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高分辨率极紫外光刻胶的研究进展被引量：5: 1; 作者高佳兴陈龙 +6 位作者玉佳婷郭旭东胡睿王双青陈金平李嫕杨国强《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1138-1153,共16页; 自集成电路芯片诞生半个多世纪以来,芯片尺寸在不断减少,以极紫外光刻为代表的光刻技术也有了显著的发展。同时,实现更高精度的光刻图案需要更加先进的光刻胶材料。传统的聚合物光刻胶材料因其相对分子质量大、高精度条纹易坍塌等缺陷... 展开更多; 关键词极紫外光刻极紫外光刻胶分子玻璃光刻胶无机金属配合物光刻胶光刻; 在线阅读下载PDF 职称材料

光刻胶材料的研究进展被引量：2: 2; 作者刘巧云祁秀秀 +2 位作者杨怡朱翔宇周勇《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第3期378-384,共7页; 简单介绍了光刻胶的组成部分,综述了近年来国内外光刻胶成膜树脂合成、开发的研究进展,并根据不同曝光波长所需的不同光刻胶(包括紫外(UV)光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光刻胶等)进行了介绍。重点介绍了各光源下分子量和分子量分散指数... 展开更多; 关键词紫外(UV)光刻胶深紫外光刻胶极紫外光刻胶成膜树脂分辨率; 在线阅读下载PDF 职称材料

光刻胶成膜剂:发展与未来被引量：8: 3; 作者朋小康黄兴文 +4 位作者刘荣涛张永文张诗洋刘屹东闵永刚《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1079-1090,共12页; 随着集成电路制程向着3 nm乃至1 nm推进,光刻胶作为集成电路制造中最为繁杂的光刻工艺所需的重要耗材,愈发显示其重要性及挑战性。光刻胶随曝光光源的进步经历了从紫外到深紫外再到极紫外的发展,本文从成膜剂角度首先综述了紫外光刻胶... 展开更多; 关键词紫外光刻胶深紫外光刻胶极紫外光刻胶化学增幅分子玻璃; 在线阅读下载PDF 职称材料

MAPDST单体在EUV光刻胶制备过程中的应用: 4; 作者李元壮姜靖逸肖国民《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第S02期32-37,共6页; 极紫外(EUV)光刻胶的研发作为适配未来光刻技术的发展方向,现已成为超高精度集成电路制造的最高效工艺技术。其中,(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(MAPDST)作为一种含辐射敏感锍基功能的关键单体,现已广泛应用于极紫外(E... 展开更多; 关键词极紫外光刻技术极紫外光刻胶 (4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐单体 RLS平衡制约关系二次电子; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高分辨率极紫外光刻胶的研究进展被引量：5: 1; 作者高佳兴陈龙玉佳婷郭旭东胡睿王双青陈金平李嫕杨国强; 机构北京分子科学国家研究中心中国科学院理化技术研究所光化学转换与功能材料重点实验室中国科学院大学; 出处《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1138-1153,共16页; 基金国家自然科学基金(Nos.21873106,21903085,22073108,U20A20144,22090012)资助。; 文摘自集成电路芯片诞生半个多世纪以来,芯片尺寸在不断减少,以极紫外光刻为代表的光刻技术也有了显著的发展。同时,实现更高精度的光刻图案需要更加先进的光刻胶材料。传统的聚合物光刻胶材料因其相对分子质量大、高精度条纹易坍塌等缺陷使其使用受到限制。以分子玻璃和无机金属配合物光刻胶为代表的相对分子质量小、结构均一的新型光刻胶材料在国内外得到了广泛发展。本文对现阶段新型极紫外光刻胶材料的发展现状和趋势做了评述。; 关键词极紫外光刻极紫外光刻胶分子玻璃光刻胶无机金属配合物光刻胶光刻; Keywords Extreme ultraviolet lithography Extreme ultraviolet photoresist Molecular glass photoresist Inorganic metal complex photoresist Lithography; 分类号 O644.1 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光刻胶材料的研究进展被引量：2: 2; 作者刘巧云祁秀秀杨怡朱翔宇周勇; 机构常州工程职业技术学院检验检测认证学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第3期378-384,共7页; 基金国家教育部首批国家级职业教育教师教学创新团队建设项目。; 文摘简单介绍了光刻胶的组成部分,综述了近年来国内外光刻胶成膜树脂合成、开发的研究进展,并根据不同曝光波长所需的不同光刻胶(包括紫外(UV)光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光刻胶等)进行了介绍。重点介绍了各光源下分子量和分子量分散指数对光致抗蚀剂的影响,并对国内外研究中通过不同聚合工艺制备的不同分子量光致抗蚀剂性能进行了评述,总结了近年来含有特定化学结构的光致抗蚀剂以及其制备工艺的研究进展。最后对国内外光刻胶的发展和应用进行了展望,指出进一步提高光刻胶的分辨率、改善其综合性能是今后的研究重点。; 关键词紫外(UV)光刻胶深紫外光刻胶极紫外光刻胶成膜树脂分辨率; Keywords ultraviolet(UV)photoresist deep UV photoresist extreme UV photoresist film forming resin resolution; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光刻胶成膜剂:发展与未来被引量：8: 3; 作者朋小康黄兴文刘荣涛张永文张诗洋刘屹东闵永刚; 机构广东工业大学材料与能源学院; 出处《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1079-1090,共12页; 基金广东省“珠江人才计划”引进创新创业团队项目(No.2016ZT06C412)资助。; 文摘随着集成电路制程向着3 nm乃至1 nm推进,光刻胶作为集成电路制造中最为繁杂的光刻工艺所需的重要耗材,愈发显示其重要性及挑战性。光刻胶随曝光光源的进步经历了从紫外到深紫外再到极紫外的发展,本文从成膜剂角度首先综述了紫外光刻胶及深紫外光刻胶的发展应用情况,接着对极紫外光刻胶的性能需求作了简述,最后重点针对极紫外光刻胶中的分子玻璃体系作了介绍及展望。; 关键词紫外光刻胶深紫外光刻胶极紫外光刻胶化学增幅分子玻璃; Keywords Ultraviolet photoresist Deep ultraviolet photoresist Extreme ultraviolet photoresist Chemical amplification Molecular glass; 分类号 O649 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MAPDST单体在EUV光刻胶制备过程中的应用: 4; 作者李元壮姜靖逸肖国民; 机构东南大学化学化工学院; 出处《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第S02期32-37,共6页; 文摘极紫外(EUV)光刻胶的研发作为适配未来光刻技术的发展方向,现已成为超高精度集成电路制造的最高效工艺技术。其中,(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(MAPDST)作为一种含辐射敏感锍基功能的关键单体,现已广泛应用于极紫外(EUV)光刻胶的研发生产过程中。首先,简要阐述在制约光刻胶性能提升过程中存在的分辨率(R)、线边缘粗糙度(LER)、曝光灵敏度(S)之间的平衡制约关系,即RLS平衡制约关系;随后,对MAPDST单体的优越性能以及在推动光刻胶朝着高分辨率方向发展的应用现状进行综述;最后,对EUV光刻胶材料及MAPDST单体的未来发展做出展望。; 关键词极紫外光刻技术极紫外光刻胶 (4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐单体 RLS平衡制约关系二次电子; Keywords extreme ultraviolet lithography EUV photoresist MAPDST monomer RLS equilibrium restriction relation secondary electron; 分类号 TQ549 [化学工程—煤化学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高分辨率极紫外光刻胶的研究进展	高佳兴陈龙玉佳婷郭旭东胡睿王双青陈金平李嫕杨国强	《应用化学》 CAS CSCD 北大核心	2021	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	光刻胶材料的研究进展	刘巧云祁秀秀杨怡朱翔宇周勇	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	光刻胶成膜剂:发展与未来	朋小康黄兴文刘荣涛张永文张诗洋刘屹东闵永刚	《应用化学》 CAS CSCD 北大核心	2021	8	在线阅读下载PDF 职称材料
4	MAPDST单体在EUV光刻胶制备过程中的应用	李元壮姜靖逸肖国民	《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料