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高频控制开关用沟槽MOSFET的研究
被引量：
2
1
作者
王翠霞
许维胜
+2 位作者
谢福渊
陈炬
吴启迪
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期236-239,共4页
高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值,从而降低导通损耗和开关损耗。基于器件与工艺模拟软件TsupremIV和Medici,研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击穿电压、比导通电阻和栅漏电荷的影响,优化设计了耐...
高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值,从而降低导通损耗和开关损耗。基于器件与工艺模拟软件TsupremIV和Medici,研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击穿电压、比导通电阻和栅漏电荷的影响,优化设计了耐压30V的开关用沟槽MOSFET器件。对栅极充电曲线中平台段变倾斜的现象,运用沟道长度调制效应给出了解释。
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关键词
沟槽MOSFET
器件优值
沟道长度调制效应
栅-漏电荷
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职称材料
题名
高频控制开关用沟槽MOSFET的研究
被引量：
2
1
作者
王翠霞
许维胜
谢福渊
陈炬
吴启迪
机构
同济大学
FORCEMOS技术有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期236-239,共4页
基金
国家“863”计划引导项目(2006AA05Z211)
文摘
高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值,从而降低导通损耗和开关损耗。基于器件与工艺模拟软件TsupremIV和Medici,研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击穿电压、比导通电阻和栅漏电荷的影响,优化设计了耐压30V的开关用沟槽MOSFET器件。对栅极充电曲线中平台段变倾斜的现象,运用沟道长度调制效应给出了解释。
关键词
沟槽MOSFET
器件优值
沟道长度调制效应
栅-漏电荷
Keywords
trench MOSFET
figure of merit （FOM）
channel length modulation （CLM） effect
gate
-
drain charge
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高频控制开关用沟槽MOSFET的研究
王翠霞
许维胜
谢福渊
陈炬
吴启迪
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
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