低温多晶硅-氧化物半导体混合集成(Low temperature polycrystalline silicon and oxide,LTPO)的薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)背板技术融合了低温多晶硅和氧化物半导体TFT两者的优势,为低功耗、高性能显示以及功能化集成提供...低温多晶硅-氧化物半导体混合集成(Low temperature polycrystalline silicon and oxide,LTPO)的薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)背板技术融合了低温多晶硅和氧化物半导体TFT两者的优势,为低功耗、高性能显示以及功能化集成提供了新的发展机遇,获得了产业界和学术界的广泛关注。本文系统地总结和分析了LTPO相关技术与应用的研究进展以及面临的技术挑战。首先,讨论了分别针对液晶显示(Liquid crystal display,LCD)和有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)显示的LTPO背板的集成方式,进一步总结分析了实现LTPO集成的器件结构和工艺挑战。此外,针对有源矩阵OLED显示,分析了LTPO技术用于设计兼容低帧率和高帧率驱动、具有内部补偿功能的像素电路的优势,以及在超低帧率(如1 Hz)驱动情况下,TFT器件稳定性带来的影响和相关的补偿驱动方法。最后,对LTPO技术进一步发展的可能趋势进行了展望。展开更多
低温多晶硅氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide,LTPO)半导体混合集成显示技术是一种集成低温多晶硅(LTPS)和金属氧化物半导体(MOS)的新型集成显示技术,旨在实现高性能和低功耗的显示解决方案。在LTPO集成工艺过程中,氢可能...低温多晶硅氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide,LTPO)半导体混合集成显示技术是一种集成低温多晶硅(LTPS)和金属氧化物半导体(MOS)的新型集成显示技术,旨在实现高性能和低功耗的显示解决方案。在LTPO集成工艺过程中,氢可能从低温多晶硅层扩散到金属氧化物层,导致器件阈值电压漂移和稳定性恶化,影响显示产品性能。本文详细探讨了氢在LTPS和MOS器件中的存在差异以及氢对MOS器件的影响,总结了MOS器件两类氢阻挡方法:使用不同的介质层、离子掺杂工艺。此外,本文还整理了针对LTPO器件的氢阻挡方法,以提高LTPO器件的稳定性和可靠性。最后,对LTPO技术通过氢阻挡在高性能显示领域实现更广泛的应用进行了展望。展开更多
文摘低温多晶硅氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide,LTPO)半导体混合集成显示技术是一种集成低温多晶硅(LTPS)和金属氧化物半导体(MOS)的新型集成显示技术,旨在实现高性能和低功耗的显示解决方案。在LTPO集成工艺过程中,氢可能从低温多晶硅层扩散到金属氧化物层,导致器件阈值电压漂移和稳定性恶化,影响显示产品性能。本文详细探讨了氢在LTPS和MOS器件中的存在差异以及氢对MOS器件的影响,总结了MOS器件两类氢阻挡方法:使用不同的介质层、离子掺杂工艺。此外,本文还整理了针对LTPO器件的氢阻挡方法,以提高LTPO器件的稳定性和可靠性。最后,对LTPO技术通过氢阻挡在高性能显示领域实现更广泛的应用进行了展望。
