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压接型IGBT内部栅极电压一致性影响因素及调控方法
被引量：
2
1
作者
张冠柔
傅实
+4 位作者
彭程
李学宝
唐新灵
赵志斌
崔翔
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第5期393-401,共9页
压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动印制电路板(PCB)寄生参数不一致会引起瞬态过程中内部IGBT芯片栅极电压不一致,芯片不能同时开通,造成芯片的瞬态不均流。结合压接型IGBT驱动PCB结构及运行工况,建立了包含驱动源、芯片模型、驱动PCB...
压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动印制电路板(PCB)寄生参数不一致会引起瞬态过程中内部IGBT芯片栅极电压不一致,芯片不能同时开通,造成芯片的瞬态不均流。结合压接型IGBT驱动PCB结构及运行工况,建立了包含驱动源、芯片模型、驱动PCB的一体化电路模型,分析了栅极内电阻、栅射极电容以及驱动电阻对驱动电压一致性的影响。在此基础上提出了驱动PCB电感匹配、并联芯片数匹配以及集中电阻补偿的驱动PCB的调控方法,以实现对栅极电压一致性的有效调控。研究表明驱动电阻是造成芯片栅极电压不一致的主要因素。利用上述调控方法可将芯片开通时间的不均衡度由79.2%分别降低至2.86%、7.1%和7.5%,实验验证了所提出的驱动PCB调控方法的有效性。
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关键词
压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)
并联均流
栅极电压一致性
驱动印制电路板(PCB)
布线原则
调控方法
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职称材料
题名
压接型IGBT内部栅极电压一致性影响因素及调控方法
被引量：
2
1
作者
张冠柔
傅实
彭程
李学宝
唐新灵
赵志斌
崔翔
机构
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)
全球能源互联网研究院有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第5期393-401,共9页
基金
国家电网公司总部科技项目(5455GB190007)。
文摘
压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动印制电路板(PCB)寄生参数不一致会引起瞬态过程中内部IGBT芯片栅极电压不一致,芯片不能同时开通,造成芯片的瞬态不均流。结合压接型IGBT驱动PCB结构及运行工况,建立了包含驱动源、芯片模型、驱动PCB的一体化电路模型,分析了栅极内电阻、栅射极电容以及驱动电阻对驱动电压一致性的影响。在此基础上提出了驱动PCB电感匹配、并联芯片数匹配以及集中电阻补偿的驱动PCB的调控方法,以实现对栅极电压一致性的有效调控。研究表明驱动电阻是造成芯片栅极电压不一致的主要因素。利用上述调控方法可将芯片开通时间的不均衡度由79.2%分别降低至2.86%、7.1%和7.5%,实验验证了所提出的驱动PCB调控方法的有效性。
关键词
压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)
并联均流
栅极电压一致性
驱动印制电路板(PCB)
布线原则
调控方法
Keywords
press-packed insulated gate bipolar transistor(IGBT)
parallel current sharing
gate voltage uniformity
drive print circuit board(PCB)
wiring principle
control method
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
压接型IGBT内部栅极电压一致性影响因素及调控方法
张冠柔
傅实
彭程
李学宝
唐新灵
赵志斌
崔翔
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
2
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