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脉冲控制忆阻模拟存储器 被引量:14
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作者 胡小方 段书凯 +1 位作者 王丽丹 李传东 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期642-647,共6页
推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型,在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现模拟信息存储的方案,通过理论分析、实验仿真验证了方案的有效性。结合交叉阵列结构,该方案有望实现大... 推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型,在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现模拟信息存储的方案,通过理论分析、实验仿真验证了方案的有效性。结合交叉阵列结构,该方案有望实现大规模模拟存储阵列,推进人工神经网络和模拟式计算机的发展。 展开更多
关键词 模拟存储器 交叉阵列 电荷控制模型 磁通量控制模型 忆阻器
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直接模拟存储器件及其应用
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作者 刘存贵 《电声技术》 北大核心 1992年第7期44-46,共3页
直接模拟存储技术是在数字存储技术的基础上新发展起来的。特点是结构简单,使用方便,价格低廉。目前特别适用于声频范围,已经有多种应用。本文以典型的芯片ISD1016为例介绍了这项技术和它的应用。
关键词 存储器 数字存储器 模拟存储器
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由电流取样器和模拟存储器构成的IC能降低高速数字存储示波器的造价
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作者 John Novellino 卢良春 《电子产品世界》 1995年第5期39-39,共1页
常规的数字存储示波器(DSO)为了获得1GSa/s甚至更高的数字化取样速率,通常采用多个模—数转换器(ADC)并使之交错地执行取样作业。这种技术在某些情况下有效,但所制成的仪器不仅非常复杂,而且极其昂贵。 总部位于纽约Chestnut Ridge的LeC... 常规的数字存储示波器(DSO)为了获得1GSa/s甚至更高的数字化取样速率,通常采用多个模—数转换器(ADC)并使之交错地执行取样作业。这种技术在某些情况下有效,但所制成的仪器不仅非常复杂,而且极其昂贵。 总部位于纽约Chestnut Ridge的LeCroy公司为降低甚高速DSO的成本而采取了另一种方法。此法利用了该公司的专有单芯片取样器和模拟存储器件。它的MWD624 IC在记录长度为500个样元时能提供5GSa/s的性能。 实际上,使两个MWD624 IC交错取样就能以10GSa/s的速率获得1。 展开更多
关键词 数字存储示波器 电流取样器 模拟存储器 IC
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专栏评述
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作者 李绍荣 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期641-641,共1页
评《脉冲控制忆阻模拟存储器》 1971年,美国加州大学伯克利分校的华裔科学家蔡少棠教授从理论上预言了忆阻器的存在,并推测电路有天然的记忆能力,即使电力中断亦然。虽然这一预测提出已近40年,但一直无人能证实这一现象的存在。
关键词 美国加州大学 模拟存储器 华裔科学家 脉冲控制 记忆能力 中断
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