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CFETR低杂波电流驱动数值模拟研究
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作者 吴陈斌 丁伯江 +4 位作者 李妙辉 李永春 王云飞 闫广厚 YVES PEYSSON 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期250-256,共7页
利用射线追踪和福克-普朗克方程,研究了CFETR上驱动电流和功率沉积对低杂波注入位置和耦合波谱的依赖关系,讨论了边界非线性效应对电流驱动与功率沉积的影响,给出了低杂波平行折射率和低杂波注入位置的一个优化值。初步数值计算表明:边... 利用射线追踪和福克-普朗克方程,研究了CFETR上驱动电流和功率沉积对低杂波注入位置和耦合波谱的依赖关系,讨论了边界非线性效应对电流驱动与功率沉积的影响,给出了低杂波平行折射率和低杂波注入位置的一个优化值。初步数值计算表明:边界非线性效应会导致驱动电流降低;不考虑低杂波非线性效应时,驱动电流的差异约为6%左右,小于考虑该效应时的差异(~25%)。 展开更多
关键词 低杂波电流驱动 平行波数谱 极向注入位置 CFETR
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