不同温度下JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频特性

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作者 刘先婷 刘伟景 李清华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期570-576,共7页

无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力被广泛研究。基于Sentaurus TCAD数值模拟,分析了环境温度对JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频(RF)特性... 无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力被广泛研究。基于Sentaurus TCAD数值模拟,分析了环境温度对JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频(RF)特性的影响,对比研究了JLNT-FET和IMNT-FET由于掺杂浓度和传导方式不同导致的性能差异。结果表明,随着温度升高,载流子声子散射加剧,器件的寄生电容增加,导致器件的模拟/RF性能下降。体传导的JLNT-FET受到声子散射影响较小,所以其漏源电流受温度影响比表面传导的IMNT-FET小。另外,JLNT-FET的载流子迁移率受沟道重掺杂影响,导致其驱动能力和模拟/RF性能都比IMNT-FET差。研究结果对进一步优化这两类器件及其在电路中的应用具有一定的参考意义。 展开更多

关键词 无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET) 反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET) 模拟/射频(rf)特性 环境温度 传导模式

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直流偏置对射频容性耦合放电特性的影响

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作者 邓华宇 罗日成 +4 位作者 阳冠菲 冯健 刘鹏 闫瑾 钟焱 《气体物理》 2022年第3期87-92,共6页

直流偏置能较好抑制射频容性耦合等离子体(radio frequency capacitively coupled plasma,RF-CCP)表面充电效应,但仍存在其对RF-CCP放电参量影响规律不明确,电源对参量控制复杂等问题.构建了直流源与射频源的板-板结构RF-CCP仿真模型,... 直流偏置能较好抑制射频容性耦合等离子体(radio frequency capacitively coupled plasma,RF-CCP)表面充电效应,但仍存在其对RF-CCP放电参量影响规律不明确,电源对参量控制复杂等问题.构建了直流源与射频源的板-板结构RF-CCP仿真模型,在射频源基础上施加负直流源,研究直流偏置对RF-CCP放电特性影响,并比较射频与直流偏置对放电参量影响差异.结果表明,无直流源时,周期平均电子密度N_(e,ave),周期平均电子温度T_(e,ave)均为对称分布,N_(e,ave)呈现两端小、中间大的凸函数分布,T_(e,ave)在距极板4 mm以内鞘层区均有陡然上升,极大值出现在距极板1 mm左右处;直流源会使等离子体主体区N_(e,ave)升高并发生偏移,直流源侧N_(e,ave)降低,对侧N_(e,ave)增加,且对侧增加速率较快.直流偏置可改善单侧电子温度与电子通量,但提高电子密度能力弱于射频源.实际工程中,若欲提高单侧电子温度与电子通量,应施加直流源,若提高整体电子密度,应提高射频源功率. 展开更多

关键词 容性耦合等离子体 射频 数值模拟 放电特性

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美国模拟器件公司射频功率检测器

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《电子产品世界》 2004年第12B期37-37,共1页

美国模拟器件公司(Analog Devices)推出一款用于蜂窝手机的射频(RF)功率检测器——AD8312，它可使制造商在减小系统尺寸的同时进一步提高性能。这款低漂移AD8312可在很宽动态范围内实现精管，温度稳定的功能控制，

关键词 美国模拟器件公司 射频功率 手机 功率检测器 rf 漂移 功能 宽动态范围 系统 尺寸

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FinFET被证实可用于模拟和射频电路

4

《集成电路应用》 2007年第1期26-26,共1页

尽管先进的finFET结构十分复杂．但是许多公司和研究机构正在逐步地将它变成可量产的实用器件。IMEC是最近展示finFET应用潜力的众多研究机构之一．他们制作出第一款使用们FET的运算RF电路和模拟运算放大器．其中finFET的物理栅长为45n... 尽管先进的finFET结构十分复杂．但是许多公司和研究机构正在逐步地将它变成可量产的实用器件。IMEC是最近展示finFET应用潜力的众多研究机构之一．他们制作出第一款使用们FET的运算RF电路和模拟运算放大器．其中finFET的物理栅长为45nm．栅极为金属／高K堆叠结构。 展开更多

关键词 FINFET 射频电路 模拟 运算放大器 研究机构 rf电路 结构

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吉时利引进第三代品圆射频（RF）测量功能

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《电子质量》 2005年第3期26-26,共1页

吉时利仪器公司最近发布了用于半导体生产过程中参数测试的第三代晶圆射频(RF)测量功能。对于吉时利公司第三代射频(RF)参数测量系统方案(是一个选配件)，其独特的新内容是能提供连续、自动、实时的测试质量监控，在提供优等质量结果的... 吉时利仪器公司最近发布了用于半导体生产过程中参数测试的第三代晶圆射频(RF)测量功能。对于吉时利公司第三代射频(RF)参数测量系统方案(是一个选配件)，其独特的新内容是能提供连续、自动、实时的测试质量监控，在提供优等质量结果的同时，也获得了最高测量产能、最低运行成本，以及易于使用的特点。此外，吉时利公司的射频(RF)参数测量选项是目前唯一一个在全球范围内获得验证的，适合于200mm和300mm晶圆制造工厂的半导体参数射频(RF)测试系统，适用于包括高性能逻辑电路生产和高性能模拟集成电路生产。 展开更多

关键词 rf 射频 300MM晶圆 逻辑电路 半导体生产 模拟集成电路 吉时利仪器公司 量产 产能 吉时利公司

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镜像阻抗连接SAWF的Simulink建模和特性模拟 被引量：5

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作者 杨磊 任天令 刘理天 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第2期89-91,共3页

镜像阻抗连接结构滤波器是一种低插损、高阻带抑制、高旁瓣抑制的声表面波滤波器。文章介绍了该结构的工作原理和物理模型 ,并使用 Matlab中的 Simulink工具对镜像阻抗连接结构加以数学模型化 ,然后进行了特性模拟 ,得到滤波器的频率响... 镜像阻抗连接结构滤波器是一种低插损、高阻带抑制、高旁瓣抑制的声表面波滤波器。文章介绍了该结构的工作原理和物理模型 ,并使用 Matlab中的 Simulink工具对镜像阻抗连接结构加以数学模型化 ,然后进行了特性模拟 ,得到滤波器的频率响应特性。 展开更多

关键词 镜像阻抗连续结构 声表面滤波器 射频 建模 特性模拟 SIMULINK

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磁控溅射工作压强对β-Ga2O_(3)薄膜特性的影响

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作者 段方 胡锐 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第12期2059-2064,共6页

作为新兴的第三代半导体材料,β-Ga_(2)O_(3)高质量薄膜是制备高效Ga_(2)O_(3)基器件的基础,β-Ga_(2)O_(3)薄膜的制备、表征及光电特性的研究具有深刻的意义。通过分析研究磁控溅射工作压强变化对薄膜性能和形貌的影响,为制备更高质量... 作为新兴的第三代半导体材料,β-Ga_(2)O_(3)高质量薄膜是制备高效Ga_(2)O_(3)基器件的基础,β-Ga_(2)O_(3)薄膜的制备、表征及光电特性的研究具有深刻的意义。通过分析研究磁控溅射工作压强变化对薄膜性能和形貌的影响,为制备更高质量的薄膜提供了一种新的方法。基于射频磁控溅射方法,在单晶c面蓝宝石(Al_(2)O_(3))衬底上沉积生长Ga_(2)O_(3)薄膜,并进行900℃、90min的氮气退火处理,以得到β-Ga_(2)O_(3)薄膜。沉积过程不改变其他实验参数,仅改变工作压强,研究工作压强对β-Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响。X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)表征结果显示,β-Ga_(2)O_(3)薄膜具有不同取向的衍射峰,沿着■晶向择优生长,薄膜呈多晶状态。适当增大工作压强可使β-Ga_(2)O_(3)薄膜内氧空位缺陷有效减少,从而提高薄膜结晶质量。但工作压强过高会增大Ar^(+)与靶材镓、氧原子团撞击概率,靶材原子团能量也将消耗,致使薄膜的结晶性能降低、生长速率下降。此外,工作压强对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学吸收特性的影响较大,总体而言,增大工作压强可提高β-Ga_(2)O_(3)薄膜紫外吸收特性。 展开更多

关键词 Ga2O_(3) 射频(rf)磁控溅射 工作压强 结晶质量 紫外吸收特性

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电子级金刚石材料生长及其MESFET器件特性

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作者 王晶晶 何泽召 +4 位作者 宋旭波 张平伟 郭辉 冯志红 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期685-690,共6页

采用直流电弧喷射法制备了电子级自支撑金刚石材料。采用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察金刚石膜表面形貌,用Raman光谱仪和X射线衍射仪进行晶体分析及表征,结果表明,金刚石薄膜为(110)择优取向,厚度均匀,... 采用直流电弧喷射法制备了电子级自支撑金刚石材料。采用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察金刚石膜表面形貌,用Raman光谱仪和X射线衍射仪进行晶体分析及表征,结果表明,金刚石薄膜为(110)择优取向,厚度均匀,电学性能稳定。研究了抛光转速和压力对金刚石膜抛光效率的影响,抛光处理后金刚石表面粗糙度(R ms)为0.569 nm。采用氢等离子体处理方法对该样品进行处理形成p型表面沟道,并采用自对准工艺制作出具有射频特性的金刚石场效应晶体管,其饱和电流密度为330.9 mA/mm,电流截止频率f T为9.3 GHz,最大振荡频率f max为18.5 GHz。 展开更多

关键词 直流电弧喷射法 多晶金刚石 射频场效应晶体管（rf MESFET） 射频特性 抛光速率

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线性化技术和RF预失真器调谐实现最大的PA效率

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《世界电子元器件》 2021年第9期24-25,共2页

瞄准高效放大器时,克服RF信号的非线性特性非常具有挑战性。在本应用笔记中,提出了线性化技术和RF预失真器调谐,以使用最少的组件来实现最大的PA效率。该应用中使用MAX2009/MAX2010模拟射频预失真器来使非线性无效,而不会牺牲功率放大... 瞄准高效放大器时,克服RF信号的非线性特性非常具有挑战性。在本应用笔记中,提出了线性化技术和RF预失真器调谐,以使用最少的组件来实现最大的PA效率。该应用中使用MAX2009/MAX2010模拟射频预失真器来使非线性无效,而不会牺牲功率放大器的效率和性能。 展开更多

关键词 线性化技术 功率放大器 rf信号 预失真器 射频预失真 调谐 非线性特性 PA

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单片RF VGA ADL5330

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《通讯世界》 2005年第1期69-69,共1页

美国模拟器件公司(Analog Devices)近日推出业界首款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)，它以RF功率水平工作用于无线基础设施设备。ADL5330也是首款能提供1MHz～3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。这... 美国模拟器件公司(Analog Devices)近日推出业界首款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)，它以RF功率水平工作用于无线基础设施设备。ADL5330也是首款能提供1MHz～3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。这些特点对于要求严格的无线电设计至关重要，而且从未在一颗单芯片集成电路(IC)中实现过。 展开更多

关键词 美国模拟器件公司 单片rf VGA ADL5330 单片射频可变增益放大器 衰减器 性能

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AlGaN背势垒对SiC衬底AlN/GaN HEMT器件的影响

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作者 王维 顾国栋 +1 位作者 敦少博 吕元杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期378-383,共6页

利用相同器件工艺在两种不同材料结构上制备了Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了Al Ga N背势垒结构对器件特性的影响。测试结果表明,有背势垒结构的器件最大饱和电流密度和峰值跨导要小于无背势垒结构器件,栅压偏置为+1 V时,无... 利用相同器件工艺在两种不同材料结构上制备了Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了Al Ga N背势垒结构对器件特性的影响。测试结果表明,有背势垒结构的器件最大饱和电流密度和峰值跨导要小于无背势垒结构器件,栅压偏置为+1 V时,无背势垒的Al N/Ga N HEMT器件最大饱和电流密度为1.02 A·mm-1,峰值跨导为304 m S·mm-1,有背势垒结构的器件饱和电流密度为0.75 A·mm-1,峰值跨导为252 m S·mm-1。有背势垒结构器件的亚阈值斜率为136 m V/dec,击穿电压为78 V;无背势垒结构器件的亚阈值斜率为150 m V/dec,击穿电压为64 V。栅长为0.25μm有背势垒结构的器件电流截止频率高于无背势垒结构器件,最高振荡频率要低于无背势垒结构的器件。 展开更多

关键词 AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) SIC衬底 AlGaN背势垒 直流(DC)特性 射频(rf)特性

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ADI公司50MHz～2200MHz的正交调制器

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《电子产品世界》 2006年第07X期29-30,共2页

美国模拟器件公司（Analog Devices，Inc．，简称ADI）推出工作频率为50MHz～2200MHz的正交调制解调器，不断扩展其射频（RF）集成电路的产品种类，从而使其适合低中频（IF）和RF应用，例如，宽带无线接入系统、微波射频链路发射器、电... 美国模拟器件公司（Analog Devices，Inc．，简称ADI）推出工作频率为50MHz～2200MHz的正交调制解调器，不断扩展其射频（RF）集成电路的产品种类，从而使其适合低中频（IF）和RF应用，例如，宽带无线接入系统、微波射频链路发射器、电缆调制解调器终端系统和蜂窝基础设施。ADL5385只需一个单端输入、两倍频的本地振荡器（LO）输入，从而在很宽的LO频率范围内能将复合调制信息，从基带转换到最终的RF输入。 展开更多

关键词 正交调制器 ADI公司 电缆调制解调器终端系统 美国模拟器件公司 宽带无线接入系统 rf应用 射频链路 本地振荡器 工作频率

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AD8364：双通道RMS功率检测器

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《世界电子元器件》 2005年第3期82-82,共1页

美国模拟器件公司发布一款双通道射频(RF)有效值(RMS)功率检测器．用于精密测量达2．7GHz的发射和接收信号。AD8364能够同时测量双通道复数输入信号。

关键词 功率检测器 双通道 接收信号 美国模拟器件公司 rf 发射 射频 输入信号 RMS 发布

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