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题名近场效应残差分离的高精度暗室大孔径阵列校正方法
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作者
徐利兵
刘恺忻
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机构
中国电子科技集团公司第二十九研究所
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出处
《电子与信息学报》
北大核心
2025年第7期2140-2148,共9页
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文摘
针对暗室近场信号模型且校正源位置存在误差情况下,校正精度低的问题,该文提出一种近场效应残差分离的高精度暗室大孔径阵列校正方法。该方法先后利用近场相位反补偿技术、标称坐标位置下的阵列幅相误差估计技术,估计受校正源位置误差影响的低精度阵列误差估计结果。然后利用近场相位残差分离技术,去除由校正源位置误差引起的近场效应相位残差,获得高精度阵列误差估计结果。仿真结果表明,该方法有效提升阵列校正性能,提升目标测向精度,并且对校正源位置坐标误差和大阵列孔径有较高的容忍度。相比于现有有源阵列校正算法,当信号频率高,阵列孔径较大时,该方法在空间有限的暗室中能够获得更良好的校正性能。
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关键词
近场阵列校正
幅度相位误差
校正源位置误差
目标测向
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Keywords
Near-field array calibration
Amplitude and phase errors
Calibration source position deviation
Target azimuth estimation
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分类号
TN957.2
[电子电信—信号与信息处理]
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