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二维半金属/硅异质结中肖特基势垒高度的准确高效预测
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作者 诸海渝 文卓群 +2 位作者 熊稳 魏兴战 王峙 《物理化学学报》 北大核心 2025年第7期95-102,共8页
肖特基势垒高度(SBH)的准确预测对优化半金属/半导体异质结器件的性能至关重要。目前,二维半金属/半导体异质结构已在实验上得到广泛研究。然而,基于第一性原理的SBH预测通常需要在包含超过10^(3)个原子的超胞中求解从头算哈密顿量。计... 肖特基势垒高度(SBH)的准确预测对优化半金属/半导体异质结器件的性能至关重要。目前,二维半金属/半导体异质结构已在实验上得到广泛研究。然而,基于第一性原理的SBH预测通常需要在包含超过10^(3)个原子的超胞中求解从头算哈密顿量。计算复杂度的增加不仅导致效率极低,还限制了异质结器件的设计和优化。本研究采用密度泛函理论结合核心能级对准方法,将过渡金属二碲化物半金属/硅异质结的超胞尺寸减少了一个数量级,计算得到的SBH与实验结果一致。进一步研究了多种二维半金属化合物,结果表明候选材料的空穴SBH均低于电子SBH,此外,厚度效应在三到五层后变得可以忽略不计。本研究为复杂异质结构中SBH计算提供一种高效的计算框架,能够为高性能二维半金属异质结器件的优化设计提供理论依据。 展开更多
关键词 肖特基势垒高度 半金属/硅异质结构 核心能级对准方法 第一性原理 晶格失配
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