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新型栅极电荷保持驱动同步整流器的研究被引量：14: 1; 作者胡宗波张波《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第2期45-50,共6页; 介绍了同步整流器中一种新的电压驱动方式———栅极电荷保持驱动方式 ,该驱动方式解决了传统电压驱动同步整流器在死区时间内 ,续流二极管的导通问题 ,因此降低了整流损耗 ,提高了整流效率。利用该驱动方式设计了一台输入为 4 8V (36～... 展开更多; 关键词同步整流器电压驱动栅极电荷保持驱动方式正激变换器; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOS管栅极电荷Q_g测试仪的设计被引量：1: 2; 作者钟晴晴林志贵张彩霞《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2011年第6期63-66,共4页; 以AD9218芯片为AD采集芯片、MCF56F8257 DSC为主控制器,设计了一款便携式的Qg测试仪,并给出了设计原理及实验结果.结果表明,该设计能准确测得Qg,同时也为同类参数测量提供参考.; 关键词 MOS管栅极电荷测试仪 AD9218 MCF56F8257; 在线阅读下载PDF 职称材料

安捷伦率先推出适用于功率电路设计的功率器件分析仪仪器表征全部功率器件参数——Ron、漏电流、Ciss、Coss、Crss和栅极电荷: 3; 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2014年第5期519-519,共1页; 近日，安捷伦科技公司（NYSE：A）日前宣布推出业界首款适用于电路设计的功率器件分析仪AgilentB1506A。B1506A能够在不同工作条件和-50℃～＋250℃温度范围内对功率器件参数进行全面自动表征，覆盖高达1500A和3kV的电流和电压范围。; 关键词安捷伦科技公司功率器件器件参数仪器表征电路设计分析仪漏电流栅极电荷; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压大功率SiC MOSFETs短路保护方法: 4; 作者汪涛黄樟坚 +3 位作者虞晓阳张茂强骆仁松李响《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1583-1595,共13页; 碳化硅(SiC)MOSFETs短路承受能力弱,研究其短路保护方法成为保障电力电子设备安全运行的重要课题。现有方法大多围绕低压小功率SiC MOSFETs,然而随着电压和功率等级的提升,器件特性有所差异,直接套用以往设计难以实现高压大功率SiC MOSF... 展开更多; 关键词 SiC MOSFETs 高压大功率短路保护器件特性漏源极电压栅极电荷; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于GaN器件的有源箝位正激变换器设计: 5; 作者汪渭滨徐海军王伟《现代电子技术》北大核心 2024年第6期119-123,共5页; 有源箝位正激变换器因为开关管的软开关控制,可以降低高频下的开关损耗,已是中型功率隔离变换器实现高效率、高功率密度的主流解决方案。文中基于有源箝位正激变换器设计一款输入28 V、输出3.3 V/30 A的电源样机,开关频率为700 kHz,原... 展开更多; 关键词有源箝位正激变换器氮化镓开关管栅极电荷平面变压器同步整流; 在线阅读下载PDF 职称材料

功率-MOSFET开关特性与参数的测试电路及方法被引量：4: 6; 作者侯铁年马怀俭《电测与仪表》北大核心 2002年第4期27-30,共4页; 介绍了测试功率场效应晶体管(简称功率-MOSFET)开关特性、极间电容、栅极电荷等特性与参数的电路及测试方法,经实测证明是正确的。; 关键词功率-场效应管上升时间下降时间极间电容栅极电荷测试电路功率-MOSFET 开关特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型栅极电荷保持驱动同步整流器的研究被引量：14: 1; 作者胡宗波张波; 机构华南理工大学电力学院雅达电源实验室; 出处《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第2期45-50,共6页; 基金广东省科技计划项目 ( 2 0 0 2A10 5 0 10 3 ); 文摘介绍了同步整流器中一种新的电压驱动方式———栅极电荷保持驱动方式 ,该驱动方式解决了传统电压驱动同步整流器在死区时间内 ,续流二极管的导通问题 ,因此降低了整流损耗 ,提高了整流效率。利用该驱动方式设计了一台输入为 4 8V (36～ 70V ) ,输出为 2 2V、 2 0A ,开关频率为 2 0 0kHz的正激变换器 ,其最高效率达到 91 %。; 关键词同步整流器电压驱动栅极电荷保持驱动方式正激变换器; Keywords Synchronous rectification,voltage driven,dead time,efficiency; 分类号 TM461 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOS管栅极电荷Q_g测试仪的设计被引量：1: 2; 作者钟晴晴林志贵张彩霞; 机构天津工业大学电气工程与自动化学院天津工业大学电子与信息工程学院; 出处《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2011年第6期63-66,共4页; 文摘以AD9218芯片为AD采集芯片、MCF56F8257 DSC为主控制器,设计了一款便携式的Qg测试仪,并给出了设计原理及实验结果.结果表明,该设计能准确测得Qg,同时也为同类参数测量提供参考.; 关键词 MOS管栅极电荷测试仪 AD9218 MCF56F8257; Keywords MOSFET Qs measurer AD9218 MCF56F8257; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名安捷伦率先推出适用于功率电路设计的功率器件分析仪仪器表征全部功率器件参数——Ron、漏电流、Ciss、Coss、Crss和栅极电荷: 3; 出处《电子测量与仪器学报》 CSCD 2014年第5期519-519,共1页; 文摘近日，安捷伦科技公司（NYSE：A）日前宣布推出业界首款适用于电路设计的功率器件分析仪AgilentB1506A。B1506A能够在不同工作条件和-50℃～＋250℃温度范围内对功率器件参数进行全面自动表征，覆盖高达1500A和3kV的电流和电压范围。; 关键词安捷伦科技公司功率器件器件参数仪器表征电路设计分析仪漏电流栅极电荷; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压大功率SiC MOSFETs短路保护方法: 4; 作者汪涛黄樟坚虞晓阳张茂强骆仁松李响; 机构南京南瑞继保电气有限公司; 出处《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1583-1595,共13页; 基金南瑞集团有限公司科技项目(JS2101854)。; 文摘碳化硅(SiC)MOSFETs短路承受能力弱,研究其短路保护方法成为保障电力电子设备安全运行的重要课题。现有方法大多围绕低压小功率SiC MOSFETs,然而随着电压和功率等级的提升,器件特性有所差异,直接套用以往设计难以实现高压大功率SiC MOSFETs的快速、可靠保护。该文首先详细研究了几种常用短路检测方法;其次基于高压大功率SiC MOSFETs器件特性,深入对比分析了不同短路检测方法的适用性,提出一种阻容式漏源极电压检测和栅极电荷检测相结合的短路保护方法;最后搭建了实验平台验证所提方法的可行性。结果表明,提出的方法在硬开关短路故障(hard switching fault,HSF)下,保护响应时间缩短了1.4μs,短路能量降低了62.5%;且能可靠识别负载短路故障(fault under load,FUL)。; 关键词 SiC MOSFETs 高压大功率短路保护器件特性漏源极电压栅极电荷; Keywords SiC MOSFETs high-voltage and high-power short-circuit protection device characteristics drain-source voltage gate charge; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于GaN器件的有源箝位正激变换器设计: 5; 作者汪渭滨徐海军王伟; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所; 出处《现代电子技术》北大核心 2024年第6期119-123,共5页; 文摘有源箝位正激变换器因为开关管的软开关控制,可以降低高频下的开关损耗,已是中型功率隔离变换器实现高效率、高功率密度的主流解决方案。文中基于有源箝位正激变换器设计一款输入28 V、输出3.3 V/30 A的电源样机,开关频率为700 kHz,原边主开关管采用低栅极电荷、低输出电容、零反向恢复损耗的氮化镓(GaN)器件,再结合平面变压器技术及次级同步整流(SR)技术,使样机峰值效率达到95.13%。最后通过对样机测试结果分析来验证方案的高效率和高功率密度。; 关键词有源箝位正激变换器氮化镓开关管栅极电荷平面变压器同步整流; Keywords active clamp forward converter GaN switching tube gate charge flat transformer synchronous rectification; 分类号 TN624-34 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名功率-MOSFET开关特性与参数的测试电路及方法被引量：4: 6; 作者侯铁年马怀俭; 机构沈阳工业学院自控系哈尔滨理工大学; 出处《电测与仪表》北大核心 2002年第4期27-30,共4页; 文摘介绍了测试功率场效应晶体管(简称功率-MOSFET)开关特性、极间电容、栅极电荷等特性与参数的电路及测试方法,经实测证明是正确的。; 关键词功率-场效应管上升时间下降时间极间电容栅极电荷测试电路功率-MOSFET 开关特性; Keywords power-MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor) rise time fall time inter-electrode capacitance gata lelctric charge; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	新型栅极电荷保持驱动同步整流器的研究	胡宗波张波	《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心	2003	14	在线阅读下载PDF 职称材料
2	MOS管栅极电荷Q_g测试仪的设计	钟晴晴林志贵张彩霞	《天津工业大学学报》 CAS 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	安捷伦率先推出适用于功率电路设计的功率器件分析仪仪器表征全部功率器件参数——Ron、漏电流、Ciss、Coss、Crss和栅极电荷		《电子测量与仪器学报》 CSCD	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高压大功率SiC MOSFETs短路保护方法	汪涛黄樟坚虞晓阳张茂强骆仁松李响	《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于GaN器件的有源箝位正激变换器设计	汪渭滨徐海军王伟	《现代电子技术》北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	功率-MOSFET开关特性与参数的测试电路及方法	侯铁年马怀俭	《电测与仪表》北大核心	2002	4	在线阅读下载PDF 职称材料