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等离子体浸没离子注入(PⅢ)在材料表面改性中的应用及发展
被引量：
3
1
作者
陈惠敏
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2008年第5期79-81,共3页
等离子体浸没离子注入(PⅢ)是一种用于材料表面改性的新的离子注入技术。系统地分析和讨论了等离子体浸没离子注入技术的原理和特点:该技术直接将待处理材料浸没在等离子体中进行注入,保留了常规束线离子注入(CBⅡ)技术的主要特点,消除...
等离子体浸没离子注入(PⅢ)是一种用于材料表面改性的新的离子注入技术。系统地分析和讨论了等离子体浸没离子注入技术的原理和特点:该技术直接将待处理材料浸没在等离子体中进行注入,保留了常规束线离子注入(CBⅡ)技术的主要特点,消除了常规束线离子注入所固有的视线限制,克服了保持剂量问题,使注入装置变得简单和价廉。综述了等离子体浸没离子注入技术在金属材料、半导体材料和高分子材料改性方面的应用,展示了等离子体浸没离子注入技术应用的发展前景。
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关键词
常规
束线离子注入
等
离子
体浸没
离子注入
等
离子
鞘
表面改性
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职称材料
一种新型复合加速离子注入动力学研究
2
作者
朱宗涛
巩春志
+3 位作者
汪志健
田修波
杨士勤
Ricky Fu
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期493-498,共6页
提出了一种基于靶台(工件)二次加速的束线离子注入的新方法,基本原理是将传统束线离子注入和等离子体离子注入有效复合。采用二维Particle-in-cell(PIC)模型对这种注入方法进行了数值仿真研究。考察了靶台加负偏压情况下靶台表面空间电...
提出了一种基于靶台(工件)二次加速的束线离子注入的新方法,基本原理是将传统束线离子注入和等离子体离子注入有效复合。采用二维Particle-in-cell(PIC)模型对这种注入方法进行了数值仿真研究。考察了靶台加负偏压情况下靶台表面空间电势、离子密度变化以及离子的运动状态的时空演化。统计分析了不同时刻离子注入剂量、注入能量和注入角度的分布规律。结果表明:靶台施加偏压对束流离子起到了很好的二次加速效果,束线离子复合加速离子注入这种新方法理论上是切实可行的。同时发现在靶台附近空间电场的作用下,离子束会发生小角度偏转,由柱状形逐渐变成"喇叭口"形,靶台表面有效注入范围扩大。靶台表面注入剂量分布呈中心区域高边缘区域低的趋势。这种新方法有助于减缓电源硬件加工的难度,增加了工艺的灵活性。
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关键词
离子注入
粒子模拟
复合加速
束线离子注入
等
离子
体
离子注入
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职称材料
等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用
被引量：
1
3
作者
邹志超
李超波
+1 位作者
罗军
夏洋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期596-599,604,共5页
基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利...
基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利用自行设计并搭建的等离子体浸没超低能离子注入机分别对平面单晶硅和鳍状结构进行离子注入,并对鳍状结构进行快速退火。利用二次离子质谱(SIMS)测量了平面单晶硅的注入结深,通过透射电子显微镜(TEM)测试了退火前后鳍状结构的晶格损伤及修复状况,结果显示,利用等离子体浸没离子注入技术可以对鳍状结构进行有效的掺杂,而且对注入后的样片进行快速退火后,晶格损伤得到良好的修复。
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关键词
等
离子
体浸没
离子注入
束线离子注入
鞘层
FINFET
保形
注入
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职称材料
题名
等离子体浸没离子注入(PⅢ)在材料表面改性中的应用及发展
被引量：
3
1
作者
陈惠敏
机构
上海工程技术大学
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2008年第5期79-81,共3页
文摘
等离子体浸没离子注入(PⅢ)是一种用于材料表面改性的新的离子注入技术。系统地分析和讨论了等离子体浸没离子注入技术的原理和特点:该技术直接将待处理材料浸没在等离子体中进行注入,保留了常规束线离子注入(CBⅡ)技术的主要特点,消除了常规束线离子注入所固有的视线限制,克服了保持剂量问题,使注入装置变得简单和价廉。综述了等离子体浸没离子注入技术在金属材料、半导体材料和高分子材料改性方面的应用,展示了等离子体浸没离子注入技术应用的发展前景。
关键词
常规
束线离子注入
等
离子
体浸没
离子注入
等
离子
鞘
表面改性
Keywords
Conventional beam ion implantation
Plasma Immersion Ion Implantation
Ion-matrix sheath
Surface modification
分类号
TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
一种新型复合加速离子注入动力学研究
2
作者
朱宗涛
巩春志
汪志健
田修波
杨士勤
Ricky Fu
机构
先进焊接与连接国家重点实验室哈尔滨工业大学
Department of Physics&Materials Science
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期493-498,共6页
基金
国家自然科学基金项目(10975041和10905013)
新世纪优秀人才计划资助项目
文摘
提出了一种基于靶台(工件)二次加速的束线离子注入的新方法,基本原理是将传统束线离子注入和等离子体离子注入有效复合。采用二维Particle-in-cell(PIC)模型对这种注入方法进行了数值仿真研究。考察了靶台加负偏压情况下靶台表面空间电势、离子密度变化以及离子的运动状态的时空演化。统计分析了不同时刻离子注入剂量、注入能量和注入角度的分布规律。结果表明:靶台施加偏压对束流离子起到了很好的二次加速效果,束线离子复合加速离子注入这种新方法理论上是切实可行的。同时发现在靶台附近空间电场的作用下,离子束会发生小角度偏转,由柱状形逐渐变成"喇叭口"形,靶台表面有效注入范围扩大。靶台表面注入剂量分布呈中心区域高边缘区域低的趋势。这种新方法有助于减缓电源硬件加工的难度,增加了工艺的灵活性。
关键词
离子注入
粒子模拟
复合加速
束线离子注入
等
离子
体
离子注入
Keywords
Ion implantation, Particle-in-cell, Hybrid acceleration, Ion beam implantation, Plasma ion implantation
分类号
TL612.3 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用
被引量：
1
3
作者
邹志超
李超波
罗军
夏洋
机构
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期596-599,604,共5页
基金
国家科技重大专项资助项目(2009ZX02037)
文摘
基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利用自行设计并搭建的等离子体浸没超低能离子注入机分别对平面单晶硅和鳍状结构进行离子注入,并对鳍状结构进行快速退火。利用二次离子质谱(SIMS)测量了平面单晶硅的注入结深,通过透射电子显微镜(TEM)测试了退火前后鳍状结构的晶格损伤及修复状况,结果显示,利用等离子体浸没离子注入技术可以对鳍状结构进行有效的掺杂,而且对注入后的样片进行快速退火后,晶格损伤得到良好的修复。
关键词
等
离子
体浸没
离子注入
束线离子注入
鞘层
FINFET
保形
注入
Keywords
plasma immersion ion implantation
beam line ion implantation
sheath
FinFET
conformal doping
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
等离子体浸没离子注入(PⅢ)在材料表面改性中的应用及发展
陈惠敏
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2008
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一种新型复合加速离子注入动力学研究
朱宗涛
巩春志
汪志健
田修波
杨士勤
Ricky Fu
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用
邹志超
李超波
罗军
夏洋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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职称材料
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