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激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展
被引量：
23
1
作者
宗楠
胡蔚敏
+5 位作者
王志敏
王小军
张申金
薄勇
彭钦军
许祖彦
《中国光学》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期28-42,共15页
半导体产业是高科技、信息化时代的支柱。光刻技术,作为半导体产业的核心技术之一,已成为世界各国科研人员的重点研究对象。本文综述了激光等离子体13.5 nm极紫外光刻的原理和国内外研究发展概况,重点介绍了其激光源、辐射靶材和多层膜...
半导体产业是高科技、信息化时代的支柱。光刻技术,作为半导体产业的核心技术之一,已成为世界各国科研人员的重点研究对象。本文综述了激光等离子体13.5 nm极紫外光刻的原理和国内外研究发展概况,重点介绍了其激光源、辐射靶材和多层膜反射镜等关键系统组成部分。同时,指出了在提高激光等离子体13.5 nm极紫外光源输出功率的研究进程中所存在的主要问题,包括提高转换效率和减少光源碎屑。特别分析了目前已实现百瓦级输出的日本Gigaphoton公司和荷兰的ASML公司的极紫外光源装置。最后对该项技术的发展前景进行了总结与展望。
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关键词
13.5
nm
极紫外光刻技术
激光等离子体
极
紫外光
源
转换效率
光源碎屑
预脉冲激光
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职称材料
MAPDST单体在EUV光刻胶制备过程中的应用
被引量：
1
2
作者
李元壮
姜靖逸
肖国民
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第S02期32-37,共6页
极紫外(EUV)光刻胶的研发作为适配未来光刻技术的发展方向,现已成为超高精度集成电路制造的最高效工艺技术。其中,(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(MAPDST)作为一种含辐射敏感锍基功能的关键单体,现已广泛应用于极紫外(E...
极紫外(EUV)光刻胶的研发作为适配未来光刻技术的发展方向,现已成为超高精度集成电路制造的最高效工艺技术。其中,(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(MAPDST)作为一种含辐射敏感锍基功能的关键单体,现已广泛应用于极紫外(EUV)光刻胶的研发生产过程中。首先,简要阐述在制约光刻胶性能提升过程中存在的分辨率(R)、线边缘粗糙度(LER)、曝光灵敏度(S)之间的平衡制约关系,即RLS平衡制约关系;随后,对MAPDST单体的优越性能以及在推动光刻胶朝着高分辨率方向发展的应用现状进行综述;最后,对EUV光刻胶材料及MAPDST单体的未来发展做出展望。
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关键词
极紫外光刻技术
极
紫外光
刻
胶
(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐单体
RLS平衡制约关系
二次电子
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职称材料
题名
激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展
被引量：
23
1
作者
宗楠
胡蔚敏
王志敏
王小军
张申金
薄勇
彭钦军
许祖彦
机构
中国科学院固体激光重点实验室
中国科学院功能晶体与激光技术重点实验室
中国科学院大学
出处
《中国光学》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期28-42,共15页
基金
国家重点研发项目(No.2016YFB0402103)
中科院关键技术团队项目(No.GJJSTD20180004)
+3 种基金
中科院理化所所长基金(No.Y8A9021H11)
国家重大科研装备研制项目(No.ZDYZ2012-2)
国家重大科学仪器设备开发专项(No.2012YQ120048)
国家自然科学重点基金项目(No.61535013)~~
文摘
半导体产业是高科技、信息化时代的支柱。光刻技术,作为半导体产业的核心技术之一,已成为世界各国科研人员的重点研究对象。本文综述了激光等离子体13.5 nm极紫外光刻的原理和国内外研究发展概况,重点介绍了其激光源、辐射靶材和多层膜反射镜等关键系统组成部分。同时,指出了在提高激光等离子体13.5 nm极紫外光源输出功率的研究进程中所存在的主要问题,包括提高转换效率和减少光源碎屑。特别分析了目前已实现百瓦级输出的日本Gigaphoton公司和荷兰的ASML公司的极紫外光源装置。最后对该项技术的发展前景进行了总结与展望。
关键词
13.5
nm
极紫外光刻技术
激光等离子体
极
紫外光
源
转换效率
光源碎屑
预脉冲激光
Keywords
13.5 nm Extreme Ultraviolet Lithography(13.5 nm-EUVL)
Laser-Produced Plasma(LPP)
extreme ultraviolet source
Conversion Efficiency(CE)
light debris
pre-pulse laser
分类号
O432.1 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
MAPDST单体在EUV光刻胶制备过程中的应用
被引量：
1
2
作者
李元壮
姜靖逸
肖国民
机构
东南大学化学化工学院
出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第S02期32-37,共6页
文摘
极紫外(EUV)光刻胶的研发作为适配未来光刻技术的发展方向,现已成为超高精度集成电路制造的最高效工艺技术。其中,(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(MAPDST)作为一种含辐射敏感锍基功能的关键单体,现已广泛应用于极紫外(EUV)光刻胶的研发生产过程中。首先,简要阐述在制约光刻胶性能提升过程中存在的分辨率(R)、线边缘粗糙度(LER)、曝光灵敏度(S)之间的平衡制约关系,即RLS平衡制约关系;随后,对MAPDST单体的优越性能以及在推动光刻胶朝着高分辨率方向发展的应用现状进行综述;最后,对EUV光刻胶材料及MAPDST单体的未来发展做出展望。
关键词
极紫外光刻技术
极
紫外光
刻
胶
(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐单体
RLS平衡制约关系
二次电子
Keywords
extreme ultraviolet lithography
EUV photoresist
MAPDST monomer
RLS equilibrium restriction relation
secondary electron
分类号
TQ549 [化学工程—煤化学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展
宗楠
胡蔚敏
王志敏
王小军
张申金
薄勇
彭钦军
许祖彦
《中国光学》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
23
在线阅读
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职称材料
2
MAPDST单体在EUV光刻胶制备过程中的应用
李元壮
姜靖逸
肖国民
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2023
1
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职称材料
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