理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以...理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.展开更多
研制了一套全自动高精度可控温定量毛细管电泳仪,通过引入10 n L的进样阀实现定量进样,配合自主研制的自动进样系统和恒温液冷系统,以提高毛细管电泳的定量重复性和准确性。采用全自动定量胶束电动毛细管色谱(q MEKC)测定市售化妆品中...研制了一套全自动高精度可控温定量毛细管电泳仪,通过引入10 n L的进样阀实现定量进样,配合自主研制的自动进样系统和恒温液冷系统,以提高毛细管电泳的定量重复性和准确性。采用全自动定量胶束电动毛细管色谱(q MEKC)测定市售化妆品中苯甲酸、对羟基苯甲酸甲酯(MP)、对羟基苯甲酸乙酯(EP)、对羟基苯甲酸丙酯(PP)、对羟基苯甲酸丁酯(BP)5种防腐剂的含量,优化了分析条件。以15 mmol/L硼砂-100 mmol/L SDS混合溶液(p H 9.3)为背景电解质溶液,工作电压为20 k V,5种防腐剂在该条件下得到了良好的分离和定量结果,峰面积的相对标准偏差(RSD)小于2%。该方法快速、准确,对于化妆品中防腐剂的限用量控制具有重要意义。展开更多
文摘理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.
文摘研制了一套全自动高精度可控温定量毛细管电泳仪,通过引入10 n L的进样阀实现定量进样,配合自主研制的自动进样系统和恒温液冷系统,以提高毛细管电泳的定量重复性和准确性。采用全自动定量胶束电动毛细管色谱(q MEKC)测定市售化妆品中苯甲酸、对羟基苯甲酸甲酯(MP)、对羟基苯甲酸乙酯(EP)、对羟基苯甲酸丙酯(PP)、对羟基苯甲酸丁酯(BP)5种防腐剂的含量,优化了分析条件。以15 mmol/L硼砂-100 mmol/L SDS混合溶液(p H 9.3)为背景电解质溶液,工作电压为20 k V,5种防腐剂在该条件下得到了良好的分离和定量结果,峰面积的相对标准偏差(RSD)小于2%。该方法快速、准确,对于化妆品中防腐剂的限用量控制具有重要意义。
