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栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善被引量：6: 1; 作者张金中张文余 +2 位作者谢振宇陈旭闵泰烨《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期991-995,共5页; 在TFT小型化趋势下,需要进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管的TFT特性,尤其是开态电流特性。本文结合生产实际,阐述了工艺上改善氢化非晶硅开态电流特性的方法,包括提高单位面积栅绝缘层电容和改善载流子迁移率。实验结果表明,降低高速沉... 展开更多; 关键词栅极绝缘层氢化非晶硅界面处理 TFT特性等离子增强化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT特性的影响研究被引量：4: 2; 作者田宗民陈旭 +5 位作者张金中张文余谢振宇郭建姜晓辉闵泰烨《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期32-37,共6页; 通过对低速沉积的栅极绝缘层(GL层)和低速沉积的有源层(AL层)的薄膜沉积条件进行了优化,分析了沉积AL层的功率,间距等条件的变更对薄膜的沉积速率和均匀性的影响,解释这些工艺条件对I on的影响的本质,确定最佳的沉积AL层的沉积条件;调整... 展开更多; 关键词栅极绝缘层有源层沉积条件优化 TFT特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT电学特性的改善: 3; 作者田宗民陈旭 +5 位作者谢振宇张金中张文余崔子巍郭建闵泰烨《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期849-854,共6页; 对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(Ion)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二为最优条件。对比... 展开更多; 关键词栅极绝缘层有源层沉积条件优化电学特性改善; 在线阅读下载PDF 职称材料

TFT栅极绝缘层和非晶硅膜层的ITO污染对电学特性影响的研究被引量：1: 4; 作者王守坤袁剑峰 +3 位作者郭会斌郭总杰李升玄邵喜斌《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期930-936,共7页; 本文对TFT在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中,透明电极ITO成分对膜层的污染和TFT电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO成分会对PECVD设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染,并会影响TF... 展开更多; 关键词薄膜晶体管化学气相沉积栅极绝缘层有源层非晶硅膜氧化铟锡电学特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善被引量：6: 1; 作者张金中张文余谢振宇陈旭闵泰烨; 机构北京京东方光电科技有限公司工艺开发部; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期991-995,共5页; 文摘在TFT小型化趋势下,需要进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管的TFT特性,尤其是开态电流特性。本文结合生产实际,阐述了工艺上改善氢化非晶硅开态电流特性的方法,包括提高单位面积栅绝缘层电容和改善载流子迁移率。实验结果表明,降低高速沉积栅绝缘层的气压和厚度,能有效提高单位面积栅极绝缘层电容。增加低速沉积栅绝缘层的Si/N比及优化氢等离子体处理工艺,可以有效改善载流子迁移率。; 关键词栅极绝缘层氢化非晶硅界面处理 TFT特性等离子增强化学气相沉积; Keywords Gate insulator a-Si：H Interface process TFT characteristics PECVD; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT特性的影响研究被引量：4: 2; 作者田宗民陈旭张金中张文余谢振宇郭建姜晓辉闵泰烨; 机构北京京东方光电科技有限公司; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期32-37,共6页; 基金京东方研发基金项目(10D-HP-TFT); 文摘通过对低速沉积的栅极绝缘层(GL层)和低速沉积的有源层(AL层)的薄膜沉积条件进行了优化,分析了沉积AL层的功率,间距等条件的变更对薄膜的沉积速率和均匀性的影响,解释这些工艺条件对I on的影响的本质,确定最佳的沉积AL层的沉积条件;调整了GL层的功率和NH3流量,分析了两者对I on的影响规律并分析了内在的原因。通过对比优化前后的薄膜晶体管(TFT)特性曲线发现,I on提升了32%,开关比(I on/I off)提升了约40%,达到了优化TFT特性的目的。; 关键词栅极绝缘层有源层沉积条件优化 TFT特性; Keywords Gate insulating layer, Active layer, Deposition conditions optimization, TFT characteristics; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT电学特性的改善: 3; 作者田宗民陈旭谢振宇张金中张文余崔子巍郭建闵泰烨; 机构北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期849-854,共6页; 基金京东方研发基金(No.10D_HP_TFT); 文摘对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(Ion)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二为最优条件。对比优化前后产品的栅极偏应力下TFT的转移曲线和高频信号下电容-电压曲线,进一步分析了产品的电学稳定性。研究发现Ion提升了42%,开关比(Ion/Ioff)提升了约70%,优化后的TFT的稳定性优于优化之前,达到了改善TFT特性的目的。; 关键词栅极绝缘层有源层沉积条件优化电学特性改善; Keywords gate insulating layer active layer deposition conditions optimization electricalcharacteristics improvement; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TFT栅极绝缘层和非晶硅膜层的ITO污染对电学特性影响的研究被引量：1: 4; 作者王守坤袁剑峰郭会斌郭总杰李升玄邵喜斌; 机构北京京东方显示技术有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期930-936,共7页; 文摘本文对TFT在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中,透明电极ITO成分对膜层的污染和TFT电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO成分会对PECVD设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染,并会影响TFT的电学特性。建议采用独立的PECVD设备完成ITO膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积,并且对设备进行周期性清洗,可降低ITO成分的污染和提高产品的电学性能。; 关键词薄膜晶体管化学气相沉积栅极绝缘层有源层非晶硅膜氧化铟锡电学特性; Keywords TFT PECVD gate insulation layers active layers a-Si films ITO electrical characteristics; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善	张金中张文余谢振宇陈旭闵泰烨	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT特性的影响研究	田宗民陈旭张金中张文余谢振宇郭建姜晓辉闵泰烨	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	栅极绝缘层和有源层沉积工艺的优化对TFT电学特性的改善	田宗民陈旭谢振宇张金中张文余崔子巍郭建闵泰烨	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	TFT栅极绝缘层和非晶硅膜层的ITO污染对电学特性影响的研究	王守坤袁剑峰郭会斌郭总杰李升玄邵喜斌	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料