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1
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高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 |
李强
葛春桥
陈露
钟威平
梁齐莹
柳春锡
丁金铎
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《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
3
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2
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窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管 |
文争
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《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
0 |
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3
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金属——氧化物——半导体场效应晶体管（MOSFET） |
吴腾奇
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《广东电子》
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1994 |
0 |
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4
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530～650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管 |
刘洪军
傅义珠
李相光
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
4
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5
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部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型 |
李尊朝
罗诚
王闯
苗治聪
张莉丽
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《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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6
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硅纳米管和纳米线场效应晶体管的模拟和比较 |
朱兆旻
张存
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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
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2014 |
1
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7
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大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制 |
刘洪军
王琪
赵杨杨
王佃利
杨勇
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《现代雷达》
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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8
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P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术 |
王思源
孙静
陆妩
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《辐射研究与辐射工艺学报》
CAS
CSCD
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2021 |
0 |
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9
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1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制 |
应贤炜
王建浩
王佃利
刘洪军
严德圣
顾晓春
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
4
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10
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2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管 |
应贤炜
王佃利
李相光
梅海
吕勇
刘洪军
严德圣
杨立杰
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《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
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2017 |
3
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11
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由pnp双极型晶体管和PMOS构成的CMOS负阻单元 |
陈乃金
郭维廉
陈燕
王伟
张世林
毛陆虹
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
0 |
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12
|
深结短沟道MOS晶体管准二维阈值电压模型 |
周少阳
柯导明
夏丹
王保童
申静
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2013 |
0 |
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13
|
千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究 |
黄乐旭
应贤炜
梅海
丁晓明
杨建
王佃利
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《现代雷达》
CSCD
北大核心
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2019 |
0 |
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14
|
电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器 |
王明宇
汤玉生
管慧
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2002 |
0 |
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15
|
重离子源类别对SiC MOSFET单粒子效应的影响 |
郝晓斌
贾云鹏
周新田
胡冬青
吴郁
唐蕴
赵元富
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《航天器环境工程》
CSCD
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2024 |
0 |
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16
|
SiC MOSFET的质子单粒子效应 |
史慧琳
郭刚
张峥
李府唐
刘翠翠
张艳文
殷倩
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2024 |
0 |
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17
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Sirenza优质LDMOS功率晶体管介绍 |
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《电视技术》
北大核心
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2007 |
0 |
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18
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BLL6H1214-500：LDMOS晶体管 |
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《世界电子元器件》
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2009 |
0 |
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19
|
功率VDMOSFET单粒子效应研究 |
段雪
郎秀兰
刘英坤
董四华
崔占东
刘忠山
孙艳玲
胡顺欣
冯彬
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《微纳电子技术》
CAS
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2008 |
4
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20
|
先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响 |
刘远
恩云飞
李斌
师谦
何玉娟
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
4
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