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V型槽衬底内条形大光腔可见光半导体激光器
1
作者
陈国鹰
刘文杰
王新桥
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第5期18-21,共4页
采用一种新的液相外延工艺，研制出了具有大光胶结构的Ｖ型槽衬底内条形可见光发射半导体激光器。其光谱波长为７７９～７８４ｕｍ，室温连续工作阈值电流为６０ｍＡ，具有２倍阈值的基模工作时，线性输出光功率可达１８ｍＷ，４ｍＷ下...
采用一种新的液相外延工艺，研制出了具有大光胶结构的Ｖ型槽衬底内条形可见光发射半导体激光器。其光谱波长为７７９～７８４ｕｍ，室温连续工作阈值电流为６０ｍＡ，具有２倍阈值的基模工作时，线性输出光功率可达１８ｍＷ，４ｍＷ下工作寿命已超过３０００小时。
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关键词
V型
槽衬底
内条形
大光腔
半导体激光器
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职称材料
题名
V型槽衬底内条形大光腔可见光半导体激光器
1
作者
陈国鹰
刘文杰
王新桥
机构
河北工业大学
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第5期18-21,共4页
文摘
采用一种新的液相外延工艺，研制出了具有大光胶结构的Ｖ型槽衬底内条形可见光发射半导体激光器。其光谱波长为７７９～７８４ｕｍ，室温连续工作阈值电流为６０ｍＡ，具有２倍阈值的基模工作时，线性输出光功率可达１８ｍＷ，４ｍＷ下工作寿命已超过３０００小时。
关键词
V型
槽衬底
内条形
大光腔
半导体激光器
Keywords
V-channeled substrate, Inner stripe, Large optical cavity, Semiconductor laser
分类号
TN248.401 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
V型槽衬底内条形大光腔可见光半导体激光器
陈国鹰
刘文杰
王新桥
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
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