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变漂移区厚度SOI横向高压器件的优化设计
被引量：
1
1
作者
郭宇锋
王志功
管邦虎
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期42-46,79,共6页
提出了一种耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种高压器件结构——变厚度漂移区SOI横向高压器件,借助二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。结果表明,变厚度漂移区结构不但可以使横向击穿电压提高20%,纵向...
提出了一种耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种高压器件结构——变厚度漂移区SOI横向高压器件,借助二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。结果表明,变厚度漂移区结构不但可以使横向击穿电压提高20%,纵向击穿电压提高10%,而且可以使漂移区掺杂浓度提高150%～200%,从而降低漂移区电阻,使器件优值提高40%以上。进一步研究表明,对于所研究的结构,采用一阶或二阶阶梯作为线性漂移区的近似,可以降低制造成本,并且不会导致器件性能的下降。
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关键词
绝缘层上硅
击穿电压
漂移区电阻
横向
变
掺杂
横向变厚度
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职称材料
基于RIE技术的倾斜表面SOI功率器件制备技术
被引量：
1
2
作者
张锐
郭宇锋
+1 位作者
程玮
花婷婷
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期268-273,共6页
对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出了多窗口反应离子刻蚀法来形成倾斜表面漂移区的新技术,建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,TCAD工具的2D工艺仿真证实了该技术的可行性,最终优化设计出了倾斜表面漂移区长度...
对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出了多窗口反应离子刻蚀法来形成倾斜表面漂移区的新技术,建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,TCAD工具的2D工艺仿真证实了该技术的可行性,最终优化设计出了倾斜表面漂移区长度为15μm的SOI LDMOS。数值仿真结果表明,其最优结构的击穿电压可达350 V,导通电阻可达1.95Ω·mm^2,同时表现出良好的源漏输出特性。
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关键词
横向变厚度
绝缘体上硅
横向
双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
反应离子刻蚀
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职称材料
题名
变漂移区厚度SOI横向高压器件的优化设计
被引量：
1
1
作者
郭宇锋
王志功
管邦虎
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
南京邮电大学光电工程学院
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期42-46,79,共6页
基金
国家自然科学基金(60806027)
中国博士后基金(20070411013)
+1 种基金
江苏省自然科学基金(BK2007605)
电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金(KF2007001)
文摘
提出了一种耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种高压器件结构——变厚度漂移区SOI横向高压器件,借助二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。结果表明,变厚度漂移区结构不但可以使横向击穿电压提高20%,纵向击穿电压提高10%,而且可以使漂移区掺杂浓度提高150%～200%,从而降低漂移区电阻,使器件优值提高40%以上。进一步研究表明,对于所研究的结构,采用一阶或二阶阶梯作为线性漂移区的近似,可以降低制造成本,并且不会导致器件性能的下降。
关键词
绝缘层上硅
击穿电压
漂移区电阻
横向
变
掺杂
横向变厚度
Keywords
SOI
breakdown voltage
drift resistance
variation of lateral doping
variation of lateral thickness
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于RIE技术的倾斜表面SOI功率器件制备技术
被引量：
1
2
作者
张锐
郭宇锋
程玮
花婷婷
机构
南京邮电大学电子科学与工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期268-273,共6页
基金
国家自然科学基金项目(60806027
61076073)
+2 种基金
江苏省高校自然科学基金项目(09KJB510010)
江苏省高校自然科学重大基础研究项目(08KJA510002)
南通市科技项目(K2008024)
文摘
对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出了多窗口反应离子刻蚀法来形成倾斜表面漂移区的新技术,建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,TCAD工具的2D工艺仿真证实了该技术的可行性,最终优化设计出了倾斜表面漂移区长度为15μm的SOI LDMOS。数值仿真结果表明,其最优结构的击穿电压可达350 V,导通电阻可达1.95Ω·mm^2,同时表现出良好的源漏输出特性。
关键词
横向变厚度
绝缘体上硅
横向
双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
反应离子刻蚀
Keywords
varied lateral thickness
SOI
LDMOS
RIE
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
变漂移区厚度SOI横向高压器件的优化设计
郭宇锋
王志功
管邦虎
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于RIE技术的倾斜表面SOI功率器件制备技术
张锐
郭宇锋
程玮
花婷婷
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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职称材料
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