本文通过对肖特基势垒二极管不同温度下的电流电压(I-V)特性分析,将反向饱和电流(I_(0))、理想因子(n)及串联电阻(R_(S))三个参数与温度相关联,建立了肖特基二极管的SDD(symbolically-defined device)电热模型。为了验证模型的特性,将...本文通过对肖特基势垒二极管不同温度下的电流电压(I-V)特性分析,将反向饱和电流(I_(0))、理想因子(n)及串联电阻(R_(S))三个参数与温度相关联,建立了肖特基二极管的SDD(symbolically-defined device)电热模型。为了验证模型的特性,将所建模型应用于V波段的预失真线性化器加以验证。实测显示所建SDD模型相比于厂商所提供的spice(simulation program with integrated circuit emphasis)参数模型对于线性化器在不同温度下的幅度相位曲线具有更高的一致性。展开更多
肖特基势垒二极管(SBD)具有强非线性效应、速度快及容易系统集成等特点,常用于微波、毫米波及太赫兹波的产生和检测。本文通过电子束光刻等技术制作出肖特基接触直径1μm的二极管,并对二极管进行了直流测试和射频测试。经过直流测试,二...肖特基势垒二极管(SBD)具有强非线性效应、速度快及容易系统集成等特点,常用于微波、毫米波及太赫兹波的产生和检测。本文通过电子束光刻等技术制作出肖特基接触直径1μm的二极管,并对二极管进行了直流测试和射频测试。经过直流测试,二极管的串联电阻为10.2?,零偏结电容为1.76 f F,肖特基结截止频率达到了8.7 THz;相同管子的射频测试串联电阻为15.4?,零偏结电容1.46 f F,肖特基结截止频率也达到了7 THz。展开更多
基金supported by NSFC(61464002)Industrial Research Projects in Guizhou Province(Qian Ke He GY Zi[2009]3026)+1 种基金Science and Technology Fund of Guizhou Province(Qian Ke He J Zi[2011]2203,Qian Ke He J Zi[2014]2066)Dr.Fund of Guizhou University(Gui Da Ren Ji He Zi(2013)20Hao)~~
文摘本文通过对肖特基势垒二极管不同温度下的电流电压(I-V)特性分析,将反向饱和电流(I_(0))、理想因子(n)及串联电阻(R_(S))三个参数与温度相关联,建立了肖特基二极管的SDD(symbolically-defined device)电热模型。为了验证模型的特性,将所建模型应用于V波段的预失真线性化器加以验证。实测显示所建SDD模型相比于厂商所提供的spice(simulation program with integrated circuit emphasis)参数模型对于线性化器在不同温度下的幅度相位曲线具有更高的一致性。
文摘肖特基势垒二极管(SBD)具有强非线性效应、速度快及容易系统集成等特点,常用于微波、毫米波及太赫兹波的产生和检测。本文通过电子束光刻等技术制作出肖特基接触直径1μm的二极管,并对二极管进行了直流测试和射频测试。经过直流测试,二极管的串联电阻为10.2?,零偏结电容为1.76 f F,肖特基结截止频率达到了8.7 THz;相同管子的射频测试串联电阻为15.4?,零偏结电容1.46 f F,肖特基结截止频率也达到了7 THz。
基金Project Supported by the Open Fund of Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductors Material and Devices,Ministry of Education,ChinaThe Research Fund for Excellent Doctor Degree Thesis of Xi'an University of Technology
