期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于40nm CMOS工艺电路的NBTI退化表征方法
被引量：
2
1
作者
卿健
王燕玲
+3 位作者
李小进
石艳玲
陈寿面
胡少坚
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第4期302-306,共5页
负偏压温度不稳定性(NBTI)退化是制约纳米级集成电路性能及寿命的主导因素之一,基于40 nm CMOS工艺对NBTI模型、模型提参及可靠性仿真展开研究。首先对不同应力条件下PMOS晶体管NBTI退化特性进行测试、建模及模型参数提取,然后建立了基...
负偏压温度不稳定性(NBTI)退化是制约纳米级集成电路性能及寿命的主导因素之一,基于40 nm CMOS工艺对NBTI模型、模型提参及可靠性仿真展开研究。首先对不同应力条件下PMOS晶体管NBTI退化特性进行测试、建模及模型参数提取,然后建立了基于NBTI效应的VerilogA等效受控电压源,并嵌入Spectre^(TM)仿真库中,并将此受控电压源引入反相器及环形振荡器模块电路中进行可靠性仿真分析,可有效反映NBTI退化对电路性能的影响。提出了一套完整可行的电路NBTI可靠性预测方法,包括NBTI模型、模型参数提取、VerilogA可靠性模型描述以及电路级可靠性仿真分析,可为纳米级高性能、高可靠性集成电路设计提供有效参考。
展开更多
关键词
负偏压温度不稳定性(NBTI)
模型提参
可靠性仿真
VerilogA
反应-扩散(RD)
模型
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于40nm CMOS工艺电路的NBTI退化表征方法
被引量：
2
1
作者
卿健
王燕玲
李小进
石艳玲
陈寿面
胡少坚
机构
华东师范大学信息科学技术学院
上海集成电路研发中心
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第4期302-306,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61704056
61574056)
文摘
负偏压温度不稳定性(NBTI)退化是制约纳米级集成电路性能及寿命的主导因素之一,基于40 nm CMOS工艺对NBTI模型、模型提参及可靠性仿真展开研究。首先对不同应力条件下PMOS晶体管NBTI退化特性进行测试、建模及模型参数提取,然后建立了基于NBTI效应的VerilogA等效受控电压源,并嵌入Spectre^(TM)仿真库中,并将此受控电压源引入反相器及环形振荡器模块电路中进行可靠性仿真分析,可有效反映NBTI退化对电路性能的影响。提出了一套完整可行的电路NBTI可靠性预测方法,包括NBTI模型、模型参数提取、VerilogA可靠性模型描述以及电路级可靠性仿真分析,可为纳米级高性能、高可靠性集成电路设计提供有效参考。
关键词
负偏压温度不稳定性(NBTI)
模型提参
可靠性仿真
VerilogA
反应-扩散(RD)
模型
Keywords
negative bias temperature instability(NBTI)
extraction of model parameter
reliability simulation
VerilogA
reaction-diffusion(RD) model
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于40nm CMOS工艺电路的NBTI退化表征方法
卿健
王燕玲
李小进
石艳玲
陈寿面
胡少坚
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
