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基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响
被引量：
4
1
作者
王晨辉
陈伟
+6 位作者
刘岩
李斌
杨善潮
金晓明
白小燕
齐超
林东生
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期171-176,共6页
通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×10...
通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×1012,6×1012,8×1012,1×1013 cm-2的中子辐照实验,研究基区表面势的增加和降低对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤退化特性的影响。研究结果表明,基区表面势的增加引起栅控横向PNP晶体管共射极电流增益倒数的变化量随辐照中子注量的退化速率增加,基区表面势的降低对位移损伤退化速率无明显影响。
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关键词
基区表面势
栅控横向pnp晶体管
中子位移损伤
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职称材料
轨道交通用750A/6500V高功率密度IGBT模块
被引量：
11
2
作者
刘国友
罗海辉
+2 位作者
李群锋
黄建伟
覃荣震
《机车电传动》
北大核心
2016年第6期21-26,共6页
通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键。基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS^+)元胞结构、增强型受控缓冲层(CPT^+)及横向变掺杂集电极(VLDC)技术、横向变掺杂(VLD)终端结构等关...
通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键。基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS^+)元胞结构、增强型受控缓冲层(CPT^+)及横向变掺杂集电极(VLDC)技术、横向变掺杂(VLD)终端结构等关键技术,研发了具有低通态损耗的6 500 V平面栅IGBT芯片及其配套快恢复二极管(FRD)芯片。将IGBT及FRD芯片封装成750 A/6 500 V IGBT模块并对其进行测试、试验,其动、静态特性与安全工作区(SOA)性能优良,满足我国高速动车组、大功率机车等轨道交通牵引的应用要求。
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关键词
绝缘
栅
双极
晶体管
“U”形增强型双扩散金属氧化物半导体
增强型受
控
缓冲层
横向
变掺杂集电极
750
A/6
500
V
IGBT模块
轨道交通
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职称材料
题名
基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响
被引量：
4
1
作者
王晨辉
陈伟
刘岩
李斌
杨善潮
金晓明
白小燕
齐超
林东生
机构
强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所)
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期171-176,共6页
基金
国家自然科学基金重点项目(11235008)
文摘
通过在常规横向PNP晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向PNP晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10V和10V的栅控横向PNP晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×1012,6×1012,8×1012,1×1013 cm-2的中子辐照实验,研究基区表面势的增加和降低对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤退化特性的影响。研究结果表明,基区表面势的增加引起栅控横向PNP晶体管共射极电流增益倒数的变化量随辐照中子注量的退化速率增加,基区表面势的降低对位移损伤退化速率无明显影响。
关键词
基区表面势
栅控横向pnp晶体管
中子位移损伤
Keywords
base surface potential
gate-controlled lateral
pnp
bipolar transistor
neutron displacement damage
分类号
TN322 [电子电信—物理电子学]
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
轨道交通用750A/6500V高功率密度IGBT模块
被引量：
11
2
作者
刘国友
罗海辉
李群锋
黄建伟
覃荣震
机构
株洲中车时代电气股份有限公司新型功率半导体器件国家重点实验室
中国铁路总公司
出处
《机车电传动》
北大核心
2016年第6期21-26,共6页
文摘
通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键。基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS^+)元胞结构、增强型受控缓冲层(CPT^+)及横向变掺杂集电极(VLDC)技术、横向变掺杂(VLD)终端结构等关键技术,研发了具有低通态损耗的6 500 V平面栅IGBT芯片及其配套快恢复二极管(FRD)芯片。将IGBT及FRD芯片封装成750 A/6 500 V IGBT模块并对其进行测试、试验,其动、静态特性与安全工作区(SOA)性能优良,满足我国高速动车组、大功率机车等轨道交通牵引的应用要求。
关键词
绝缘
栅
双极
晶体管
“U”形增强型双扩散金属氧化物半导体
增强型受
控
缓冲层
横向
变掺杂集电极
750
A/6
500
V
IGBT模块
轨道交通
Keywords
IGBT
＂U＂-shape DMOS＋
CPT＋
VLDC
750 A/6 500 V IGBT module
rail transit
分类号
U264.37 [机械工程—车辆工程]
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响
王晨辉
陈伟
刘岩
李斌
杨善潮
金晓明
白小燕
齐超
林东生
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
轨道交通用750A/6500V高功率密度IGBT模块
刘国友
罗海辉
李群锋
黄建伟
覃荣震
《机车电传动》
北大核心
2016
11
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职称材料
已选择
0
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引证文献
统计分析
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