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硅通孔(TSV)的工艺引入热应力及其释放结构设计 被引量:4
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作者 孙汉 王玮 +1 位作者 陈兢 金玉丰 《应用数学和力学》 CSCD 北大核心 2014年第3期295-304,共10页
在3DSiP(三维系统级封装)的TSV(硅通孔)的工艺制造过程中,热应力会引发TSV周围的载流子迁移率的改变,进而改变3D系统级封装芯片的性能.针对这一问题,提出了一种TSV热应力释放槽结构,以期解决微机电系统(MEMS)应用的大尺寸TS... 在3DSiP(三维系统级封装)的TSV(硅通孔)的工艺制造过程中,热应力会引发TSV周围的载流子迁移率的改变,进而改变3D系统级封装芯片的性能.针对这一问题,提出了一种TSV热应力释放槽结构,以期解决微机电系统(MEMS)应用的大尺寸TSV的热应力问题.在释放槽内外,硅衬底表面的应力得到有效隔离,表面应力大大降低.在结合可行工艺参数的基础上。通过数值模拟对比了3D与2D模型的区别、不同TSV材料的区别,计算应力释放槽的深度、位置、宽度等因素对硅衬底表面应力释放的效果,给出了TSV应力释放槽的布局建议.研究结果表明含有释放槽的TSV,释放槽外热应力可以减小至无释放槽情况下的40%-60%,保留区域的面积也相应降低. 展开更多
关键词 硅通孔 热应力释放 槽状结构 数值仿真 设计建议
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一种应用于C波段的紧凑型宽轴比贴片天线
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作者 王亚飞 单志勇 卢勇杰 《电子测量技术》 2018年第11期64-67,共4页
为了满足无线C波段的应用要求,提出了一种紧凑型圆极化的微带贴片天线,该天线的尺寸为25 mm×25mm×1.6mm。顶层馈线与接地面上伸向中心的截线组成类F状时,天线的阻抗带宽得以扩展;通过在方形宽槽接地面上引入T状和矩形截线以... 为了满足无线C波段的应用要求,提出了一种紧凑型圆极化的微带贴片天线,该天线的尺寸为25 mm×25mm×1.6mm。顶层馈线与接地面上伸向中心的截线组成类F状时,天线的阻抗带宽得以扩展;通过在方形宽槽接地面上引入T状和矩形截线以及缝隙改善了圆极化特性,拓展了轴比带宽。测试结果表明该天线的回波损耗小于-10dB的带宽为3.6~12.5GHz(110.5%),轴比小于3dB的带宽为4.5~7.5GHz(50%),天线的增益在轴比带宽范围内达到了3.7dB。此天线实现了小型化、宽频带等特性,适合应用于C波段宽带通信。 展开更多
关键词 圆极化 阻抗带宽 轴比 槽状结构
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