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空气隙型横向激励薄膜体声波滤波器工艺研究
1
作者 舒平 李桦林 +3 位作者 梁柳洪 谭发曾 冷峻林 陈兴 《压电与声光》 北大核心 2025年第2期220-224,共5页
随着通信技术的发展,对射频前端滤波器的高频化和小型化需求愈发强烈。横向激励薄膜体声波滤波器(XBAR)是一种适用于高频应用的器件,其中空气隙型XBAR因结构设计而在高频段表现出优异的性能。通过研究空气隙型XBAR的制作工艺与结构特点... 随着通信技术的发展,对射频前端滤波器的高频化和小型化需求愈发强烈。横向激励薄膜体声波滤波器(XBAR)是一种适用于高频应用的器件,其中空气隙型XBAR因结构设计而在高频段表现出优异的性能。通过研究空气隙型XBAR的制作工艺与结构特点,研制出空气隙型横向激励薄膜体声波滤波器芯片样品。基于探针测试,该滤波器芯片样品的顶部插入损耗为1.27 dB,通带带宽为808 MHz,通带相对带宽为15.9%。这对研究高频、大带宽薄膜体声波滤波器具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 横向激励薄膜体声波滤波器(xbar) 光刻 刻蚀 横向激励
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背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究 被引量：1
2
作者 徐阳 司美菊 +5 位作者 吴高米 刘文怡 巩乐乐 甄静怡 余奇 陈金琳 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期296-299,共4页
随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背... 随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背腔刻蚀等关键工艺参数。研制出的背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器,其谐振频率为4565 MHz,反谐振频率为5035 MHz,机电耦合系数为20.86%。此制备工艺对研究高频、大带宽薄膜体声波滤波器具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 干法刻蚀 刻蚀速率 横向激励 机电耦合系数 薄膜体声波谐振器
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C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备
3
作者 吴高米 马晋毅 +5 位作者 李尚志 司美菊 唐小龙 蒋世义 江洪敏 张祖伟 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期285-289,共5页
针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体... 针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR)的结构设计、参数优化和制备方法,并进行了工艺验证。通过剥离和刻蚀等步骤制备了谐振频率4.464 GHz、品质因数3039、品质因数与频率之积(f×Q)达到1.56×10^(13)GHz、面积小于0.12 mm^(2)的低杂波XBAR谐振器,并仿真分析了其用于射频滤波器的可行性。该研究为进一步研制多频率、高集成的小型化XBAR滤波器组件提供了有效的设计技术和工艺技术支撑。 展开更多
关键词 压电微机电系统(MEMS)器件 C波段射频滤波器 横向激励薄膜体声波谐振器(xbar) 多频率 高集成
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