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基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响
被引量：
4
1
作者
王晨辉
陈伟
+6 位作者
刘岩
李斌
杨善潮
金晓明
白小燕
齐超
林东生
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期171-176,共6页
通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×10...
通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×1012,6×1012,8×1012,1×1013 cm-2的中子辐照实验,研究基区表面势的增加和降低对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤退化特性的影响。研究结果表明,基区表面势的增加引起栅控横向PNP晶体管共射极电流增益倒数的变化量随辐照中子注量的退化速率增加,基区表面势的降低对位移损伤退化速率无明显影响。
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关键词
基区表面势
栅控
横向
pnp
晶体管
中子位移损伤
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职称材料
一种基于两步式SAR ADC架构的智能温度传感器
2
作者
曹亦栋
陈雷
+3 位作者
初飞
李建成
张健
李全利
《半导体技术》
北大核心
2025年第6期603-611,共9页
针对高速接口芯片的局部结温监测问题,设计了一种基于两步式逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的片上智能温度传感器,该传感器可配合上位机实现对全芯片温度的实时监测,并输出数字温度码。电路对横向pnp管的基极-发射极电压进行采样,设计...
针对高速接口芯片的局部结温监测问题,设计了一种基于两步式逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的片上智能温度传感器,该传感器可配合上位机实现对全芯片温度的实时监测,并输出数字温度码。电路对横向pnp管的基极-发射极电压进行采样,设计了温度监测模块进行量化比较。电路采用了两步式SAR ADC进行10 bit数字温度码的转换输出,两步式SAR ADC通过调节电阻阵列实现粗量化,调节比较器输入管阵列进行细量化。电路基于28 nm CMOS工艺设计,模块面积为0.049 mm^(2)。仿真结果表明,27℃、1.8 V电源电压下温度传感器的最大动态功耗为379μW,在10 MHz参考时钟下的输出响应时间为37.1μs。测试结果表明,芯片温度为62.8~124.5℃时温度传感器温度测量的误差为±1.5℃。
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关键词
高速接口芯片
温度传感器
横向pnp管
温度监测模块
两步式逐次逼近型模数转换器(SAR
ADC)
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职称材料
一种双极型LDO线性稳压器的设计
被引量：
2
3
作者
白欢利
令文生
+1 位作者
姜洪雨
于洪波
《科学技术与工程》
2010年第8期1985-1988,共4页
介绍了一种基于双极型工艺的线性稳压器设计。该电路主要应用于便携式电子产品的电源系统，调整管采用超β横向PNP管，使其具有低压差、低静态电流、低线性调整率和低负载调整率的特点，同时含有使能开关、过温、过压和过流保护等功能。...
介绍了一种基于双极型工艺的线性稳压器设计。该电路主要应用于便携式电子产品的电源系统，调整管采用超β横向PNP管，使其具有低压差、低静态电流、低线性调整率和低负载调整率的特点，同时含有使能开关、过温、过压和过流保护等功能。用hspice进行仿真，仿真结果表明，在（-55～125）℃的范围内，基准温漂可达到20×10^-6（ppm）／℃；在（5～26）V的电源电压中，电压线性调整率可达到±1％。
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关键词
低压差线性稳压器
双极型
超β
横向pnp管
线性调整率
负载调整率
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职称材料
题名
基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响
被引量：
4
1
作者
王晨辉
陈伟
刘岩
李斌
杨善潮
金晓明
白小燕
齐超
林东生
机构
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所)
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期171-176,共6页
基金
国家自然科学基金重点项目(11235008)
文摘
通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×1012,6×1012,8×1012,1×1013 cm-2的中子辐照实验,研究基区表面势的增加和降低对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤退化特性的影响。研究结果表明,基区表面势的增加引起栅控横向PNP晶体管共射极电流增益倒数的变化量随辐照中子注量的退化速率增加,基区表面势的降低对位移损伤退化速率无明显影响。
关键词
基区表面势
栅控
横向
pnp
晶体管
中子位移损伤
Keywords
base surface potential
gate-controlled lateral
pnp
bipolar transistor
neutron displacement damage
分类号
TN322 [电子电信—物理电子学]
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种基于两步式SAR ADC架构的智能温度传感器
2
作者
曹亦栋
陈雷
初飞
李建成
张健
李全利
机构
北京微电子技术研究所
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第6期603-611,共9页
文摘
针对高速接口芯片的局部结温监测问题,设计了一种基于两步式逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的片上智能温度传感器,该传感器可配合上位机实现对全芯片温度的实时监测,并输出数字温度码。电路对横向pnp管的基极-发射极电压进行采样,设计了温度监测模块进行量化比较。电路采用了两步式SAR ADC进行10 bit数字温度码的转换输出,两步式SAR ADC通过调节电阻阵列实现粗量化,调节比较器输入管阵列进行细量化。电路基于28 nm CMOS工艺设计,模块面积为0.049 mm^(2)。仿真结果表明,27℃、1.8 V电源电压下温度传感器的最大动态功耗为379μW,在10 MHz参考时钟下的输出响应时间为37.1μs。测试结果表明,芯片温度为62.8~124.5℃时温度传感器温度测量的误差为±1.5℃。
关键词
高速接口芯片
温度传感器
横向pnp管
温度监测模块
两步式逐次逼近型模数转换器(SAR
ADC)
Keywords
high-speed interface circuit
temperature sensor
lateral
pnp
transistor
temperature monitoring module
two-step successive approximation analog to digital converter(SAR ADC)
分类号
TN7 [电子电信—电路与系统]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种双极型LDO线性稳压器的设计
被引量：
2
3
作者
白欢利
令文生
姜洪雨
于洪波
机构
西安微电子技术研究所
西安太乙电子有限公司
出处
《科学技术与工程》
2010年第8期1985-1988,共4页
文摘
介绍了一种基于双极型工艺的线性稳压器设计。该电路主要应用于便携式电子产品的电源系统，调整管采用超β横向PNP管，使其具有低压差、低静态电流、低线性调整率和低负载调整率的特点，同时含有使能开关、过温、过压和过流保护等功能。用hspice进行仿真，仿真结果表明，在（-55～125）℃的范围内，基准温漂可达到20×10^-6（ppm）／℃；在（5～26）V的电源电压中，电压线性调整率可达到±1％。
关键词
低压差线性稳压器
双极型
超β
横向pnp管
线性调整率
负载调整率
Keywords
LDO bipolar technology super β lateral
pnp
line regulation load regulation
分类号
TN867 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响
王晨辉
陈伟
刘岩
李斌
杨善潮
金晓明
白小燕
齐超
林东生
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一种基于两步式SAR ADC架构的智能温度传感器
曹亦栋
陈雷
初飞
李建成
张健
李全利
《半导体技术》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
一种双极型LDO线性稳压器的设计
白欢利
令文生
姜洪雨
于洪波
《科学技术与工程》
2010
2
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职称材料
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