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基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究: 1; 作者邵红李永顺 +2 位作者宋亮金华俊张森《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1582-1590,共9页; 为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect... 展开更多; 关键词横向双扩散金属氧化物半导体场效应管热载流子注入高温氧化层低损耗高可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究被引量：7: 2; 作者韩雁《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期305-308,共4页; 高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路 (HV-PIC) ,是指将需承受高电压 (需达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。文中以器件模拟软件 Med... 展开更多; 关键词高压功率器件高压功率集成电路计算机辅助分析双极-CMOS-DMOS工艺横向双扩散MOS器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化: 3; 作者郭维丁扣宝 +2 位作者韩成功朱大中韩雁《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1038-1042,共5页; 针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided... 展开更多; 关键词横向双扩散N型MOS器件雪崩击穿导通电阻退化电荷泵; 在线阅读下载PDF 职称材料

功率集成器件及其兼容技术的发展被引量：4: 4; 作者乔明袁柳《电子与封装》 2021年第4期71-86,共16页; 功率集成器件在交流转直流(AC/DC)电源转换IC、高压栅驱动IC、LED驱动IC等领域均有着广泛的应用。介绍了典型的可集成功率高压器件,包括不同电压等级的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)以及基于硅和SOI材料的横向绝缘栅... 展开更多; 关键词功率集成器件横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管横向绝缘栅双极型晶体管 BCD工艺兼容技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种基于LDMOS器件的小型化P波段功率放大模块被引量：1: 5; 作者苑小林林川 +2 位作者吴鹏王建浩王云燕《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期432-435,共4页; 设计了一种基于LDMOS器件的功率放大模块。该模块采用高增益的SiGe HBT单片、高压LDMOS单片和大功率LDMOS器件的多级级联形式,实现长脉宽(15ms)、高占空比(33%)、高增益(48dB)以及大功率(200W)的设计要求;同时,该模块采用独特的两腔体... 展开更多; 关键词横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件小型化 P波段功率放大模块长脉宽高增益大功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

700V高压LDMOS器件瞬态失效机理研究: 6; 作者崔其晖刘斯扬 +4 位作者钱钦松孙伟锋苏巍张森何乃龙《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期330-335,共6页; 详细分析了700V横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件瞬态失效机理的特性。研究表明触发器件寄生晶体管开启的失效功率不仅与器件内部温度有关,同时也与电场分布有关。器件温度影响寄生阱电阻和衬底电流的大小,而电场分布影响器件内... 展开更多; 关键词横向双扩散金属氧化物半导体器件瞬态失效机理温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

L波段高功率密度LDMOS脉冲功率测试方法: 7; 作者王帅李科 +2 位作者丛密芳杜寰韩郑生《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期819-823,共5页; 报道了在工作电压50 V、频率1.2 GHz下,功率密度1.2 W/mm射频LDMOS功率器件的研制结果。由于大功率LDMOS功率器件输入阻抗小,在50Ω负载牵引系统下测试容易出现低频振荡,严重损坏待测器件。为了消除这种低频振荡,更好地进行功率测试,研... 展开更多; 关键词横向双扩散场效应管器件 L波段功率密度脉冲功率 TRL低阻抗测试夹具; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压BCDMOS集成电路的工艺集成被引量：4: 8; 作者马旭邵志标 +1 位作者姚剑锋张国光《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第11期72-75,共4页; 对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果... 展开更多; 关键词高压BCD集成电路横向双扩散MOS器件工艺集成工艺兼用; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性: 9; 作者阳治雄曾荣周 +2 位作者吴振珲廖淋圆李中启《半导体技术》北大核心 2023年第12期1071-1076,共6页; Si/SiC超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET)能有效改善Si SJ-LDMOSFET阻断电压低、温度特性差和短路可靠性低的问题。采用TCAD软件对Si SJ-LDMOSFET和Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路和温度特性进行研究。当环境温度从300 K... 展开更多; 关键词超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET) Si/SiC异质结击穿短路温度稳定性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究: 1; 作者邵红李永顺宋亮金华俊张森; 机构无锡华润上华科技有限公司器件工程部; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1582-1590,共9页; 文摘为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect transistor,LDMOS)设计的重点和难点.本文介绍了一种基于高温氧化层(High Temperature Oxidation layer,HTO)结构的LDMOS,并对其热载流子注入退化机制进行了研究分析,利用高温氧化层结构改善了传统浅槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)结构中氧化物台阶嵌入半导体内部对器件热载流子注入造成的不利影响,提高器件可靠性,同时还缩短了器件导通情况下的电流路径长度,降低损耗.此外本文还提出了对P型体区的工艺优化方法,利用多晶硅作为高能量离子注入的掩蔽层,改善阱邻近效应对器件鲁棒性的影响,同时形成更深的冶金结,可以辅助漂移区杂质离子耗尽,降低漂移区表面电场,在不需要额外增加版次的情况下提高了器件击穿电压.最终得到的基于HTO结构的LDMOS击穿电压为43 V,比导通电阻为9.5 mΩ·mm^(2),线性区电流在10000 s之后的退化量仅为0.87%.; 关键词横向双扩散金属氧化物半导体场效应管热载流子注入高温氧化层低损耗高可靠性; Keywords lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor hot carrier injection high temperature oxidation layer low loss high reliability; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究被引量：7: 2; 作者韩雁; 机构浙江大学信息学院信电系微电子所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期305-308,共4页; 基金上海市科学技术委员会资助项目编号为 0 170 15 0 48; 文摘高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路 (HV-PIC) ,是指将需承受高电压 (需达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。文中以器件模拟软件 Medici为工具 ,用计算机仿真的方法 ,研究了高压 BCD电路中高压功率器件的设计问题 ,其中包括器件结构、掺杂浓度、结深等主要参数及其它一些技术因素对器件耐压的影响 ,并给出了相应物理意义上的分析。根据这一设计 ,在国内进行了一块高压功率 BCD集成电路的试制 ,经测试 ,耐压超过 660伏 ,输出功率 40 W,且电路的其它器件参数达到设计值 ,IC电路整体功能正常。; 关键词高压功率器件高压功率集成电路计算机辅助分析双极-CMOS-DMOS工艺横向双扩散MOS器件; Keywords HV PIC CAA BCD LDMOS; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化: 3; 作者郭维丁扣宝韩成功朱大中韩雁; 机构浙江大学信息与电子工程学系; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1038-1042,共5页; 基金浙江省科学技术厅科技计划资助项目(2006C11007); 文摘针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided design)仿真和电荷泵测试,分析研究导通电阻退化发生的区域及退化的微观机理,并针对实验结果提出2种退化机制:(1)NLDMOS漂移区中的空穴注入效应,这种机制会在器件表面产生镜像负电荷,造成开态导通电阻Ron的减少;(2)漂移区中的表面态增加效应,这种机制会造成载流子迁移率的下降,引起Ron的增加.这2种机制都随着雪崩击穿电流的增加而增强.; 关键词横向双扩散N型MOS器件雪崩击穿导通电阻退化电荷泵; Keywords NLDMOS avalanche breakdown on-resistance degradation charge-pumping; 分类号 TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名功率集成器件及其兼容技术的发展被引量：4: 4; 作者乔明袁柳; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《电子与封装》 2021年第4期71-86,共16页; 基金国家自然科学基金(61674027) 四川省应用基础研究项目(18YYJC0482)。; 文摘功率集成器件在交流转直流(AC/DC)电源转换IC、高压栅驱动IC、LED驱动IC等领域均有着广泛的应用。介绍了典型的可集成功率高压器件,包括不同电压等级的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)以及基于硅和SOI材料的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),此外还介绍了高低压器件集成的BCD工艺和其他的功率集成关键技术,包括隔离技术、高压互连技术、dV/dt技术、di/dt技术、抗闩锁技术等,最后讨论了功率集成器件及其兼容技术的发展趋势。; 关键词功率集成器件横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管横向绝缘栅双极型晶体管 BCD工艺兼容技术; Keywords integrated power device lateral double-diffusion MOSFET lateral insulated gate bipolar transistor BCD process compatible technology; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于LDMOS器件的小型化P波段功率放大模块被引量：1: 5; 作者苑小林林川吴鹏王建浩王云燕; 机构南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期432-435,共4页; 文摘设计了一种基于LDMOS器件的功率放大模块。该模块采用高增益的SiGe HBT单片、高压LDMOS单片和大功率LDMOS器件的多级级联形式,实现长脉宽(15ms)、高占空比(33%)、高增益(48dB)以及大功率(200W)的设计要求;同时,该模块采用独特的两腔体一体化结构设计,使整个模块的体积和重量缩小为相同性能水平产品的五分之一到十分之一。; 关键词横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件小型化 P波段功率放大模块长脉宽高增益大功率; Keywords LDMOS device miniaturized P-band power amplifier（PA） module wide pulse high gain high power; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN45 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名700V高压LDMOS器件瞬态失效机理研究: 6; 作者崔其晖刘斯扬钱钦松孙伟锋苏巍张森何乃龙; 机构东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心华润上华科技有限公司; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期330-335,共6页; 基金江苏省自然科学基金支持项目(BK2011059); 文摘详细分析了700V横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件瞬态失效机理的特性。研究表明触发器件寄生晶体管开启的失效功率不仅与器件内部温度有关,同时也与电场分布有关。器件温度影响寄生阱电阻和衬底电流的大小,而电场分布影响器件内部碰撞电离。器件温度与电场分布均与栅脉冲参数有密切关系。为了阐述栅脉冲参数对器件温度的影响,模拟仿真了器件的热响应曲线。; 关键词横向双扩散金属氧化物半导体器件瞬态失效机理温度; Keywords LDMOS transient failure mechanisms temperature; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名L波段高功率密度LDMOS脉冲功率测试方法: 7; 作者王帅李科丛密芳杜寰韩郑生; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期819-823,共5页; 文摘报道了在工作电压50 V、频率1.2 GHz下,功率密度1.2 W/mm射频LDMOS功率器件的研制结果。由于大功率LDMOS功率器件输入阻抗小,在50Ω负载牵引系统下测试容易出现低频振荡,严重损坏待测器件。为了消除这种低频振荡,更好地进行功率测试,研究采用了直通-反射-传输线(TRL)低阻抗测试夹具。此种夹具可以很好地抑制低频率的功率增益,消除低频振荡;而且使阻抗调节器获得更多的低阻抗点,提高负载牵引系统测试的准确度。在低阻抗的负载牵引系统测试环境下,1.2 GHz下,脉冲输出功率在1 dB压缩点为109.4 W,功率密度达到1.2 W/mm。; 关键词横向双扩散场效应管器件 L波段功率密度脉冲功率 TRL低阻抗测试夹具; Keywords lateral double-diffused MOSFET（LDMOS） L-band power density pulse power low impedance TRL test fixture; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压BCDMOS集成电路的工艺集成被引量：4: 8; 作者马旭邵志标姚剑锋张国光; 机构西安交通大学电信学院佛山蓝箭电子有限公司; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第11期72-75,共4页; 文摘对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果表明,样管性能与模拟结果相符.; 关键词高压BCD集成电路横向双扩散MOS器件工艺集成工艺兼用; Keywords high voltage BCDMOS--IC LDMOS process integration process compatible; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性: 9; 作者阳治雄曾荣周吴振珲廖淋圆李中启; 机构湖南工业大学轨道交通学院; 出处《半导体技术》北大核心 2023年第12期1071-1076,共6页; 基金国家重点研发计划资助项目(2022YFB3403200) 湖南省自然科学基金资助项目(2022JJ30226)。; 文摘 Si/SiC超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET)能有效改善Si SJ-LDMOSFET阻断电压低、温度特性差和短路可靠性低的问题。采用TCAD软件对Si SJ-LDMOSFET和Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路和温度特性进行研究。当环境温度从300 K上升到400 K时,Si/SiC SJ-LDMOSFET内部最高温度均低于Si SJ-LDMOSFET,表现出良好的抑制自热效应的能力;Si/SiC SJ-LDMOSFET的击穿电压基本保持不变,且饱和电流退化率较低。发生短路时,Si/SiC SJ-LDMOSFET内部最高温度上升率要明显小于Si SJ-LDMOSFET。在环境温度为300 K和400 K时,Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路维持时间相对于Si SJ-LDMOSFET分别增加了230%和266.7%。研究结果显示Si/SiC SJ-LDMOSFET在高温下具有更好的温度稳定性和抗短路能力,适用于高温、高压和高短路可靠性要求的环境中。; 关键词超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET) Si/SiC异质结击穿短路温度稳定性; Keywords super junction lateral double-diffused metal oxide semiconductor field effect transistor(SJ-LDMOSFET) Si/SiC heterojunction breakdown short-circuit temperature stability EEACC.2560P; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究	邵红李永顺宋亮金华俊张森	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究	韩雁	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2002	7	在线阅读下载PDF 职称材料
3	N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化	郭维丁扣宝韩成功朱大中韩雁	《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	功率集成器件及其兼容技术的发展	乔明袁柳	《电子与封装》	2021	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种基于LDMOS器件的小型化P波段功率放大模块	苑小林林川吴鹏王建浩王云燕	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	700V高压LDMOS器件瞬态失效机理研究	崔其晖刘斯扬钱钦松孙伟锋苏巍张森何乃龙	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	L波段高功率密度LDMOS脉冲功率测试方法	王帅李科丛密芳杜寰韩郑生	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	高压BCDMOS集成电路的工艺集成	马旭邵志标姚剑锋张国光	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2011	4	在线阅读下载PDF 职称材料
9	Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性	阳治雄曾荣周吴振珲廖淋圆李中启	《半导体技术》北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料