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等离子体工艺引起的MOSFET栅氧化层损伤
被引量：
3
1
作者
朱志炜
郝跃
+1 位作者
赵天绪
张进城
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期126-132,共7页
在深亚微米 MOS集成电路制造中 ,等离子体工艺已经成为主流工艺。而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制 MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素。文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损伤、边缘损伤和表面不平坦引起的...
在深亚微米 MOS集成电路制造中 ,等离子体工艺已经成为主流工艺。而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制 MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素。文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损伤、边缘损伤和表面不平坦引起的电子遮蔽效应的主要机理 ,并在此基础上讨论了减小等离子体损伤的有效方法。
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关键词
等离子体工艺
MOSFET
栅氧化层损伤
半导体器件
等离子体
损伤
天线结构
集成电路
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职称材料
题名
等离子体工艺引起的MOSFET栅氧化层损伤
被引量：
3
1
作者
朱志炜
郝跃
赵天绪
张进城
机构
西安电子科技大学微电子所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期126-132,共7页
基金
重点预先研究项目支持研究 (项目编号 :8.5 .3 .4)
文摘
在深亚微米 MOS集成电路制造中 ,等离子体工艺已经成为主流工艺。而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制 MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素。文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损伤、边缘损伤和表面不平坦引起的电子遮蔽效应的主要机理 ,并在此基础上讨论了减小等离子体损伤的有效方法。
关键词
等离子体工艺
MOSFET
栅氧化层损伤
半导体器件
等离子体
损伤
天线结构
集成电路
Keywords
semiconductor device
plasma damage
antenna structure
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
等离子体工艺引起的MOSFET栅氧化层损伤
朱志炜
郝跃
赵天绪
张进城
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003
3
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