TN248.4 2003020959980nm半导体激光器远场特性的优化=Optimization offar field properties for 980 nm semiconductor lasers[刊,中]/邹德恕(北京工业大学光电子技术实验室.北京(100022)),廉鹏…//半导体光电.-2002,23(4).-259-261制...TN248.4 2003020959980nm半导体激光器远场特性的优化=Optimization offar field properties for 980 nm semiconductor lasers[刊,中]/邹德恕(北京工业大学光电子技术实验室.北京(100022)),廉鹏…//半导体光电.-2002,23(4).-259-261制作小功率半导体激光器时,为了减小阈值电流,提高斜率效率,一般都采用深腐蚀法形成脊形结构以克服电流横向扩展。但是由于工艺的原因,往往使得激光器远场特性恶化,特别是水平发散角θ_∥形式多瓣。研究发现这与光刻工艺有着重要关系,利用自对准自然解理边形成TiAu欧姆接触方法克服了上述现象。展开更多
文摘TN248.4 2003020959980nm半导体激光器远场特性的优化=Optimization offar field properties for 980 nm semiconductor lasers[刊,中]/邹德恕(北京工业大学光电子技术实验室.北京(100022)),廉鹏…//半导体光电.-2002,23(4).-259-261制作小功率半导体激光器时,为了减小阈值电流,提高斜率效率,一般都采用深腐蚀法形成脊形结构以克服电流横向扩展。但是由于工艺的原因,往往使得激光器远场特性恶化,特别是水平发散角θ_∥形式多瓣。研究发现这与光刻工艺有着重要关系,利用自对准自然解理边形成TiAu欧姆接触方法克服了上述现象。
