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高介电常数的栅极电介质LaAlO_3薄膜的性能研究
被引量：
16
1
作者
王东生
于涛
+3 位作者
游彪
夏奕东
胡安
刘治国
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期229-232,共4页
在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介...
在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压±1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能. C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料.
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关键词
栅极电介质材料
介电常数
LaAlO3薄膜
铝酸镧
半导体集成电路
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职称材料
金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程（英文）
被引量：
1
2
作者
Tabitha M.Cook
Adam C.Lamb
薛子陵
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期1947-1958,共12页
金属氧化物薄膜如HfO_2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO_2(k=3.9),从而...
金属氧化物薄膜如HfO_2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO_2(k=3.9),从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中被广泛用作前体,通过与O2、H_2O或O_3的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展,包括我们对d0过渡金属配合物与O_2反应的研究。
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关键词
金属氧化物
栅极电介质材料
薄膜
微电子学
化学气相沉积
原子层沉积
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职称材料
题名
高介电常数的栅极电介质LaAlO_3薄膜的性能研究
被引量：
16
1
作者
王东生
于涛
游彪
夏奕东
胡安
刘治国
机构
南京大学固体微结构物理国家重点实验室
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期229-232,共4页
基金
国家自然科学基金(19890310)
文摘
在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压±1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能. C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料.
关键词
栅极电介质材料
介电常数
LaAlO3薄膜
铝酸镧
半导体集成电路
Keywords
gate dielectric materials
high-k
LaAlO3 thin films
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TM215 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程（英文）
被引量：
1
2
作者
Tabitha M.Cook
Adam C.Lamb
薛子陵
机构
田纳西大学化学系、美国诺克斯维尔市田纳西州
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期1947-1958,共12页
基金
美国国家科学基金会(No.CHE-1633870)资助项目
文摘
金属氧化物薄膜如HfO_2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO_2(k=3.9),从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中被广泛用作前体,通过与O2、H_2O或O_3的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展,包括我们对d0过渡金属配合物与O_2反应的研究。
关键词
金属氧化物
栅极电介质材料
薄膜
微电子学
化学气相沉积
原子层沉积
Keywords
metal oxides
gate dielectrics
thin films
microelectronics
CVD
ALD
分类号
O614 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高介电常数的栅极电介质LaAlO_3薄膜的性能研究
王东生
于涛
游彪
夏奕东
胡安
刘治国
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
16
在线阅读
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职称材料
2
金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程（英文）
Tabitha M.Cook
Adam C.Lamb
薛子陵
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
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职称材料
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