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制作亚50nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术被引量：2: 1; 作者 Waikin Li Harum H.Solak +1 位作者 Franco Cerrina 葛劢冲《电子工业专用设备》 2001年第4期37-40,44,共5页; 极紫外光刻技术 (EUVL ,λ =1 3.4nm)是为小于 70nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术 (NGL)。在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中 ,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生 ,为极紫外干涉光刻 (EUV -IL)提供了瞬间空... 展开更多; 关键词极紫外光刻技术图形传输干涉光刻光抗蚀剂纳米光刻技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

浅谈半导体光刻技术的发展趋势被引量：1: 2; 作者樊乡《中国高新技术企业》 2009年第6期89-90,共2页; 文章通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研究,对光刻技术和光刻设备的发展趋势进行了介绍,并对我国今后半导体光刻技术及设备的发展提出了合理化建议。; 关键词半导体光刻技术 PSM技术离子束曝光技术极紫外光刻技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

先进光刻技术大步向前被引量：2: 3; 作者 Aaron Hand 《集成电路应用》 2006年第5期22-22,共1页; 正如半导体国际杂志上所说的那样，在今年的SPIE Microlithography会议上，光刻领域的技术专家们共聚一堂并发表了他们的最新研究成果。毫无疑问本次会议将会产生更多的新闻和技术热点，而近来公布的一些关于前沿浸没式光刻技术和极紫... 展开更多; 关键词极紫外光刻技术研究成果 SPIE 技术专家技术热点半导体浸没式会议新闻; 在线阅读下载PDF 职称材料

EUV光刻技术的挑战被引量：2: 4; 作者程建瑞《电子工业专用设备》 2015年第5期1-12,共12页; 光刻机的分辨率是基于瑞利分辨率公式R=k1λ/NA,提高分辨率的途径是缩短曝光光源的波长和提高投影物镜的数值孔径。目前主流市场使用的是193 nm浸没光刻机多曝光技术,已经实现16 nm技术节点的集成电路大规模生产。相对于193 nm浸没光刻... 展开更多; 关键词光学光刻技术极紫外光刻技术 EUV 双曝光技术大规模生产高分辨率集成电路光学测量技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

博弈的光刻技术面临的难题: 5; 作者 Aaron Hand 《集成电路应用》 2008年第8期I0004-I0004,25,共2页; 两天的先进光刻技术学术报告后,在Sematech Litho Forum举行的小组讨论会上,与会的专家们针对包括极紫外光刻技术（EUV）、双重成像技术、高折射率浸没式光刻技术、纳米压印技术以及无掩膜版电子束成像技术在内的各种可能的图形解决方... 展开更多; 关键词极紫外光刻技术纳米压印技术商业运作模式成像技术学术报告高折射率; 在线阅读下载PDF 职称材料

MAPDST单体在EUV光刻胶制备过程中的应用: 6; 作者李元壮姜靖逸肖国民《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第S02期32-37,共6页; 极紫外(EUV)光刻胶的研发作为适配未来光刻技术的发展方向,现已成为超高精度集成电路制造的最高效工艺技术。其中,(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(MAPDST)作为一种含辐射敏感锍基功能的关键单体,现已广泛应用于极紫外(E... 展开更多; 关键词极紫外光刻技术极紫外光刻胶 (4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐单体 RLS平衡制约关系二次电子; 在线阅读下载PDF 职称材料

权威科技声音: 7; 《中国科技财富》 2017年第7期31-32,共2页; “极紫外光刻关键技术研究”项目顺利通过验收近日，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项“极紫外光刻关键技术研究”项目顺利通过验收。评审专家组充分肯定了项目取得的一系列成果，一致同意项目通过验收，认为... 展开更多; 关键词极紫外光刻技术科技大规模集成电路声音权威成套工艺制造装备专家组; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名制作亚50nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术被引量：2: 1; 作者 Waikin Li Harum H.Solak Franco Cerrina 葛劢冲; 机构麦迪逊威斯康星大学电子计算机工程系; 出处《电子工业专用设备》 2001年第4期37-40,44,共5页; 文摘极紫外光刻技术 (EUVL ,λ =1 3.4nm)是为小于 70nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术 (NGL)。在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中 ,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生 ,为极紫外干涉光刻 (EUV -IL)提供了瞬间空间相干光源。其成像系统采用了一个洛埃镜干涉仪。用EUV -IL制作的高分辨力图形进行极紫外光刻的抗蚀剂特性研究。验证了用EUV光源的干涉光刻技术制作 1 9nm线 /间 (L/S)条纹图形 ,同时报告了采用EUV -IL技术开发亚 50nm密集线 /间图形的进展 ,并开始向制作 1 2; 关键词极紫外光刻技术图形传输干涉光刻光抗蚀剂纳米光刻技术; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名浅谈半导体光刻技术的发展趋势被引量：1: 2; 作者樊乡; 机构上海交通大学微电子学院; 出处《中国高新技术企业》 2009年第6期89-90,共2页; 文摘文章通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研究,对光刻技术和光刻设备的发展趋势进行了介绍,并对我国今后半导体光刻技术及设备的发展提出了合理化建议。; 关键词半导体光刻技术 PSM技术离子束曝光技术极紫外光刻技术; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名先进光刻技术大步向前被引量：2: 3; 作者 Aaron Hand; 机构 Semiconductor International; 出处《集成电路应用》 2006年第5期22-22,共1页; 文摘正如半导体国际杂志上所说的那样，在今年的SPIE Microlithography会议上，光刻领域的技术专家们共聚一堂并发表了他们的最新研究成果。毫无疑问本次会议将会产生更多的新闻和技术热点，而近来公布的一些关于前沿浸没式光刻技术和极紫外光刻技术（EUV）的新闻以及研究成果已经受到了广泛的关注和极大的重视。; 关键词极紫外光刻技术研究成果 SPIE 技术专家技术热点半导体浸没式会议新闻; 分类号 TN2-27 [电子电信—物理电子学] TP305 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名EUV光刻技术的挑战被引量：2: 4; 作者程建瑞; 机构上海微电子装备有限公司 CETC; 出处《电子工业专用设备》 2015年第5期1-12,共12页; 文摘光刻机的分辨率是基于瑞利分辨率公式R=k1λ/NA,提高分辨率的途径是缩短曝光光源的波长和提高投影物镜的数值孔径。目前主流市场使用的是193 nm浸没光刻机多曝光技术,已经实现16 nm技术节点的集成电路大规模生产。相对于193 nm浸没光刻机双曝光技术,极紫外(波长13.5 nm)光刻技术可以为集成电路的生产提供更高的k1,在提供高分辨率的同时拥有较大的工艺窗口,减小光刻工艺复杂性,是具有很大吸引力的光学光刻技术,预计将在14 nm/11 nm节点进入集成电路批量生产应用。但是,极紫外光刻技术还有包括曝光成像(patterning)、掩模版(mask)、光刻机(scanner)、高功率极紫外光源(source)、极紫外光刻胶、光学系统寿命等挑战需要解决。其中光刻机方面的挑战主要有:光刻机基础平台技术,对焦、剂量与套刻控制技术,光学设计与制造技术,光学测量技术,多层膜技术,波像差、杂散光控制等技术。本文对极紫外光刻的主要挑战技术进行论述。; 关键词光学光刻技术极紫外光刻技术 EUV 双曝光技术大规模生产高分辨率集成电路光学测量技术; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名博弈的光刻技术面临的难题: 5; 作者 Aaron Hand; 出处《集成电路应用》 2008年第8期I0004-I0004,25,共2页; 文摘两天的先进光刻技术学术报告后,在Sematech Litho Forum举行的小组讨论会上,与会的专家们针对包括极紫外光刻技术（EUV）、双重成像技术、高折射率浸没式光刻技术、纳米压印技术以及无掩膜版电子束成像技术在内的各种可能的图形解决方案的优、缺点各抒己见．然而，在这些讨论中各种技术部面临着共同的问题，即采用何种商业运作模式以回收巨额的先期研发投入、如何进行利益分配和成本控制以及如何扫除光刻技术前进道路上的障碍。; 关键词极紫外光刻技术纳米压印技术商业运作模式成像技术学术报告高折射率; 分类号 TP305 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] O225 [理学—运筹学与控制论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MAPDST单体在EUV光刻胶制备过程中的应用: 6; 作者李元壮姜靖逸肖国民; 机构东南大学化学化工学院; 出处《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第S02期32-37,共6页; 文摘极紫外(EUV)光刻胶的研发作为适配未来光刻技术的发展方向,现已成为超高精度集成电路制造的最高效工艺技术。其中,(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(MAPDST)作为一种含辐射敏感锍基功能的关键单体,现已广泛应用于极紫外(EUV)光刻胶的研发生产过程中。首先,简要阐述在制约光刻胶性能提升过程中存在的分辨率(R)、线边缘粗糙度(LER)、曝光灵敏度(S)之间的平衡制约关系,即RLS平衡制约关系;随后,对MAPDST单体的优越性能以及在推动光刻胶朝着高分辨率方向发展的应用现状进行综述;最后,对EUV光刻胶材料及MAPDST单体的未来发展做出展望。; 关键词极紫外光刻技术极紫外光刻胶 (4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐单体 RLS平衡制约关系二次电子; Keywords extreme ultraviolet lithography EUV photoresist MAPDST monomer RLS equilibrium restriction relation secondary electron; 分类号 TQ549 [化学工程—煤化学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名权威科技声音: 7; 出处《中国科技财富》 2017年第7期31-32,共2页; 文摘 “极紫外光刻关键技术研究”项目顺利通过验收近日，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项“极紫外光刻关键技术研究”项目顺利通过验收。评审专家组充分肯定了项目取得的一系列成果，一致同意项目通过验收，认为该项目的顺利实施将我国极紫外光刻技术研发向前推进了重要一步。; 关键词极紫外光刻技术科技大规模集成电路声音权威成套工艺制造装备专家组; 分类号 TP305 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	制作亚50nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术	Waikin Li Harum H.Solak Franco Cerrina 葛劢冲	《电子工业专用设备》	2001	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	浅谈半导体光刻技术的发展趋势	樊乡	《中国高新技术企业》	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	先进光刻技术大步向前	Aaron Hand	《集成电路应用》	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	EUV光刻技术的挑战	程建瑞	《电子工业专用设备》	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	博弈的光刻技术面临的难题	Aaron Hand	《集成电路应用》	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	MAPDST单体在EUV光刻胶制备过程中的应用	李元壮姜靖逸肖国民	《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	权威科技声音		《中国科技财富》	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料