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等离子体工艺引起的MOSFET栅氧化层损伤 被引量:3
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作者 朱志炜 郝跃 +1 位作者 赵天绪 张进城 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期126-132,共7页
在深亚微米 MOS集成电路制造中 ,等离子体工艺已经成为主流工艺。而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制 MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素。文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损伤、边缘损伤和表面不平坦引起的... 在深亚微米 MOS集成电路制造中 ,等离子体工艺已经成为主流工艺。而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制 MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素。文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损伤、边缘损伤和表面不平坦引起的电子遮蔽效应的主要机理 ,并在此基础上讨论了减小等离子体损伤的有效方法。 展开更多
关键词 等离子体工艺 MOSFET 栅氧化层损伤 半导体器件 等离子体损伤 天线结构 集成电路
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