本文通过对肖特基势垒二极管不同温度下的电流电压(I-V)特性分析,将反向饱和电流(I_(0))、理想因子(n)及串联电阻(R_(S))三个参数与温度相关联,建立了肖特基二极管的SDD(symbolically-defined device)电热模型。为了验证模型的特性,将...本文通过对肖特基势垒二极管不同温度下的电流电压(I-V)特性分析,将反向饱和电流(I_(0))、理想因子(n)及串联电阻(R_(S))三个参数与温度相关联,建立了肖特基二极管的SDD(symbolically-defined device)电热模型。为了验证模型的特性,将所建模型应用于V波段的预失真线性化器加以验证。实测显示所建SDD模型相比于厂商所提供的spice(simulation program with integrated circuit emphasis)参数模型对于线性化器在不同温度下的幅度相位曲线具有更高的一致性。展开更多
基金supported by NSFC(61464002)Industrial Research Projects in Guizhou Province(Qian Ke He GY Zi[2009]3026)+1 种基金Science and Technology Fund of Guizhou Province(Qian Ke He J Zi[2011]2203,Qian Ke He J Zi[2014]2066)Dr.Fund of Guizhou University(Gui Da Ren Ji He Zi(2013)20Hao)~~
文摘本文通过对肖特基势垒二极管不同温度下的电流电压(I-V)特性分析,将反向饱和电流(I_(0))、理想因子(n)及串联电阻(R_(S))三个参数与温度相关联,建立了肖特基二极管的SDD(symbolically-defined device)电热模型。为了验证模型的特性,将所建模型应用于V波段的预失真线性化器加以验证。实测显示所建SDD模型相比于厂商所提供的spice(simulation program with integrated circuit emphasis)参数模型对于线性化器在不同温度下的幅度相位曲线具有更高的一致性。
