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液相外延技术制备极低缺陷密度Si/SiO_2SOI结构
1
作者
樊瑞新
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期41-44,47,共5页
介绍了液相外延技术制备Ｓｉ／ＳｉＯ２ＳＯＩ结构的方法、系统和几个重要环节及当前发展状况，同时指出液相外延技术对制备极低缺陷密度ＳＯＩ结构具有广阔前景。
关键词
液相
外延
横向外延过生长
SOI
缺陷密度
SI/SIO2
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职称材料
用于GaN基发光二极管的蓝宝石图形衬底制备进展
被引量：
13
2
作者
崔林
汪桂根
+2 位作者
张化宇
周福强
韩杰才
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第9期897-905,共9页
近几年,图形化蓝宝石衬底因其作为GaN基发光二极管外延衬底,不仅能降低GaN外延薄膜的线位错密度,还能提高LED的光提取效率而引起国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.本文综述了图形化蓝宝石衬底提高GaN基发光二极管性能的作用机理,重点...
近几年,图形化蓝宝石衬底因其作为GaN基发光二极管外延衬底,不仅能降低GaN外延薄膜的线位错密度,还能提高LED的光提取效率而引起国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.本文综述了图形化蓝宝石衬底提高GaN基发光二极管性能的作用机理,重点评述了目前图形化蓝宝石衬底的制备方法(湿法刻蚀、干法刻蚀、固相反应)和图形尺寸(微米图形化、纳米图形化),分析比较了不同制备方法和图形尺寸制备蓝宝石图形衬底对GaN基发光二极管性能改善,最后针对蓝宝石图形衬底制备存在的问题对其今后的发展方向做出了展望.
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关键词
图形化蓝宝石衬底
氮化镓
发光二极管
横向外延过生长
综述
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职称材料
玻璃衬底上制备GaN薄膜的研究进展
被引量：
1
3
作者
汪金
张卿
+2 位作者
杨国锋
高淑梅
李果华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期801-809,834,共10页
近年来,Ga N基发光二极管（LED）的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣。但由于普通玻璃较低的软化温度（500~600℃）以及与Ga N之间存在较大的晶格失配问题,一...
近年来,Ga N基发光二极管（LED）的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣。但由于普通玻璃较低的软化温度（500~600℃）以及与Ga N之间存在较大的晶格失配问题,一直阻碍其发展。重点综述了玻璃衬底上生长Ga N薄膜的方法以及改善外延层晶体质量的技术。分别介绍了两种在普通玻璃上生长Ga N的方法,即低温生长和局部加热生长,同时详述了采用缓冲层和横向外延过生长（ELO）技术对外延Ga N晶体质量的影响。对局部加热、ELO等技术在玻璃衬底LED方面的应用进行了分析和预测,认为以玻璃为衬底的LED终会取得快速地发展。
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关键词
薄膜
氮化镓
玻璃衬底
发光二极管(LED)
横向外延过生长
(ELO)
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职称材料
题名
液相外延技术制备极低缺陷密度Si/SiO_2SOI结构
1
作者
樊瑞新
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期41-44,47,共5页
基金
国家自然基金
文摘
介绍了液相外延技术制备Ｓｉ／ＳｉＯ２ＳＯＩ结构的方法、系统和几个重要环节及当前发展状况，同时指出液相外延技术对制备极低缺陷密度ＳＯＩ结构具有广阔前景。
关键词
液相
外延
横向外延过生长
SOI
缺陷密度
SI/SIO2
Keywords
LPEELOSOIDensity of defectsThin film
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用于GaN基发光二极管的蓝宝石图形衬底制备进展
被引量：
13
2
作者
崔林
汪桂根
张化宇
周福强
韩杰才
机构
哈尔滨工业大学深圳研究生院
哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第9期897-905,共9页
基金
国家自然科学基金(50902028
51172054)
+1 种基金
深圳市基础研究计划项目(JC200903120169A)
哈尔滨工业大学科研创新基金(HIT.NSFIR.2011123)~~
文摘
近几年,图形化蓝宝石衬底因其作为GaN基发光二极管外延衬底,不仅能降低GaN外延薄膜的线位错密度,还能提高LED的光提取效率而引起国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.本文综述了图形化蓝宝石衬底提高GaN基发光二极管性能的作用机理,重点评述了目前图形化蓝宝石衬底的制备方法(湿法刻蚀、干法刻蚀、固相反应)和图形尺寸(微米图形化、纳米图形化),分析比较了不同制备方法和图形尺寸制备蓝宝石图形衬底对GaN基发光二极管性能改善,最后针对蓝宝石图形衬底制备存在的问题对其今后的发展方向做出了展望.
关键词
图形化蓝宝石衬底
氮化镓
发光二极管
横向外延过生长
综述
Keywords
patterned sapphire substrate GaN LED epitaxial lateral overgrowth review
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
玻璃衬底上制备GaN薄膜的研究进展
被引量：
1
3
作者
汪金
张卿
杨国锋
高淑梅
李果华
机构
江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期801-809,834,共10页
基金
中国博士后科学基金资助项目(2014M561623
2014M551559)
+2 种基金
江苏省博士后科研资助计划(1401013B)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP11408
JUSRP51517)
文摘
近年来,Ga N基发光二极管（LED）的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣。但由于普通玻璃较低的软化温度（500~600℃）以及与Ga N之间存在较大的晶格失配问题,一直阻碍其发展。重点综述了玻璃衬底上生长Ga N薄膜的方法以及改善外延层晶体质量的技术。分别介绍了两种在普通玻璃上生长Ga N的方法,即低温生长和局部加热生长,同时详述了采用缓冲层和横向外延过生长（ELO）技术对外延Ga N晶体质量的影响。对局部加热、ELO等技术在玻璃衬底LED方面的应用进行了分析和预测,认为以玻璃为衬底的LED终会取得快速地发展。
关键词
薄膜
氮化镓
玻璃衬底
发光二极管(LED)
横向外延过生长
(ELO)
Keywords
thin film
Ga N
glass substrate
light-emitting diode（LED）
epitaxial lateral overgrowth（ELO）
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
液相外延技术制备极低缺陷密度Si/SiO_2SOI结构
樊瑞新
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
用于GaN基发光二极管的蓝宝石图形衬底制备进展
崔林
汪桂根
张化宇
周福强
韩杰才
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
13
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
玻璃衬底上制备GaN薄膜的研究进展
汪金
张卿
杨国锋
高淑梅
李果华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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职称材料
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