SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究 被引量：2

1

作者 王永维 黄柯月 +4 位作者 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页

绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。 展开更多

关键词 辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流

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基于滤波网络综合的宽带功率放大器设计

2

作者 姚小江 周图镔 丛密芳 《微波学报》 北大核心 2025年第3期45-48,56,共5页

提出了一种滤波匹配网络的功率放大器设计方法。该方法将高阶匹配网络转换为具有晶体管寄生输出电容和寄生封装电感的低阶无源匹配网络,从而实现了更加紧凑的面积。为了验证所提出设计方法的可行性,设计了一款超宽带横向扩散金属氧化物... 提出了一种滤波匹配网络的功率放大器设计方法。该方法将高阶匹配网络转换为具有晶体管寄生输出电容和寄生封装电感的低阶无源匹配网络,从而实现了更加紧凑的面积。为了验证所提出设计方法的可行性,设计了一款超宽带横向扩散金属氧化物半导体功率放大器进行验证。测试结果:在300 MHz~900 MHz范围内,其输出功率在49.3 dBm~50.9 dBm之间,漏极效率为50%~68%。此外,利用W-CDMA信号对电路进行了线性度指标测试:在44 dBm的输出功率下,整个带宽的邻信道功率比值低于-43 dBc,在48 dBm的输出功率下,其仍然能够维持在-30 dBc左右。实验结果表明,所提出的网络综合方法在超宽带功率放大器的设计中能够很好地满足各项性能指标,因此用于宽带设计具有一定优势。 展开更多

关键词 功率放大器 超宽带 滤波网络 横向扩散金属氧化物半导体

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补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件

3

作者 李旭泓 孙与飏 +1 位作者 刘腾 张加宏 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期995-1000,共6页

传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷... 传统对绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的优化主要集中在关态下电离电荷场优化。而实际工作过程中,开态下的载流子会破坏漂移区的电荷平衡,从而直接影响器件的安全工作区(SOA)和可靠性。提出了载流子的动态电荷场调制机理,分析其对器件表面电场的调制作用。基于该机理,设计了一种补偿型双阱变掺杂SOI LDMOS器件结构。通过在传统器件中引入双阱变掺杂技术,优化了器件表面电场,并显著扩展了SOA。进一步采用兼容工艺制备了高压CMOS器件。实验结果显示,n型LDMOS器件关态击穿电压(V_(B))>300 V,栅压15 V下的开态V_(B)>200 V;p型LDMOS器件关态V_(B)>200 V,栅压-15 V下的开态V_(B)>300 V。该器件在关态和开态下的V_(B)均可满足200 V应用需求,适用于宽SOA。 展开更多

关键词 绝缘体上硅(SOI) 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 电荷场调制 宽安全工作区(SOA) 载流子电荷

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具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件

4

作者 康怡 刘东 +2 位作者 卢山 鲁啸龙 胡夏融 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期134-140,共7页

Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n... Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n+埋层能够有效降低界面势垒宽度,增强电子隧穿效应,降低界面电阻,进一步降低比导通电阻。位于厚氧化层角落并与漏极相连的L型场板通过在SiC漂移区和厚氧化层之间产生高电场,重塑器件横向和纵向电场强度分布,将击穿点从表面转移至体内,提高击穿电压。仿真结果表明,与传统SiC LDMOS器件相比,该器件的品质因数从109.29 MW/cm^(2)提升至159.92 MW/cm^(2),提高了46.36%,进一步改善了LDMOS器件导通电阻和击穿电压之间的折中关系,器件性能得到优化。 展开更多

关键词 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) Si/4H-SiC异质结 n^(+)埋层 L型场板 功率品质因数

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国产功率芯片射频解冻模块设计与应用

5

作者 南敬昌 戴涛 丛密芳 《辽宁工程技术大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2024年第5期633-640,共8页

为提高射频解冻领域相关产品的自主可控能力,基于国产自研横向扩散金属氧化物半导体(lateral diffusedmetaloxidesemiconductors,LDMOS)功率芯片,提出一种由全国产晶体管放大电路构成的大功率射频解冻模块设计方案。该方案核心放大电路... 为提高射频解冻领域相关产品的自主可控能力,基于国产自研横向扩散金属氧化物半导体(lateral diffusedmetaloxidesemiconductors,LDMOS)功率芯片,提出一种由全国产晶体管放大电路构成的大功率射频解冻模块设计方案。该方案核心放大电路部分采用三级级联自研功率放大器,分别为前置级DS5089、驱动级DS6S0910P和末级DS300AN,并设计大功率射频解冻模块。对模块进行射频性能测试、功能测试以及可靠性测试。研究结果表明:基于国产晶体管设计的模块具备较好的射频性能,饱和输出功率大于53 dBm,电源转化效率超过60%,并能在特定时间内快速有效地完成食物解冻。研究结论为射频解冻领域国产晶体管放大电路设计提供参考。 展开更多

关键词 国产化 功率放大器 横向扩散金属氧化物半导体 射频解冻 大功率

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200 V全碳化硅集成技术

6

作者 顾勇 马杰 +5 位作者 刘奥 黄润华 刘斯扬 柏松 张龙 孙伟锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2183-2189,共7页

本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物... 本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物半导体(Laterally-Diffused MOS,LDMOS)以及高压二极管等器件.采用P型缓冲层技术调节器件垂直方向电场分布,使高压器件垂直方向耐受电压提高212.4%;在1μm厚度的P型缓冲层和1μm厚度的P型外延层上,实现LDMOS、高压二级管和高侧区域耐受电压大于300 V.基于该工艺平台,搭建了SiC CMOS反相器和反相器链电路,均实现了0~20 V轨至轨的电压输出;设计了半桥驱动电路,低压侧驱动电路由四阶反相器构成;高压侧驱动电路由电平移位电路和高侧区域反相器链电路组成,实现了180~200 V浮空栅极驱动信号输出. 展开更多

关键词 碳化硅(SiC) 集成 碳化硅集成电路 碳化硅反相器 碳化硅横向扩散金属氧化物半导体

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基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究

7

作者 邵红 李永顺 +2 位作者 宋亮 金华俊 张森 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1582-1590,共9页

为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect... 为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect transistor,LDMOS)设计的重点和难点.本文介绍了一种基于高温氧化层(High Temperature Oxidation layer,HTO)结构的LDMOS,并对其热载流子注入退化机制进行了研究分析,利用高温氧化层结构改善了传统浅槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)结构中氧化物台阶嵌入半导体内部对器件热载流子注入造成的不利影响,提高器件可靠性,同时还缩短了器件导通情况下的电流路径长度,降低损耗.此外本文还提出了对P型体区的工艺优化方法,利用多晶硅作为高能量离子注入的掩蔽层,改善阱邻近效应对器件鲁棒性的影响,同时形成更深的冶金结,可以辅助漂移区杂质离子耗尽,降低漂移区表面电场,在不需要额外增加版次的情况下提高了器件击穿电压.最终得到的基于HTO结构的LDMOS击穿电压为43 V,比导通电阻为9.5 mΩ·mm^(2),线性区电流在10000 s之后的退化量仅为0.87%. 展开更多

关键词 横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 热载流子注入 高温氧化层 低损耗 高可靠性

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高压LDMOS场极板的分析与设计 被引量：4

8

作者 刘磊 高珊 +3 位作者 陈军宁 柯导明 刘琦 周蚌艳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期782-786,共5页

场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS,并对其具体参数进行了细致的模拟和分析。模拟结果表明... 场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS,并对其具体参数进行了细致的模拟和分析。模拟结果表明,双阶梯场板LDMOS的击穿电压比单阶梯场板LDMOS提高了15.3%,导通电阻降低了17.1%,电流驱动能力也提高了8.5%。 展开更多

关键词 横向扩散金属氧化物半导体 单阶梯场板 双阶梯场板 击穿电压

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LDMOS微波功率放大器分析与设计 被引量：4

9

作者 韩红波 郝跃 +1 位作者 冯辉 李德昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期158-161,共4页

在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,根据负载牵引得到的晶体管的输入输出阻抗运用共轭匹配,成功设计出2级LDMOS微波功率放大器,P-1大于45 dBm,在1580-1650 MHz功率增益30 dB以上,PAE大于30％。同时,得到了最终的版图并且运用MOMENTUM对... 在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,根据负载牵引得到的晶体管的输入输出阻抗运用共轭匹配,成功设计出2级LDMOS微波功率放大器,P-1大于45 dBm,在1580-1650 MHz功率增益30 dB以上,PAE大于30％。同时,得到了最终的版图并且运用MOMENTUM对它进行了2．5D仿真,得到了理想的结果。 展开更多

关键词 横向扩散金属氧化物半导体 ADS软件 功率放大器 负载牵引法 共轭匹配

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新型的功率器件——射频LDMOS 被引量：13

10

作者 黄江 王卫华 《微波学报》 CSCD 北大核心 2006年第3期48-51,共4页

射频LDMOS功率器件与普通双极型功率器件相比,结构合理、增益高、热稳定性好、性价比高,广泛应用于通信、广播、航空、军事电子等领域。文中对射频LDMOS功率器件的发展趋势、应用前景及主要性能作了较详细的分析,通过实验得出结论,LDMO... 射频LDMOS功率器件与普通双极型功率器件相比,结构合理、增益高、热稳定性好、性价比高,广泛应用于通信、广播、航空、军事电子等领域。文中对射频LDMOS功率器件的发展趋势、应用前景及主要性能作了较详细的分析,通过实验得出结论,LDMOS功率器件可用于固态发射机中。 展开更多

关键词 射频功率器件 横向扩散金属氧化物半导体 热稳定性 击穿电压

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一种高频E类功率放大器设计方法 被引量：2

11

作者 刘超 陈钟荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期658-662,共5页

E类功率放大器（PA）具有设计简单和高效率的优点,然而频率较高时功率管的寄生输出电容大于E类功率放大器所需的电容,这个寄生输出电容导致E类功率放大器的效率降低。提出一种高频E类功率放大器的设计方法,使用负载牵引得到考虑寄生输... E类功率放大器（PA）具有设计简单和高效率的优点,然而频率较高时功率管的寄生输出电容大于E类功率放大器所需的电容,这个寄生输出电容导致E类功率放大器的效率降低。提出一种高频E类功率放大器的设计方法,使用负载牵引得到考虑寄生输出电容后的最佳负载阻抗,再结合谐波阻抗控制方法设计E类功率放大器。采用飞思卡尔的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）功率管MRF21010设计了一款工作在930~960 MHz的E类功率放大器。测试数据表明,该功率放大器的输出功率为36.8 d Bm（4.79 W）,具有79.4%的功率附加效率。 展开更多

关键词 负载牵引 E类 功率放大器(PA) 最大频率 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 谐波阻抗

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基于双匹配的高效大功率Doherty功率放大器 被引量：2

12

作者 曾荣 周劼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期352-354,372,共4页

针对Doherty功率放大器传统设计方法的不足,提出了一种双匹配设计技术,并给出了实现方法。基于LDMOS器件,用该方法设计了一款饱和功率为55 dBm的Doherty放大器。仿真结果显示,与未采用双匹配法相比,该Doherty放大器的效率改善更好。功... 针对Doherty功率放大器传统设计方法的不足,提出了一种双匹配设计技术,并给出了实现方法。基于LDMOS器件,用该方法设计了一款饱和功率为55 dBm的Doherty放大器。仿真结果显示,与未采用双匹配法相比,该Doherty放大器的效率改善更好。功率附加效率在6 dB回退点比平衡式放大器改善15%,在回退约8 dB的区间上,整体效率都在40%以上。实测结果表明,该放大器增益约12 dB,在输出回退6 dB的区间上,功率附加效率改善10%。 展开更多

关键词 DOHERTY 双匹配 功率附加效率 功率放大器 横向扩散金属氧化物半导体器件

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50～75MHz 1200W脉冲功率LDMOS器件的研制 被引量：1

13

作者 张晓帆 郎秀兰 +1 位作者 李亮 李晓东 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期603-607,共5页

分析了工作于甚高频(VHF)频段的千瓦级横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的输出功率、漏极效率及功率增益等关键参数在设计时应考虑的因素,在此基础上,采用0.8μm LDMOS工艺成功研制了一款工作于VHF频段的脉冲大功率硅LDMOS场效应晶... 分析了工作于甚高频(VHF)频段的千瓦级横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的输出功率、漏极效率及功率增益等关键参数在设计时应考虑的因素,在此基础上,采用0.8μm LDMOS工艺成功研制了一款工作于VHF频段的脉冲大功率硅LDMOS场效应晶体管(LDMOSFET)。设计了用于50~75 MHz频带的宽带匹配电路。研制的器件击穿电压为130 V。在工作电压为50 V,工作脉宽为1 ms,占空比为30%的工作条件下测试得到,器件的带内输出功率大于1 200 W,功率增益大于20 dB,漏极效率大于65%,抗驻波比大于10∶1。 展开更多

关键词 硅 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 脉冲 大功率 宽带 千瓦级

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VHF频段宽带大功率LDMOS功放电路的设计与实现 被引量：1

14

作者 夏达 孙卫忠 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2014年第5期88-91,共4页

介绍了一种VHF频段宽带大功率LDMOS功放的设计方法,使用ADS仿真软件对其大信号模型的阻抗参数进行了提取,通过宽带巴伦匹配技术实现了匹配电路的设计。利用谐波平衡法对功放电路的增益和效率指标进行仿真,并与实物测试数据对比,验证了... 介绍了一种VHF频段宽带大功率LDMOS功放的设计方法,使用ADS仿真软件对其大信号模型的阻抗参数进行了提取,通过宽带巴伦匹配技术实现了匹配电路的设计。利用谐波平衡法对功放电路的增益和效率指标进行仿真,并与实物测试数据对比,验证了设计方法的可行性。该功放电路在VHF频段100%相对带宽内,实现输出功率大于1 000 W,效率高于70%,带内波动优于1 dB的指标。文中为VHF频段宽带大功率LDMOS功放电路的设计提供了一种可行的设计方法,可应用于同类型功放电路的设计中,具有广阔的工程应用前景。 展开更多

关键词 甚高频 横向扩散金属氧化物半导体 宽带巴伦 自动相关监测

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相控阵T/R组件中功放自激检测电路设计与实践 被引量：3

15

作者 葛园园 马福博 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2017年第12期67-69,73,共4页

固态相控阵雷达由于其阵面上组件弱故障率的特点,在现代雷达中大量应用。随着新型功率器件横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管和氮化镓(GaN)的广泛应用,其相对于硅(Si)双极器件容易自激的问题也日益突出,使得阵面存在极大的隐患... 固态相控阵雷达由于其阵面上组件弱故障率的特点,在现代雷达中大量应用。随着新型功率器件横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管和氮化镓(GaN)的广泛应用,其相对于硅(Si)双极器件容易自激的问题也日益突出,使得阵面存在极大的隐患。文中从自激产生的原理和危害入手,介绍了两种适合于阵面应用的自激检测电路。第一种为电流检测法,根据发射通道工作电流的变化判断,该方法只能检测出静态时出现自激故障的通道;第二种为脉宽检测法,根据开关控制信号和功率检波的时序关系进行判断,可以实现实时检测。在实际工程中可针对不同使用要求进行应用。 展开更多

关键词 固态功放 自激 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管 氮化镓(GaN)

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薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制

16

作者 王中健 夏超 +3 位作者 徐大伟 程新红 宋朝瑞 俞跃辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期254-257,共4页

针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺... 针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺兼容的制备流程。为实现均一的横向电场,设计了具有线性渐变掺杂60μm漂移区的LDMOS结构。为提高纵向耐压,利用场氧技术对硅膜进行了进一步减薄。流片实验的测试结果表明,器件关态击穿电压可达600 V以上(实测832 V),开态特性正常,阈值电压提取为1.9 V,计算开态电阻为50Ω.mm2。 展开更多

关键词 绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 击穿电压 线性渐变掺杂 注氧键合

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BP神经网络法在高压LDMOS器件设计中的应用

17

作者 程东方 吕洪涛 张铮栋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期381-383,408,共4页

利用一个3×5×1的3层BP神经网络结构对高压LDMOS的器件性能进行优化设计。将3个重要的工艺参数n-drift层注入剂量、p-top层注入剂量和p-top层长度作为网络的输入,LDMOS击穿电压作为网络的输出,利用训练得到的网络对工艺参数进... 利用一个3×5×1的3层BP神经网络结构对高压LDMOS的器件性能进行优化设计。将3个重要的工艺参数n-drift层注入剂量、p-top层注入剂量和p-top层长度作为网络的输入,LDMOS击穿电压作为网络的输出,利用训练得到的网络对工艺参数进行优化。结果表明,训练样本和测试样本的网络输出值和通过TCAD工具得到的测量值均非常接近,得到的最优工艺参数非常理想。 展开更多

关键词 高压横向扩散金属氧化物半导体 优化 反向传播神经网络

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LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究

18

作者 冯永生 刘元安 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期33-36,共4页

以横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管射频功率放大器为例,介绍了LDMOS FET电热效应模型,理论推导了LDMOS FET的结温与其耗散功率的量化关系。

关键词 横向扩散金属氧化物半导体 功率放大器 记忆效应 互调失真

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多晶硅栅对LDMOS-SCR器件ESD防护性能的影响 被引量：5

19

作者 黄龙 梁海莲 +3 位作者 顾晓峰 董树荣 毕秀文 魏志芬 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期366-370,共5页

为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件静电放电(ESD)防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器... 为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件静电放电(ESD)防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器件在不同强度ESD应力下的电流密度分布,比较器件内部触发电流泄放路径的开启顺序;通过仿真2种器件在强电压回滞下的电流线和晶格温度的分布,分析因电场影响电流泄放的方式以及温度的分布而导致ESD鲁棒性的差异.仿真和测试结果表明,与SCR相比,具有多晶硅栅的LDMOS-SCR有多条导通路径且开启速度快,有更均匀的电流和电场分布;触发电压降低了12.5%,失效电流提高了27.0%,ESD鲁棒性强. 展开更多

关键词 静电放电 可控硅 横向扩散金属氧化物半导体 多晶硅栅 传输线脉冲测试

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SiC功率LDMOS器件发展现状及新进展 被引量：1

20

作者 杨帅强 刘英坤 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第11期949-960,共12页

集成化和小型化是未来电力电子技术的发展方向,SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件兼有SiC材料优势和LDMOS器件优势,击穿电压高、比导通电阻低、易与其他器件集成,在单片功率集成和小型化应用中起着重要的作用,但受限于晶圆材料... 集成化和小型化是未来电力电子技术的发展方向,SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件兼有SiC材料优势和LDMOS器件优势,击穿电压高、比导通电阻低、易与其他器件集成,在单片功率集成和小型化应用中起着重要的作用,但受限于晶圆材料和部分工艺加工技术而发展有限。综述了国内外SiC晶圆材料和SiC-LDMOS器件结构的发展现状,着重从衬底材料、晶体取向和器件结构优化方面阐述了SiC-LDMOS的研究进展,指出了SiC-LDMOS全面发展的瓶颈所在,展望了未来SiC-LDMOS的发展方向。 展开更多

关键词 SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 衬底 晶面 器件结构 击穿电压 比导通电阻

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