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深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统被引量：1: 1; 作者易婷洪志良《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第9期2046-2052,共7页; 介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出... 展开更多; 关键词模拟电路综合优化集成电路CAD; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米CMOS运算放大器的综合被引量：8: 2; 作者易婷洪志良《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第12期1631-1639,共9页; 利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能... 展开更多; 关键词 CMOS运算放大器模拟电路综合直流工作点可制造性电路设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

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