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题名基于GGNMOS的ESD建模与仿真技术研究
被引量：3
- 1
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作者
郭鑫
唐晓莉
张怀武
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2015年第2期327-329,共3页
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基金
自然科学基金资助项目(51171038)
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文摘
随着微电子加工工艺技术的发展,集成电路对静电越来越敏感。设计合理有效的静电放电(ESD)保护器件显得日趋重要。传统的"手动计算+流片验证"的设计方法费时耗力。该文基于栅极接地的NMOS(GGNMOS)器件,以Sentaurus为仿真平台,建立器件模型,根据ESD防护能力的需求,计算出GGNMOS的设计参数,设计出防护指标达到人体模型(HBM)4.5kV的管子。结果表明,该方法简单有效,能缩短设计周期,是防护器件设计的一种优秀方法。
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关键词
栅极接地的nmos(ggnmos)
人体模型(HBM)
静电放电(ESD)
建模
仿真
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Keywords
grounded gate nmos（ggnmos）
human body model（HBM）
electrostatic discharge（ESD）
modeling
simulation
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种CMOS新型ESD保护电路设计
被引量：1
- 2
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作者
沈放
陈巍
黄灿英
陈艳
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机构
南昌大学科学技术学院
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出处
《现代电子技术》
北大核心
2015年第24期128-131,共4页
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基金
江西省教育改革课题(JXJG-11-22-2)
江西省教育改革课题(JXJG-13-28-6)
+2 种基金
江西省教育改革课题(JXJG-14-28-8)
江西省教育厅青年科学基金项目(GJJ12165)
江西省教育教学"十二五"规划课题(11YB452)
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文摘
金属氧化物半导体(MOS)器件的缩放技术使集成电路芯片面临着严重的静电放电(ESD)威胁,而目前采用的ESD保护电路由于电流集边效应等原因,普遍存在着抗静电能力有限、占用较大芯片面积等问题。根据全芯片ESD防护机理,基于SMIC 0.18μm工艺设计并实现了一种新型ESD保护电路,其具有结构简单、占用芯片面积小、抗ESD能力强等特点。对电路的测试结果表明,相对于相同尺寸栅极接地结构ESD保护电路,新型ESD保护电路在降低35%芯片面积的同时,抗ESD击穿电压提升了32%,能够有效保护芯片内部电路免受ESD造成的损伤和降低ESD保护电路的成本。
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关键词
静电放电(ESD)保护
栅极接地nmos
抗静电
电流集边效应
低成本
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Keywords
ESD protection
gate-grounded n MOS
anti-static electricity
current crowding effect
low cost
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分类号
TN43-34
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名高速CMOS模拟集成电路中的静电保护电路设计
被引量：2
- 3
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作者
吴鹏
何乐年
陈曦
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机构
浙江大学超大规模集成电路设计研究所
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出处
《江南大学学报（自然科学版）》
CAS
2005年第1期19-22,共4页
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文摘
分析了静电放电(ESD)保护的基本原理,指出了传统的用于模拟电路的 ESD保护电路在高速电路应用中的局限性.提出了在端口的栅极接地NMOS管和栅极接电源 PMOS管的基础上,加上电源与地之间的高速静电泻放回路(片上保护)的新电路结构.仿真结果表明,该电路满足USB2.0高速接口电路的ESD保护要求.试验测试结果表明该 ESD保护电路在人体模式下的击穿电压在正负2 500 V以上,具有实际的应用意义.
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关键词
静电放电保护
人体模型
片上保护
栅极接地的nmos
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Keywords
ESD
HBM
on-chip protection
ggnmos
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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