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高介电常数的栅极电介质LaAlO_3薄膜的性能研究 被引量:16
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作者 王东生 于涛 +3 位作者 游彪 夏奕东 胡安 刘治国 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期229-232,共4页
在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介... 在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压±1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能. C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料. 展开更多
关键词 栅极介质材料 介电常数 LaAlO3薄膜 铝酸镧 半导体集成电路
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高K栅介质研究进展 被引量:8
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作者 赵毅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期16-19,共4页
介绍了国内外对高K栅极介质的研究现状。分析了适合用于作为栅极介质的高介电常数材料的种类,用于制备高K薄膜的方法。
关键词 栅极介质 高介电常数材料 高K栅介质 介电层 场效应管 二氧化硅
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Extracting the effective mass of fewer layers 2D h-BN nanosheets using the Fowler-Nordheim tunneling model
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作者 QIN Jia-Yi LUO Man +4 位作者 CHENG Tian-Tian MENG Yu-Xin ZU Yuan-Ze WANG Xin YU Chen-Hui 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2024年第6期744-748,共5页
Hexagonal boron nitride(h-BN)is found to have widespread application,owing to its outstanding properties,including gate dielectrics,passivation layers,and tunneling layers.The current studies on the funda⁃mental physi... Hexagonal boron nitride(h-BN)is found to have widespread application,owing to its outstanding properties,including gate dielectrics,passivation layers,and tunneling layers.The current studies on the funda⁃mental physical properties of these ultrathin h-BN films and the electron tunneling effect among them are inade⁃quate.In this work,the effective mass in h-BN was successfully determined through a combined approach of ex⁃perimental and theoretical research methods by fitting the current-voltage curves of metal/insulator/metal struc⁃tures.It was observed that within a range of 4-22 layers,the effective mass of h-BN exhibits a monotonic de⁃crease with an increase in the number of layers.The physical parameters of the Fowler-Nordheim tunneling model in the context of electron tunneling in h-BN are precisely ascertained by utilizing the extracted effective mass.Ad⁃ditionally,the impact of fixed charges at the metal/h-BN interface and various metal electrode types on FowlerNordheim tunneling within this structure is investigated utilizing this physical parameter in Sentaurus TCAD soft⁃ware.This work is informative and instructive in promoting applications in the fields of h-BN related infrared physics and technology. 展开更多
关键词 H-BN 2D layered material Fowler-Nordheim tunneling gate dielectrics TCAD simulation
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TiO_2薄膜的MOCVD法制备及其退火条件的研究 被引量:2
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作者 王栋 王民 +3 位作者 许效红 侯云 王弘 韩辉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第6期476-478,共3页
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的结晶性;通过测量C-V曲线和BT实验分别研究了TiO2/Si系统的固定电荷密度和薄膜中的可动电荷密度。实验结果... 用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的结晶性;通过测量C-V曲线和BT实验分别研究了TiO2/Si系统的固定电荷密度和薄膜中的可动电荷密度。实验结果表明,只有在一定的退火温度下薄膜才有较好的结晶性。在退火温度为850°C、退火时间为30min时,可得到完全为金红石相的TiO2薄膜,其固定电荷密度的数量级为1011/cm2,可动电荷密度在(3~4)×1011/cm2,电荷极性为正。 展开更多
关键词 TIO2薄膜 MOCVD法 制备 退火条件 金属有机化合物气相淀积 X-射线衍射 BT实验 二氧化钛 栅极绝缘介质 MOS
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金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程(英文) 被引量:1
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作者 Tabitha M.Cook Adam C.Lamb 薛子陵 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第11期1947-1958,共12页
金属氧化物薄膜如HfO_2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO_2(k=3.9),从而... 金属氧化物薄膜如HfO_2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO_2(k=3.9),从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中被广泛用作前体,通过与O2、H_2O或O_3的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展,包括我们对d0过渡金属配合物与O_2反应的研究。 展开更多
关键词 金属氧化物 栅极介质材料 薄膜 微电子学 化学气相沉积 原子层沉积
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