被引量：
3
1
作者
贺朝会
李国政
刘恩科
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期175-181,共7页
首次从利用高能电子打靶产生的质子进行半导体器件的单粒子效应（ＳＥＥ）实验研究的角度分析了北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）次级束中的质子的能量范围和产额，计算了３种途径下高能电子打靶产生的质子的能量范围，估算了反应截面。...
首次从利用高能电子打靶产生的质子进行半导体器件的单粒子效应（ＳＥＥ）实验研究的角度分析了北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）次级束中的质子的能量范围和产额，计算了３种途径下高能电子打靶产生的质子的能量范围，估算了反应截面。研究表明：选取重核做靶可以不同程度地提高质子产生截面，质子的微分产额（ｄ２ＹｄＥｄΩ）可达１．６６×１０－３ｓ－１·ｓｒ－１·ｅＶ－１。可以用ＢＥＰＣ次级束中的质子做翻转截面比较大（σ＝１０－８ｃｍ２）的半导体器件的单粒子效应实验研究。
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关键词
质子
单粒子效应
正负电子对撞机
次级束模拟
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职称材料
题名
北京正负电子对撞机次级束模拟质子单粒子效应分析
被引量：
3
1
作者
贺朝会
李国政
刘恩科
机构
西北核技术研究所
西安交通大学微电子工程系
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期175-181,共7页
文摘
首次从利用高能电子打靶产生的质子进行半导体器件的单粒子效应（ＳＥＥ）实验研究的角度分析了北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）次级束中的质子的能量范围和产额，计算了３种途径下高能电子打靶产生的质子的能量范围，估算了反应截面。研究表明：选取重核做靶可以不同程度地提高质子产生截面，质子的微分产额（ｄ２ＹｄＥｄΩ）可达１．６６×１０－３ｓ－１·ｓｒ－１·ｅＶ－１。可以用ＢＥＰＣ次级束中的质子做翻转截面比较大（σ＝１０－８ｃｍ２）的半导体器件的单粒子效应实验研究。
关键词
质子
单粒子效应
正负电子对撞机
次级束模拟
Keywords
BEPC Proton Single event effect Semiconductor device
分类号
O572.214 [理学—粒子物理与原子核物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
北京正负电子对撞机次级束模拟质子单粒子效应分析
贺朝会
李国政
刘恩科
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
3
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