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NIM-IC型半导体硅单晶电阻率标准样片与NBS的SRM型标准样片的比较实验
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作者 李达汉 袁隐 +2 位作者 梁文烈 姜云翔 W.A.Keenan 《计量学报》 CSCD 1990年第3期217-221,216,共6页
通过对中国计量科学研究院(NIM)与美国国家标准局(NBS)研制的硅单晶电阻率标准样片的比较实验研究,获得了标志着标准样片主要性能的方块电阻直径扫描分布曲线、全片等值分布图和大量有用数据。实验结果表明,NIN标准样片的各项性能均达到... 通过对中国计量科学研究院(NIM)与美国国家标准局(NBS)研制的硅单晶电阻率标准样片的比较实验研究,获得了标志着标准样片主要性能的方块电阻直径扫描分布曲线、全片等值分布图和大量有用数据。实验结果表明,NIN标准样片的各项性能均达到NBS同类标准样片的水平,其中,径向电阻率不均匀度和标称值偏差两项的指标还优于NBS标准样片。 展开更多
关键词 硅单晶 电阻率 标准样片 半导体
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一种光谱型椭偏仪的校准方法 被引量:4
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作者 韩志国 李锁印 +2 位作者 赵琳 冯亚南 梁法国 《中国测试》 北大核心 2017年第12期1-6,共6页
针对光谱型椭偏仪校准结果受测量模型影响大的问题进行研究,提出一种不受测量模型影响的校准方法,即通过校准椭偏角实现光谱型椭偏仪的校准。依据椭偏仪测量原理,通过仿真分析确定实现较大范围内椭偏角校准所需标准样片的薄膜厚度量值,... 针对光谱型椭偏仪校准结果受测量模型影响大的问题进行研究,提出一种不受测量模型影响的校准方法,即通过校准椭偏角实现光谱型椭偏仪的校准。依据椭偏仪测量原理,通过仿真分析确定实现较大范围内椭偏角校准所需标准样片的薄膜厚度量值,并采用半导体热氧化工艺制备出性能稳定的膜厚标准样片。使用标准样片对型号为M-2000XF的光谱型椭偏仪的椭偏角进行校准,样片厚度为2,50,500 nm对应的椭偏角偏差分别在±0.6°,±1.5°,±2°以内,该偏差对薄膜厚度的影响不超过±0.5 nm。经实验表明:该方法不受椭偏仪测量模型的影响,可有效解决光谱型椭偏仪的校准问题。 展开更多
关键词 光谱型椭偏仪 椭偏角校准 膜厚标准样片 仿真
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穆勒椭偏标定方法中LM算法研究 被引量:3
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作者 管钰晴 唐冬梅 +6 位作者 傅云霞 孙佳媛 韩志国 张波 孔明 曹程明 雷李华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第8期160-168,共9页
依据穆勒椭偏测量方法中偏振光的传输方式,提出了一种椭偏系统中光学元件参数的定标方法。通过建立出射光强关于起偏器和检偏器透光轴方位角、旋转补偿器方位角和相位延迟的非线性最小二乘模型,用列文伯格-马夸尔特(Levenberg-Marquardt... 依据穆勒椭偏测量方法中偏振光的传输方式,提出了一种椭偏系统中光学元件参数的定标方法。通过建立出射光强关于起偏器和检偏器透光轴方位角、旋转补偿器方位角和相位延迟的非线性最小二乘模型,用列文伯格-马夸尔特(Levenberg-Marquardt,LM)算法对初始参数进行迭代。求解出光学元件参数的精确值,从而实现对元件的定标。通过仿真实验,利用已知穆勒(Mueller)矩阵且标定值为(24.90±0.30)nm的SiO2/Si标准样片,基于LM算法迭代计算光强值的残差平方和。实验可得当迭代次数为50次时,残差平方和收敛到最小值0.24;与传统多点标定法进行对比试验,验证了基于LM算法求解光学参数的可行性;用标定值为(91.21±0.36)nm的SiO2/Si标准样片进行验证,得到膜厚的计算值为91.53 nm,相对误差为0.35%。结果表明:在穆勒椭偏系统参数标定中,LM算法具有收敛速度快,计算精度高等优点。 展开更多
关键词 参数定标 穆勒矩阵 椭偏测量 LM算法 标准样片
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一种基于自适应差分进化算法的薄膜参数表征方法研究(特邀) 被引量:2
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作者 管钰晴 傅云霞 +2 位作者 邹文哲 谢张宁 雷李华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第1期395-404,共10页
依据穆勒椭偏测量方法中偏振光的传输方式,文中提出了一种基于自适应差分进化算法(SADE)的各向同性纳米薄膜厚度与光学常数的表征方法。通过建立出射光强关于待测标准样片穆勒矩阵的最小二乘模型,用SADE算法对穆勒矩阵元素进行求解,并... 依据穆勒椭偏测量方法中偏振光的传输方式,文中提出了一种基于自适应差分进化算法(SADE)的各向同性纳米薄膜厚度与光学常数的表征方法。通过建立出射光强关于待测标准样片穆勒矩阵的最小二乘模型,用SADE算法对穆勒矩阵元素进行求解,并将拟合得到的穆勒光谱曲线与用双旋转补偿器穆勒矩阵椭偏仪(DRC-MME)测量得到的穆勒光谱图进行了比较,利用传输矩阵求解薄膜厚度。对标定值分别为(104.2±0.4) nm和(398.4±0.4) nm的SiO_(2)/Si标准样片进行仿真计算,实验表明:当分别迭代到80次和87次时,目标函数光强的残差平方和收敛到最小值0.97和1.01,得到的膜厚计算值分别是(103.8±0.6) nm和(397.8±0.6) nm,相对误差均小于1%。同时用计量型椭偏仪根据得到的折射率进行计算,得到膜厚的计算值分别为(104.1±0.6) nm和(398.2±0.6) nm,验证了SADE在相近收敛速度下对各向同性纳米薄膜参数求解过程中具有计算简单和可以准确的找到全局最优解的特点。 展开更多
关键词 穆勒矩阵 椭偏测量 自适应差分进化算法 适应度 标准样片
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