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基于桥式网络的车辆机电惯性悬架优化设计与性能研究
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作者 杨晓峰 何涛 +2 位作者 沈钰杰 刘雁玲 张颖 《振动与冲击》 EI CSCD 北大核心 2023年第8期96-103,共8页
为进一步提升应用机电惯容器的车辆悬架隔振潜能,基于桥式电网络结构,建立车辆机电惯性悬架的四分之一动力学模型,推导机电惯容器的输出力表达式。根据桥式网络阻抗的求解方法,选取三种基础的桥式网络结构与其对应的串并联网络结构进行... 为进一步提升应用机电惯容器的车辆悬架隔振潜能,基于桥式电网络结构,建立车辆机电惯性悬架的四分之一动力学模型,推导机电惯容器的输出力表达式。根据桥式网络阻抗的求解方法,选取三种基础的桥式网络结构与其对应的串并联网络结构进行对比,分析结果显示,在同等元件数量下,桥式网络相较于串并联网络可实现更高阶次的阻抗传递函数。以提升车辆悬架综合性能为目标,采用模式搜索法得到了几种不同结构的车辆机电惯性悬架最优参数。在随机路面下的仿真结果表明:在相同元件数量下,采用桥式网络相较于采用串并联网络的车辆机电惯性悬架具有更好的隔振效果,为应用机电惯容器的车辆悬架系统设计提供新的方法指导。 展开更多
关键词 惯性悬架 机电惯容器 桥式网络 高阶阻抗
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面向低压输入MC-WPT系统高增益桥式补偿网络研究 被引量:1
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作者 尚捷 贾建波 +1 位作者 戴欣 黄俊心 《重庆大学学报》 CSCD 北大核心 2021年第7期82-98,共17页
由于无线电能传输系统松耦合特性,传统无线电能传输系统的输入输出增益普遍较低。这在光伏类型的低压输入高压输出应用中面临增益不足难题。提出一种基于桥式补偿网络的新型电能变换拓扑,研究基于桥式补偿网络的MC-WPT系统的阻抗特性以... 由于无线电能传输系统松耦合特性,传统无线电能传输系统的输入输出增益普遍较低。这在光伏类型的低压输入高压输出应用中面临增益不足难题。提出一种基于桥式补偿网络的新型电能变换拓扑,研究基于桥式补偿网络的MC-WPT系统的阻抗特性以及能量传输特性,给出改进型桥式补偿网络方案。在此基础上,提出桥式补偿网络的参数设计设计方法。最后,本文通过实验验证所提出方法的正确性,可实现2~9倍的输入输出增益。 展开更多
关键词 桥式网络 补偿网络 无线电能传输 增益
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桥式复合比率网络的研究 被引量:1
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作者 张功铭 赵复真 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期258-262,共5页
本文对桥式复合比率网络的有关问题进行讨论 :( 1)同序复合比率网络与异序复合比率网络的等同性 ;( 2 )等轴双曲线函数电桥的新结构和应用 ;( 3 )全息比率网络的电路分析与实用意义。
关键词 桥式复合比率网络 全息比率网络
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基于HGA通讯网络费用的优化问题 被引量:1
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作者 刘艳秋 陈殿夏 张余利 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2005年第6期645-647,共3页
以实际网络为研究背景,针对可靠性约束下的通讯网络费用优化问题,建立了实现费用最小的非线性数学模型.针对模型的特点,根据遗传算法在求解优化模型时的特性以及其在解决该类问题时所存在的问题,利用单点爬山技术,并将其与遗传算法相结... 以实际网络为研究背景,针对可靠性约束下的通讯网络费用优化问题,建立了实现费用最小的非线性数学模型.针对模型的特点,根据遗传算法在求解优化模型时的特性以及其在解决该类问题时所存在的问题,利用单点爬山技术,并将其与遗传算法相结合,形成了混合遗传算法.通过仿真实例,表明了这种混合遗传算法在解决可靠性约束下的通讯网络费用优化问题中是可行和有效的. 展开更多
关键词 桥式网络 混合遗传算法 费用优化 系统可靠性 模型
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双极性脉冲磁控溅射电源设计 被引量:4
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作者 李波 李博婷 +8 位作者 叶超 谭巍巍 黄斌 赵娟 鲁向阳 黄宇鹏 张信 齐卓筠 康传会 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期108-113,共6页
双极性脉冲电源是磁控溅射系统中的关键设备之一。根据铌溅射处理装置的技术要求,研制了一套输出电压0~800V可调、脉冲宽度20~200μs可调、频率0~60Hz可调、脉冲电流最大幅值约150A的双极性脉冲电源,分别给出了该电源在水电阻负载和等... 双极性脉冲电源是磁控溅射系统中的关键设备之一。根据铌溅射处理装置的技术要求,研制了一套输出电压0~800V可调、脉冲宽度20~200μs可调、频率0~60Hz可调、脉冲电流最大幅值约150A的双极性脉冲电源,分别给出了该电源在水电阻负载和等离子体负载下的实验结果。设计上采用DSP控制开关电源的方式对储能电容器进行恒流充电;综合应用FPGA,PLC及触摸屏组成人机交互系统,控制输出光脉冲信号,经负压偏置驱动后使桥式结构的脉冲形成网络产生正负交替双极性脉冲。通过大量实验论证,该电源解决了等离子体负载放电打弧等问题,达到了理想的溅射效果,满足了指标要求。 展开更多
关键词 双极性脉冲 FPGA 桥式脉冲形成网络 等离子体
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一种64 GBaud双通道差分线性跨阻放大器 被引量:4
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作者 林少衡 《光通信研究》 2023年第6期57-63,共7页
【目的】针对400 Gbit/s双偏振(DP)-16正交幅度调制(QAM)相干光接收机应用的核心线性跨阻放大器(TIA)实现问题。【方法】文章基于先进锗硅异质结双极型互补氧化物半导体(SiGe BiCMOS HBT)工艺实现了一种64 GBaud双通道差分线性TIA。芯... 【目的】针对400 Gbit/s双偏振(DP)-16正交幅度调制(QAM)相干光接收机应用的核心线性跨阻放大器(TIA)实现问题。【方法】文章基于先进锗硅异质结双极型互补氧化物半导体(SiGe BiCMOS HBT)工艺实现了一种64 GBaud双通道差分线性TIA。芯片核心由两路完全相同的信号放大通道组成,以输入放大相干接收的I和Q分量。信号放大通道电路采用全差分电压并联负反馈结构作为核心TIA,采用两级差分可变增益放大器(VGA)级联结构实现进一步信号放大,单端输出阻抗50Ω的电流模逻辑(CML)缓冲器作为输出级。在输入两端,分别引入了独立的直流恢复(DCR)环路以消除输入信号直流分量及差分输出直流失调,并引入了全差分直流失调消除(DCOC)以消除工艺失配产生的输出直流失调,提高电路线性度。为了提高输入动态线性范围,引入了自动增益控制(AGC)电路以自动根据输入信号强度调节TIA跨阻及VGA增益,避免信号饱和失真;为了优化输出阻抗匹配,减小静电放电(ESD)二极管寄生电容影响,输出级采用了三端口桥式-T网络(T-Coil)电感峰化负载结构,以改善输出回损,提高带宽。芯片采用先进SiGe BiCMOS HBT工艺设计制造,裸片尺寸为1.6 mm×1.8 mm,通道间距为625μm。芯片搭配结电容C_(pd)=50 fF的光电二极管(PD)及相干接收光路元器件封装成集成相干接收机(ICR)组件进行测试。【结果】封测结果表明,该芯片小信号跨阻增益为差分5 kΩ,3 dB带宽为32 GHz,总谐波(THD)小于2%,饱和输入功率达到3 dBm,整个芯片由3.3 V单电源供电,静态功耗仅为250 mW。【结论】芯片可用于64 GBaud的相干接收应用,配合DP-16QAM调制,可实现单波400 Gbit/s传输应用。 展开更多
关键词 64 GBaud 差分线性跨阻放大器 可变增益放大器 三端口桥式-T网络 锗硅异质结双极型互补氧化物半导体
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