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基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究 |
邵红
李永顺
宋亮
金华俊
张森
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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2
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高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究 |
韩雁
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
7
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3
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N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化 |
郭维
丁扣宝
韩成功
朱大中
韩雁
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《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
0 |
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4
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功率集成器件及其兼容技术的发展 |
乔明
袁柳
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《电子与封装》
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2021 |
4
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5
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一种基于LDMOS器件的小型化P波段功率放大模块 |
苑小林
林川
吴鹏
王建浩
王云燕
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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6
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700V高压LDMOS器件瞬态失效机理研究 |
崔其晖
刘斯扬
钱钦松
孙伟锋
苏巍
张森
何乃龙
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
0 |
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7
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L波段高功率密度LDMOS脉冲功率测试方法 |
王帅
李科
丛密芳
杜寰
韩郑生
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
0 |
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8
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高压BCDMOS集成电路的工艺集成 |
马旭
邵志标
姚剑锋
张国光
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《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
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2011 |
4
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9
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Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性 |
阳治雄
曾荣周
吴振珲
廖淋圆
李中启
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《半导体技术》
北大核心
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2023 |
0 |
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