TN241 2003010108基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体电离参数研究=Ionization parameter study of optical-field-ionized BlikeN system at low density[刊,中]/陈建新（哈尔滨工业大学光电子技术研究所,可调谐激光技术国家重...TN241 2003010108基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体电离参数研究=Ionization parameter study of optical-field-ionized BlikeN system at low density[刊,中]/陈建新（哈尔滨工业大学光电子技术研究所,可调谐激光技术国家重点实验室.黑龙江,哈尔滨（150001））,王骐…//光学学报.-2002,22（4）.-432-435以类硼氮系统为例,对基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体的电离参数进行了研究,由此确定了对于适合复合机制的类硼氮45.21nm的产生,其最佳激励激光强度为5×10<sup>15</sup>W/cm<sup>2</sup>,并对计算结果进行了分析。图9参14（严寒）展开更多
文摘TN241 2003010108基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体电离参数研究=Ionization parameter study of optical-field-ionized BlikeN system at low density[刊,中]/陈建新（哈尔滨工业大学光电子技术研究所,可调谐激光技术国家重点实验室.黑龙江,哈尔滨（150001））,王骐…//光学学报.-2002,22（4）.-432-435以类硼氮系统为例,对基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体的电离参数进行了研究,由此确定了对于适合复合机制的类硼氮45.21nm的产生,其最佳激励激光强度为5×10<sup>15</sup>W/cm<sup>2</sup>,并对计算结果进行了分析。图9参14（严寒）
