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单颗磨粒划擦SiC_(f)/SiC陶瓷基复合材料的试验研究
1
作者
印文典
余泽
+4 位作者
陈伟
钟明
金琳嵩
马德云
黄鑫
《工具技术》
北大核心
2025年第5期35-40,共6页
针对SiC_(f)/SiC陶瓷基复合材料去除机理研究需求,开展金刚石划擦SiC_(f)/SiC复合材料试验,系统地研究划擦过程中划擦力的影响,分析不同加工方向和划擦参数对材料去除机制。结果表明,划擦力影响大小排列顺序为划擦深度、划擦速度和划擦...
针对SiC_(f)/SiC陶瓷基复合材料去除机理研究需求,开展金刚石划擦SiC_(f)/SiC复合材料试验,系统地研究划擦过程中划擦力的影响,分析不同加工方向和划擦参数对材料去除机制。结果表明,划擦力影响大小排列顺序为划擦深度、划擦速度和划擦角度。当划擦方向与纤维方向成0°时,可得到最小的划擦力和较好的表面质量。当划擦方向与纤维方向成45°或90°时,金刚石压头会影响SiC_(f)/SiC复合材料表面质量。这主要是因为SiC_(f)/SiC复合材料主要的材料去除方式是脆性断裂,其特征是纤维直接断裂、基体破碎、纤维拔出。在实际加工中,可通过控制加工方向与纤维方向、控制磨削深度等加工参数提高表面质量。
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关键词
陶瓷基复合
材料
(CMC)
材料
去除
机制
材料损伤机制
划擦力
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职称材料
题名
单颗磨粒划擦SiC_(f)/SiC陶瓷基复合材料的试验研究
1
作者
印文典
余泽
陈伟
钟明
金琳嵩
马德云
黄鑫
机构
成都飞机工业(集团)责任有限公司
出处
《工具技术》
北大核心
2025年第5期35-40,共6页
文摘
针对SiC_(f)/SiC陶瓷基复合材料去除机理研究需求,开展金刚石划擦SiC_(f)/SiC复合材料试验,系统地研究划擦过程中划擦力的影响,分析不同加工方向和划擦参数对材料去除机制。结果表明,划擦力影响大小排列顺序为划擦深度、划擦速度和划擦角度。当划擦方向与纤维方向成0°时,可得到最小的划擦力和较好的表面质量。当划擦方向与纤维方向成45°或90°时,金刚石压头会影响SiC_(f)/SiC复合材料表面质量。这主要是因为SiC_(f)/SiC复合材料主要的材料去除方式是脆性断裂,其特征是纤维直接断裂、基体破碎、纤维拔出。在实际加工中,可通过控制加工方向与纤维方向、控制磨削深度等加工参数提高表面质量。
关键词
陶瓷基复合
材料
(CMC)
材料
去除
机制
材料损伤机制
划擦力
Keywords
ceramic matrix composite materials(CMC)
material removal mechanism
material damage mechanism
scratch force
分类号
TG58 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
TH161 [机械工程—机械制造及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
单颗磨粒划擦SiC_(f)/SiC陶瓷基复合材料的试验研究
印文典
余泽
陈伟
钟明
金琳嵩
马德云
黄鑫
《工具技术》
北大核心
2025
0
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职称材料
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