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大功率晶体管横向结构参数设计与分析
被引量：
1
1
作者
杨方
《科学技术与工程》
北大核心
2012年第20期5027-5030,共4页
为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W。采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极...
为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W。采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极金属电极条长和宽、晶片面积等横向结构参数,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。计算方法通过实验验证,适用于更大功率晶体管的参数分析和计算。
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关键词
大功率晶体管
横向结构参数
半导体技术
设计
分析
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职称材料
题名
大功率晶体管横向结构参数设计与分析
被引量：
1
1
作者
杨方
机构
遵义师范学院物理与机电工程系
出处
《科学技术与工程》
北大核心
2012年第20期5027-5030,共4页
基金
贵州省重点支持学科(黔教高发〔2011〕275号)资助
文摘
为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W。采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极金属电极条长和宽、晶片面积等横向结构参数,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。计算方法通过实验验证,适用于更大功率晶体管的参数分析和计算。
关键词
大功率晶体管
横向结构参数
半导体技术
设计
分析
Keywords
High--power transistor horizontal structure parameters semiconductor technology design analysis
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
大功率晶体管横向结构参数设计与分析
杨方
《科学技术与工程》
北大核心
2012
1
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