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质子射频场照射对^(13)C自旋晶格弛豫的影响 被引量:2
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作者 许峰 刘玉林 黄永仁 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期75-79,共5页
用扩展的Solomon方程描述1H受到射频 (RF)场照射时13 C的自旋晶格弛豫过程 .理论分析表明 ,在1H受到射频场照射时 ,13 C自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程 ,但在特定实验条件下可以变为单指数过程 .数值模拟可显示出满足TC1<TH1和TC1... 用扩展的Solomon方程描述1H受到射频 (RF)场照射时13 C的自旋晶格弛豫过程 .理论分析表明 ,在1H受到射频场照射时 ,13 C自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程 ,但在特定实验条件下可以变为单指数过程 .数值模拟可显示出满足TC1<TH1和TC1>TH1条件的13 C自旋晶格弛豫过程的明显差别以及不同射频场强度对13 C自旋晶格弛豫的影响 .通过实验观察固体L 缬氨酸的甲基13 C自旋晶格弛豫过程 ,测定相应的弛豫时间 .所得结果与理论分析和数值模拟完全吻合 . 展开更多
关键词 磁共振 自旋晶格驰豫 射频场 Solomon方程 碳13 自旋温度 氢1 核极化效应
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