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背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究被引量：1: 1; 作者徐阳司美菊 +5 位作者吴高米刘文怡巩乐乐甄静怡余奇陈金琳《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期296-299,共4页; 随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背... 展开更多; 关键词干法刻蚀刻蚀速率横向激励机电耦合系数薄膜体声波谐振器; 在线阅读下载PDF 职称材料

C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备: 2; 作者吴高米马晋毅 +5 位作者李尚志司美菊唐小龙蒋世义江洪敏张祖伟《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期285-289,共5页; 针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体... 展开更多; 关键词压电微机电系统(MEMS)器件 C波段射频滤波器横向激励薄膜体声波谐振器(xbar) 多频率高集成; 在线阅读下载PDF 职称材料

空气隙型横向激励薄膜体声波滤波器工艺研究: 3; 作者舒平李桦林 +3 位作者梁柳洪谭发曾冷峻林陈兴《压电与声光》北大核心 2025年第2期220-224,共5页; 随着通信技术的发展,对射频前端滤波器的高频化和小型化需求愈发强烈。横向激励薄膜体声波滤波器(XBAR)是一种适用于高频应用的器件,其中空气隙型XBAR因结构设计而在高频段表现出优异的性能。通过研究空气隙型XBAR的制作工艺与结构特点... 展开更多; 关键词横向激励薄膜体声波滤波器(xbar) 光刻刻蚀横向激励; 在线阅读下载PDF 职称材料

高Q值横向激发体声波谐振器的设计与制备被引量：1: 4; 作者张帅俞振一 +4 位作者郭瑜孙宗琴傅肃磊许志斌王为标《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第2期154-158,共5页; 随着5G移动通信时代的发展,射频前端(RF front-ends)的滤波和信号处理迫切需要高频大带宽的声学谐振器。横向激发体声波谐振器(XBAR)具有超高的工作频率和超大的机电耦合系数(k^(2)),但其品质因数(Q)值不高,阻碍了其在射频前端中的应用... 展开更多; 关键词横向激发体声波谐振器(xbar) 品质因数(Q)值高频大带宽 5G通信; 在线阅读下载PDF 职称材料

薄膜体声波谐振器横向杂散模式三维仿真分析被引量：5: 5; 作者张玲玲刘梦伟 +2 位作者李鉴宫俊杰汪承灏《压电与声光》 CSCD 北大核心 2017年第3期327-330,共4页; 利用有限元分析软件ANSYS建立了FBAR三维振动模型,分析了不同有效区域形状(方形、圆形、非正五边形)、不同有效区域面积(10 000μm^2、15 625μm^2、22 500μm^2、30 625μm^2、40 000μm^2)和不同压电层材料(AlN、ZnO)对其横向杂散模... 展开更多; 关键词薄膜体声波谐振器谐响应横向杂散模式有限元; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于PEN柔性基底XBAR谐振器的声学特性研究: 6; 作者王地懋谢鹏飞 +2 位作者曾龙缪加耀王艳《压电与声光》北大核心 2025年第3期459-464,共6页; 采用有限元方法(FEM)分析了基于PEN (Polyethylene Naphthalate)柔性基底横向激发体声波谐振器(XBAR)的声学特性,包括谐振频率fr、机电耦合系数K2eff、品质因数Qr及频率温度系数(TCF)等。结果表明,PEN柔性基底的引入改善了XBAR性能,如当... 展开更多; 关键词横向激发体声波谐振器(xbar) 兰姆波柔性基底PEN 频率温度系数; 在线阅读下载PDF 职称材料

FBAR有效机电耦合系数的影响因素分析被引量：2: 7; 作者赵坤丽高杨韩超《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期202-206,共5页; 针对有效机电耦合系数(k2eff)的两种影响因素-薄膜体声波谐振器(FBAR)的电极/压电层厚度比与压电层薄膜的c轴取向,分别建立了厚度比可变与c轴取向可变的三层复合结构的FBAR三维仿真模型。以一个谐振频率为2.185GHz的FBAR谐振器作为分析... 展开更多; 关键词薄膜体声波谐振器(FBAR) 有效机电耦合系数厚度比 C轴取向寄生谐振横向能量泄漏; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究被引量：1: 1; 作者徐阳司美菊吴高米刘文怡巩乐乐甄静怡余奇陈金琳; 机构中国电子科技集团公司第二十六研究所国知创芯(重庆)科技有限公司中电科芯片技术(集团)有限公司; 出处《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期296-299,共4页; 文摘随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背腔刻蚀等关键工艺参数。研制出的背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器,其谐振频率为4565 MHz,反谐振频率为5035 MHz,机电耦合系数为20.86%。此制备工艺对研究高频、大带宽薄膜体声波滤波器具有重要的参考意义。; 关键词干法刻蚀刻蚀速率横向激励机电耦合系数薄膜体声波谐振器; Keywords dry etch etch rate lateral exciting electromechanical coupling coefficient film bulk acoustic resonator; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学] TN65 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备: 2; 作者吴高米马晋毅李尚志司美菊唐小龙蒋世义江洪敏张祖伟; 机构中国电子科技集团公司第二十四研究所中电科芯片技术(集团)有限公司国知创芯(重庆)科技有限公司; 出处《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期285-289,共5页; 基金重庆市博士后科学基金资助项目(CSTB2023NSCQ-BHX0030)。; 文摘针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR)的结构设计、参数优化和制备方法,并进行了工艺验证。通过剥离和刻蚀等步骤制备了谐振频率4.464 GHz、品质因数3039、品质因数与频率之积(f×Q)达到1.56×10^(13)GHz、面积小于0.12 mm^(2)的低杂波XBAR谐振器,并仿真分析了其用于射频滤波器的可行性。该研究为进一步研制多频率、高集成的小型化XBAR滤波器组件提供了有效的设计技术和工艺技术支撑。; 关键词压电微机电系统(MEMS)器件 C波段射频滤波器横向激励薄膜体声波谐振器(xbar) 多频率高集成; Keywords piezoelectric micro-electro-mechanical systems device C-band radio-frequency filter laterally excited bulk acoustic resonator multi-frequency high-integration; 分类号 TN384 [电子电信—物理电子学] TN65 [电子电信—电路与系统] TN713 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名空气隙型横向激励薄膜体声波滤波器工艺研究: 3; 作者舒平李桦林梁柳洪谭发曾冷峻林陈兴; 机构中国电子科技集团公司第二十六研究所; 出处《压电与声光》北大核心 2025年第2期220-224,共5页; 文摘随着通信技术的发展,对射频前端滤波器的高频化和小型化需求愈发强烈。横向激励薄膜体声波滤波器(XBAR)是一种适用于高频应用的器件,其中空气隙型XBAR因结构设计而在高频段表现出优异的性能。通过研究空气隙型XBAR的制作工艺与结构特点,研制出空气隙型横向激励薄膜体声波滤波器芯片样品。基于探针测试,该滤波器芯片样品的顶部插入损耗为1.27 dB,通带带宽为808 MHz,通带相对带宽为15.9%。这对研究高频、大带宽薄膜体声波滤波器具有重要的参考意义。; 关键词横向激励薄膜体声波滤波器(xbar) 光刻刻蚀横向激励; Keywords xbar photolithography etching lateral excitation; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学] TN65 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高Q值横向激发体声波谐振器的设计与制备被引量：1: 4; 作者张帅俞振一郭瑜孙宗琴傅肃磊许志斌王为标; 机构江南大学物联网工程学院无锡市好达电子股份有限公司; 出处《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第2期154-158,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(61701195)。; 文摘随着5G移动通信时代的发展,射频前端(RF front-ends)的滤波和信号处理迫切需要高频大带宽的声学谐振器。横向激发体声波谐振器(XBAR)具有超高的工作频率和超大的机电耦合系数(k^(2)),但其品质因数(Q)值不高,阻碍了其在射频前端中的应用。该文提出了一种基于ZY切铌酸锂(LiNbO 3)的XBAR谐振器,通过有限元(FEM)仿真对谐振器进行了优化设计,并在微机电系统(MEMS)工艺下对谐振器进行加工。该文所制备的横向激发体声波谐振器A 1模式的谐振频率为4.72 GHz,k 2=26.9%,Q_(3) dB为384,温度频率漂移系数为-60.5×10^(-6)/℃。A_(3)模式的谐振频率为13.5 GHz,k^(2)=4.4%。; 关键词横向激发体声波谐振器(xbar) 品质因数(Q)值高频大带宽 5G通信; Keywords laterally excited bulk wave resonator(xbar) quality factor(Q) high-frequency large-bandwidth 5G; 分类号 TN713 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名薄膜体声波谐振器横向杂散模式三维仿真分析被引量：5: 5; 作者张玲玲刘梦伟李鉴宫俊杰汪承灏; 机构中国科学院声学研究所声场声信息国家重点实验室; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2017年第3期327-330,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(11374327); 文摘利用有限元分析软件ANSYS建立了FBAR三维振动模型,分析了不同有效区域形状(方形、圆形、非正五边形)、不同有效区域面积(10 000μm^2、15 625μm^2、22 500μm^2、30 625μm^2、40 000μm^2)和不同压电层材料(AlN、ZnO)对其横向杂散模式的影响,得到了阻抗特性曲线及不圆度(NC)。有效区域形状为非正五边形时,得到最平滑的阻抗曲线和最小的NC值为0.015 1;有效区域面积为40 000μm^2时得到最小的NC值为0.005 5;在相同谐振频率(1.76GHz)下,用ZnO作压电材料时得到较小的NC值为0.012 9。; 关键词薄膜体声波谐振器谐响应横向杂散模式有限元; Keywords thin film bulk acoustic resonator(FBAR) harmonic response spurious lateral modes finite element; 分类号 TN713 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于PEN柔性基底XBAR谐振器的声学特性研究: 6; 作者王地懋谢鹏飞曾龙缪加耀王艳; 机构南京邮电大学电子与光学工程学院; 出处《压电与声光》北大核心 2025年第3期459-464,共6页; 基金江苏省研究生科研创新计划(KYCX21_0711) 南京邮电大学基金资助项目(NY213038)。; 文摘采用有限元方法(FEM)分析了基于PEN (Polyethylene Naphthalate)柔性基底横向激发体声波谐振器(XBAR)的声学特性,包括谐振频率fr、机电耦合系数K2eff、品质因数Qr及频率温度系数(TCF)等。结果表明,PEN柔性基底的引入改善了XBAR性能,如当hPEN=40 nm时,K2eff=35.68%,较同参数的IDT/LiNbO3结构提升了约35%,fr=4.4 GHz,Qr=112;当hPEN=105 nm时,PEN与IDT/LiNbO3结构发生耦合共振,致使XBAR谐振频率发生偏移以及品质因数增加,其频率偏移达到1.32 GHz,Qr增加75。同时XBAR的温度稳定性得到提升,当hPEN=120 nm时,XBAR的TCF为-72.9×10^(-6)/℃,而同参数IDT/LiNbO3结构TCF为-107×10^(-6)/℃。综上可知,IDT/LiNbO3/PEN结构XBAR具有更优异的声学特性,通过合理选择PEN厚度可优化XBAR的不同性能参数。该结果为高频、高机电耦合系数和高温度稳定性XBAR的设计和研制提供了理论依据。; 关键词横向激发体声波谐振器(xbar) 兰姆波柔性基底PEN 频率温度系数; Keywords laterally excited bulk acoustic resonator(xbar) Lamb wave PEN flexible substrate temperature coefficient of frequency; 分类号 TN384 [电子电信—物理电子学] TN751.2 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FBAR有效机电耦合系数的影响因素分析被引量：2: 7; 作者赵坤丽高杨韩超; 机构西南科技大学信息工程学院中国科学院高能物理研究所核探测与核电子学国家重点实验室中国工程物理研究院电子工程研究所重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室; 出处《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期202-206,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(61574131) 中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室基金资助项目(2014ZA001) +1 种基金西南科技大学特殊环境机器人技术四川省重点实验室开放基金资助项目(14ZXTK01); 文摘针对有效机电耦合系数(k2eff)的两种影响因素-薄膜体声波谐振器(FBAR)的电极/压电层厚度比与压电层薄膜的c轴取向,分别建立了厚度比可变与c轴取向可变的三层复合结构的FBAR三维仿真模型。以一个谐振频率为2.185GHz的FBAR谐振器作为分析案例,通过仿真得出,设计得到的膜层厚度比为0.206时,虽然FBAR的k2eff略有下降,但此时Mo电极厚为0.247μm,AlN压电层厚为1.119 7μm,使得FBAR电学性能较好,工艺制备复杂度及时间降低。另外,c轴倾斜角度为3°时,会使FBAR的k2eff下降,同时FBAR阻抗特性曲线产生较强的寄生谐振,这会引起FBAR横向能量泄露,恶化FBAR滤波器的带内插损。因此,在制备AlN薄膜时应该严格把握各项工艺参数。此外,通过适当放宽FBAR谐振器谐振频率增量能使k2eff具有一定冗余量来弥补工艺制备引起的k2eff下降。; 关键词薄膜体声波谐振器(FBAR) 有效机电耦合系数厚度比 C轴取向寄生谐振横向能量泄漏; Keywords film bulk wave resonator（FBAR） effective electromechanical coupling coefficient thickness ratio caxis orientation spurious resonance lateral energy leakage; 分类号 TN713 [电子电信—电路与系统] TN603 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究	徐阳司美菊吴高米刘文怡巩乐乐甄静怡余奇陈金琳	《压电与声光》 CAS 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备	吴高米马晋毅李尚志司美菊唐小龙蒋世义江洪敏张祖伟	《压电与声光》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	空气隙型横向激励薄膜体声波滤波器工艺研究	舒平李桦林梁柳洪谭发曾冷峻林陈兴	《压电与声光》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高Q值横向激发体声波谐振器的设计与制备	张帅俞振一郭瑜孙宗琴傅肃磊许志斌王为标	《压电与声光》 CAS 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	薄膜体声波谐振器横向杂散模式三维仿真分析	张玲玲刘梦伟李鉴宫俊杰汪承灏	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2017	5	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于PEN柔性基底XBAR谐振器的声学特性研究	王地懋谢鹏飞曾龙缪加耀王艳	《压电与声光》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	FBAR有效机电耦合系数的影响因素分析	赵坤丽高杨韩超	《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料