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T型栅GaN HEMT微波器件ESD特性研究
1
作者
倪志远
白霖
+2 位作者
林罡
鲍诚
章军云
《电子技术应用》
2025年第4期40-44,共5页
对Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效机理与影响因素进行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效电压分布情况,并结合微光显微镜定位了引起器件退化的异常点,进行了对应的微区分析。另外,还探究了T型栅几何尺寸如栅脚、栅帽宽度与总栅...
对Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效机理与影响因素进行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效电压分布情况,并结合微光显微镜定位了引起器件退化的异常点,进行了对应的微区分析。另外,还探究了T型栅几何尺寸如栅脚、栅帽宽度与总栅宽等工艺参数对器件抗静电能力的影响并进行相关机理分析,为器件ESD性能、可靠性的优化提供了方向与参考。
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关键词
GaN
HEMT
T型
栅
ESD
栅脚栅帽
总
栅
宽
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职称材料
题名
T型栅GaN HEMT微波器件ESD特性研究
1
作者
倪志远
白霖
林罡
鲍诚
章军云
机构
南京电子器件研究所
出处
《电子技术应用》
2025年第4期40-44,共5页
文摘
对Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效机理与影响因素进行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效电压分布情况,并结合微光显微镜定位了引起器件退化的异常点,进行了对应的微区分析。另外,还探究了T型栅几何尺寸如栅脚、栅帽宽度与总栅宽等工艺参数对器件抗静电能力的影响并进行相关机理分析,为器件ESD性能、可靠性的优化提供了方向与参考。
关键词
GaN
HEMT
T型
栅
ESD
栅脚栅帽
总
栅
宽
Keywords
GaN HEMT
T-shape gate
gate foot and gate head
total gate width
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
T型栅GaN HEMT微波器件ESD特性研究
倪志远
白霖
林罡
鲍诚
章军云
《电子技术应用》
2025
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